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981.
在分子图邻接矩阵的基础上,定义并计算了TIBO类衍生物原子的点价值iδ,利用图论方法建构了新的分子连接性指数mE,基于多元回归技术发展了对TIBO类衍生物药物的活性参数作出精确估算的定量结构-活性相关关系,得到的多元回归方程为:P=-274.563 80E-1 65.530 61E-1-149.681 6Jx-'1 26.084 7计算结果表明,抗H IV-1活性参数的计算值和实验值的一致性令人满意。 相似文献
982.
激光诱导残余应力的试验 总被引:1,自引:0,他引:1
对激光诱导残余应力的机理进行了分析研究.用波长1.06μm、脉宽23 ns、功率密度108~109W/cm2的脉冲激光冲击外形尺寸为30 mm×30 mm×5.5 mm的LY12CZ试样,研究了激光能量密度和冲击次数对残余应力分布的影响,并将激光诱导的残余应力与传统的机械喷丸形成的残余应力进行比较.结果表明:残余压应力随着激光能量密度的加大而加大,残余压应力层的深度随着冲击次数的增加而增加,激光诱导的残余压应力层的深度是传统机械喷丸形成的3~4倍. 相似文献
983.
提出并建立了一种新型的快速分析平面光波光路器件传输特性的2D时域有限元束传播法(FE-TD-BPM)模型.与常规时域差分格式的有限元束传播法相比,在时域实现了一维有限元(FEM)离散化处理,基于完全匹配层(PML)边界条件给出了全有限元离散化模型.为了验证算法的精度以及速度,模拟分析了直脊波导以及波导光栅,并且与已有文献的计算结果进行比较,结果表明,该算法无条件稳定、计算速度快,与常规时域差分格式的有限元束传播法相差在0.002%以内,并节省了约70%的机时. 相似文献
984.
使用模型算法控制理论设计的控制器,阶数较高,不利于工程实现和参数调整.针对这个问题,通过非参数模型和参数模型的转换对其进行降阶优化,调整闭环系统新极点的位置,可以获得动态特性和鲁棒性。仿真结果表明了该方法的有效性. 相似文献
985.
基于线性变参数的船舶运动H∞控制及仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
为确定船速变化对船舶操纵控制的影响,提出线性变参数H∞航向控制算法.通过变量代换,得到显含船速项的Nomoto船舶运动方程,以船速作变参数,转换为连续线性变参数系统方程.将其凸分解为多胞表示,利用线性矩阵不等式方法,对多胞的各顶点分别设计满足H∞性能和动态特性的输出反馈航向控制器,综合顶点控制器得到具有同样多胞结构的全局连续变增益控制器.仿真结果表明,该控制器能有效控制船舶航向. 相似文献
986.
采用AutoCAD2006内置二次开发工具AutoLISP语言以及DCL语言,以一个机械标准件--螺母为例,开发一个新的AutoCAD命令,实现机械设计的参数化绘图,避免大量重复性绘制工作,减少失误,提高作图效率.对许多企业已形成标准化、系列化的产品也同样可以大幅度提高作图效率. 相似文献
987.
采用理论分析和实船应用检验相结合的方法,对大连远洋运输公司的72000 DWT双壳体原油船航行过程中,油舱货油自然冷却过程进行分析研究.根据非稳态导热集总参数法建立油船油舱保温数学模型,研制了油船货油保温计算软件.通过实船应用比较,软件计算的保温时间和实际的保温时间最大误差为13%. 相似文献
988.
传统永磁同步电机的参数测量,通常需要人工采用特定的仪器完成,在线调整困难.针对此问题,提出一种PMSM参数自动识别的方法,基于LabVIEW设计了PMSM参数自动识别系统.系统不仅能自动测量出电机的定子电阻、dq轴电感、反电势系数,还能测出摩擦系数、转矩系数和转动惯量等机械参数.实验结果表明:该系统自动化程度高,界面友好,操作方便,辨识的所有参数误差都在10%以内,具有很强的实用性. 相似文献
989.
Brücken Erik Gdda Akiko Ott Jennifer Naaranoja Tiin Martikainen Laur Karadzhinova Ferrer Aneliy Kalliokoski Matti Golovlova Mari Kirschenmann Stefanie Litichevskyi Vladyslav Petrine An Luukka Panj Hrknen Jaakko 《湘潭大学自然科学学报》2018,(4):115-120
该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150 ℃的温度下完成我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝(Al2O3)薄膜工艺,大小为(10×10×1) mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流 电压(I V),电容 电压(C V)、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符 相似文献