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81.
ITO透明半导体膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80%以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。 相似文献
82.
83.
<正>碳化硅因具有许多独特而优异的物化性能,长期受到广泛重视,特别是作为光电、半导体材料更受到青睐。然而,由于碳化硅制备优质单晶材料的困难,使得其应用受到阻滞。故探索制备大面积高质量晶态碳化硅薄膜的研究成为重要的课题。寻求新的较低温度下制备优质晶态碳化硅薄膜的方法和条件将具有重要意义。 相似文献
84.
用混合熔烧的方法,制备出一种氧化物封接料.该封接料能在700℃下对氧化铝瓷与铜及铜合金进行气密性封接.在封接中,只需将封接料涂在陶瓷体的封接面,套上金属件,在马弗炉中以5℃/min升温到700℃后保温10min即可.对封接体所作的拉伸强度和气密性质量检测表明,封接界面的抗拉强度高于陶瓷本体强度,界面对空气的漏率小于1.4×10-9Pam3/h,满足工业部门对封接质量的要求. 相似文献
85.
在钢基体上分别采用电弧线材喷涂和火焰线材喷涂两种工艺制备铝涂层,并对两种涂层的硬度、孔隙率、结合强度、耐蚀性能和磨损性能及机理进行了试验研究和对比分析。 相似文献
86.
抗氧化石墨材料的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用一种新工艺——泥浆凝胶工艺制备了石墨材料抗氧化梯度膜,通过初级泥浆涂层和合理的实验参数控制,生成了致密的SiC涂层。通过X射线衍射对涂层进行晶相分析,用扫描电镜分析涂层的成分,证实涂层中SiC浓度呈梯度分布,因而缓和了涂层与基体间的热应力。氧化实验表明样品在1000℃下氧化300h、1400℃200h以及1600℃、20h样品质量没有任何损失。1400℃下经20个热循环试验后样品完好无损 相似文献
87.
摩阻材料的研制及其静摩擦因数变化规律 总被引:4,自引:0,他引:4
许多实际工况要求在较高压力下,使用静摩擦因数大于0.35的材料。为此自行设计了两个试验台,测试比较了粉末冶金材料、火焰喷涂材料、等离子辅助沉积材料和等离子喷涂材料的静摩擦因数及其随载荷的变化规律,探讨了粗糙表面与光滑面配对时静摩擦因数变化的机理。静摩擦因数随载荷的变化规律与摩擦副材料的相对硬度有关。粉末冶金材料的静摩擦因数在0.1~0.2之间,并随压力的升高而降低;火焰喷涂材料与软材料配对时静摩擦因数大,与硬材料配对时静摩擦因数小;等离子辅助沉积材料静摩擦因数小,与基体结合强度小;等离子喷涂A12O3-TiO2材料的静摩擦因数大于0.4。 相似文献
88.
用X射线衍射及电子探针微区成分分析技术,研究了ZnO-Bi2O3-Sb2O3-BaO为基的压敏陶瓷的显微结构.除通常的ZnO、Bi2O2和Zn2.33Sb0.67O4晶相之外,发现了一新的晶界相.分析表明,新的晶界相是固溶有微量Zn的BaSb2O6晶相;它以颗粒状夹杂于弥散的Bi2O3晶界相中;随钡含量增加,BaSb2O6相的数量增多,粒径也增大,相应地Zn2.33Sb0.67O4相的数量则减少.同时还发现,晶界层中组分及结构的这种变化,使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善. 相似文献
89.
热膨胀是陶瓷材料重要的物理性能.具有超低膨胀特性(α<1×10~(-6)/℃)的陶瓷材料在许多高技术领域有着重要的应用.80年代中期发现了以NaZr_2P_3O_(12)为母相的Na_2O—ZrO_2-P_2O_5-SiO_2系统超低膨胀陶瓷.由于它们还具有优良的抗热冲击性能、低的导热系数和适当的强度,有希望发展成理想的热机部件结构陶瓷材料.这些化合物通常具有磷酸锆钠型结构,属六方晶系(三方晶系,空间群R(?)c).其热膨胀参数可用两个主热膨胀系数α_α和α_(?)即垂直和平行于六方c轴的热膨胀系数来表示.这种由PO_4四面体和ZrO_6八面体共用顶角氧联结形成的开放式骨架结构,其某些离子可被广泛替代,形成一系列类似结构具有相异性能的化合物.本文研究不同组成的磷酸锆锶钾系统陶瓷材料的各个热膨胀系数随温度的变化及各向异性性质,以寻找零膨胀陶瓷的组分及探讨该类陶瓷何以具有超低热膨胀性能的本质.1 实验 相似文献
90.
Guo Yuxiang 《鞍山科技大学学报》1996,(2)
介绍一种新型浇注料预制块。以特级矾土熟料为骨料和粉料,配以活性SiO2微粉和α-Al2O3微粉,以纯铝酸钙水泥作结合剂,并加入有效的外加剂制成混合料,经浇注振动成型,得到一种低水泥高铝质浇注料预制块。该预制块应用在烧结机点火器上,使用寿命可达2~3年。 相似文献