废黄河竖井双层涵洞试验研究

试验研究了废黄河竖井双层涵洞输送水流和泥沙运动特性。试验表明：竖井进口段过水断面呈渐趋收缩状,涵洞泄流能力增大;在通过小流量时,下层涵洞流速大,有利于依靠水力输沙;双层涵洞中间隔层具有随上下层涵洞流速差减小、脉动压力影响趋于微弱的性质。提出了轮换开启部分闸门,使开启涵洞内平均流速大于泥沙不淤流速的调控方法,解决了双层涵洞安全输送泥沙的工程措施问题。     

超大比表面石油沥青基碳纤维微电极研究

作者研制了一种以石油沥青基碳纤维为电极材料的微电极,基于此种材料的特殊性能,经氧化处理后可获得较一般微电极为大的比表面积,因而其电流响应亦较一般微电极为大。且由于其表面在一定条件下可生成大量的碳氧基团,故其电极电位会随溶液ｐＨ值而线性变化,以至该电极亦可用作测量ｐＨ值的微电极。     

拟正态分布均值矩阵的容许线性估计(Ⅰ

考虑了以下问题：设ｎ×ｍ随机矩阵Ｙ有分布Ｎ（Θｎ×ｍ,Ｖｍ×ｍΣｎ×ｎ）,即Ｙ服从均值向量为Θ协方差矩阵为Ｖｍ×ｍΣｎ×ｎ的多元正态分布,其中Θ为未知矩阵．讨论了当Ｖｍ×ｍΣｎ×ｎ已知时,均值矩阵Θ在３种比较标准下的容许线性估计．并称以上分布为拟正态分布．     

利用真实砂岩微观孔隙模型研究粘性不稳定指进

利用真实砂岩微观孔隙模型进行了不同油水粘度比下的油水两相驱替试验,研究了粘性不稳定指进;提出了控制注入水粘性指进的注入速度及油水粘度比的要求,对指导油田生产有一定的意义。     

非对称渐开线圆柱齿轮的动力学特性

通过对非对称渐开线圆柱齿轮传动的啮合特性分析,建立了齿轮动力学模型,并利用数值积分和数值仿真方法对其进行了非线性振动研究.针对齿轮传动的时变刚度特点,比较了标准齿轮与非对称齿轮的振动特性.结果表明:在同等工况下,非对称齿轮比标准齿轮具有更良好的动力学特性.     

掺铅TiO2薄膜的制备及光催化性能

以钛酸四丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶法在玻璃板表面制得均匀的TiO2,并利用浸渍法镀pb2 得到掺铅的TiO2,用紫外漫反射、荧光光谱分析等手段对其进行了表征.研究结果表明,掺杂铅离子使TiO2的荧光峰明显增强,吸收带边发生红移,在紫外光区和可见光区的吸收明显增强.以紫外灯为光源,通过对甲基橙的光催化降解研究,发现掺铅TiO2薄膜的光催化活性明显大于掺Ag,Bi及纯TiO2薄膜,这是提高TiO2光催化活性的有效方法.     

WO3粉在高速层间剪切条件下的颗粒破碎特征

研究了WO3粉和W粉的剪切破碎时间对WO3粉和W粉的沉降曲线、平均粒度、BET比表面及松装密度的影响.用TEM和SEM对剪切破碎前后的粉末进行了直接观察.结果表明:新型剪切破碎机能有效地粉碎微米级WO3等脆性粉末,同时可以破坏超细W粉中的桥接团粒,使W粉和WO3粉的松装密度增加1倍以上,但对比表面积影响不大.     

聚球藻对镍的富集作用及影响因素

研究了环境因素与自身因素对聚球藻富集镍的影响.聚球藻对镍的富集时间在80min可以达到平衡;镍藻质量比最优值为16%～18%,此时富集量达到最大值即饱和吸附范围;pH值是影响富集的一个重要因素,同样条件下随pH值的增加富集量会不断增加,但由于过高pH会导致氢氧化镍生成,因此最佳pH值在9～10;温度和光强是调节富集量的两个因素,温度在35℃、照度在30001x左右是最佳的富集条件;同样条件下,死藻比活藻的富集量略高.     

超细晶粒W-40%Cu合金的烧结和力学性能

以纳米W,Cu粉末为原料,通过测定H2中热压烧结和无压烧结的收缩动力学曲线,研究了纳米W-40%Cu化学混合粉末的致密化过程.对比了纳米W粉与常规Cu粉(-44μm)的机械混合粉和纳米W-Cu化学混合粉的热压烧结致密化过程.测定了烧结合金在300℃和500℃下高温应力一应变曲线.实验结果表明:采用纳米W-40%Cu化学混合粉末在H2中无压烧结时最大收缩速率对应温度为980℃;1 200℃烧结平均晶粒小于2μm,相对密度为97%.纳米W-Cu化学混合粉在H2热压烧结时最大收缩速率对应温度为930℃;1 200℃烧结合金的平均晶粒为0.5 μm,相对密度为98%.纳米W-Cu化学混合粉热压合金高温抗压强度比纳米W与常规Cu粉的热压合金高.     

壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响

用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难.