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91.
92.
本文以理想流体的势流理论为基础,采用以Rankine源势函数的边界元法。引入微平面三角形来逼近船体表面,并求其几何要素,在三角形面元上布置强度为线性分布的源汇,给出计算实船表面流场各物理量的数值计算方法。经用Wigley数学船型验证,其合理可靠。 相似文献
93.
转轮出口流态对尾水管内压力脉动的影响 总被引:6,自引:3,他引:3
为寻找尾水管压力脉动与转轮出口流态的关系,揭示影响尾水管内不稳定流动的主要因素,采用了SIMPLEC方法和RNGk-ε模型,计算了混流式转轮在各种稳定工况下的流场,重点分析典型工况下的出口流态;针对这些典型工况进行不稳定流动计算。分析表明,尾水管内部涡带的形成不仅与转轮出口圆周速度有关,而且转轮出口有无回流和回流区的大小与涡带形成和涡带特征密切相关。 相似文献
94.
95.
本文试图通过对传统教育理念和教育价值体系的分析,提出构建现代教育巨系统所面临的问题及其解决的基本思路。 相似文献
96.
利用白腐菌改性处理可以显著提高机械浆的强度性能,有利于拓宽机械浆的应用范围.本文采用白腐菌Trametes hirsute 196对桉木CTMP浆进行改性处理,并探讨了白腐菌处理后纸浆的漂白工艺.研究结果表明:白腐菌处理使桉木CTMP浆白度值从49.6%下降到37.8%,且这种改性后纸浆的可漂性较差,H2O2和Na2S2O4单段漂后纸浆白度均在60%以下,但采用Na2S2O4—H2O2两段组合漂白工艺可以使漂后Bio-CTMP浆白度达到71.3%. 相似文献
97.
研究了准二维谐振势阱中粒子数有限的非理想玻色气体的热力学性质。利用巨正则系综的求和方法与平均场理论,给出了有限粒子数与原子间相互作用对系统势力学性质的共同修正;并将所得结果与三维时的情况进行了比较。结果表明:降低维数不能提高系统的临界温度;在准二维谐振系统中,有限粒子数对系统的影响随着粒子数的增大而减小直至消失,而相互作用的影响与粒子数无关,因此可以通过增大粒子数来提高准二维谐振系统的临界温度。 相似文献
98.
肾上腺髓质素对尾加压素Ⅱ诱导的大鼠血 总被引:3,自引:0,他引:3
旨在观察肾上腺髓质素(adrenomedullin,ADM)对尾加压素Ⅱ(urotensin Ⅱ,UⅡ)刺激的血管平滑肌细胞(vascular smooth muscle cells,VSMCs)内皮素(endothelin,ET)生成的影响,以探讨ADM和UⅡ在血管功能调节中的相互作用。贴块法培养的大鼠VSMCs经10^-8mol/L UⅡ和不同浓度ADM孵育后测定其^3H-胸腺嘧啶(^3H-TdR)掺入、细胞外信号调节激酶(ERK)活性、VSMCs ET mRNA含量和ET生成量。UⅡ(10^-8mol/L)刺激VSMCs ET mRNA含量增加、ET生成、VSMCs^3H-TdR掺入和ERK激活。10^-10~10^-8mol/L ADM以浓度依赖的方式抑制UⅡ刺激的上述效应,与单纯UⅡ组比较,10^-10~10^-8mol/L ADM分别与UⅡ(10^-8mol/L)合用时,VSMCs ET mRNA水平下降15%-45%(均P<0.01);培养基中ET含量分别下降为14.13,11.38和11.0pg/mL(均P<0.01);10^-9~10^-8mol/L ADM使VSMCs ^3H-TdR掺入分别降低32%(P<0.05)和41%(P<0.01),ERK活性分别降低32%(P<0.05)和36%(P<0.05)。单用ADM(10^-8mol/L)对VSMCs ET mRNA含量、ET生成、VSMCs ^3H-TdR掺入和ERK活性均无明显影响。结果提示肾上腺髓质素抑制UⅡ诱导的VSMCs ET mRNA表达和生成,并通过抑制ERK途径抑制UⅡ诱导的VSMCs增殖。 相似文献
99.
磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层,利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析,结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应;15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。 相似文献
100.
纳米Fe-In2O3颗粒膜的磁性和巨磁电阻效应 总被引:3,自引:0,他引:3
采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe-In2O3颗粒膜,研究了Fex(In2O3)1-x颗粒膜样品的磁性和巨磁电阻效应,实验结果表明;当Fe体积百分比为35%时,颗粒膜样品的室温磁电阻变化率△ρ/ρ0数值达到4.5%,Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ随温度(T=1.5-300K)的变化关系表达;当温度低于10K时,△ρ/ρ0数值随温度的下降而迅速增大,在温度T=2K时△ρ/ρ0达到85%,通过研究颗粒膜低场磁化率X(T)温度关系和不同温度下的磁滞回线,证实当温度降低到临界温度Tp=10K时,颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变,Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ0在温度低于10K时的迅速增大,可能是由于纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品处于“类自旋玻璃态”时存在特殊的导电机制所造成的。 相似文献