高温遇水冷却岩石循环加卸载力学性能试验研究

为研究高温遇水冷却后不同岩性岩石在循环加卸载条件下的物理特性和力学响应特征的变化规律,对高温遇水冷却后的花岗岩、大理岩及绿砂岩试件分别开展了单轴压缩和循环加卸载试验. 结果表明,当加热温度超过400 °C后,三类岩石的体积增长率显著增加,400 °C可以作为三类岩石物理参数发生突变的阈值温度.总体上,三类热处理水冷却岩石的单轴抗压强度随温度的升高而降低,但花岗岩在200 °C温度处理后峰值强度比常温时有所增加. 在循环荷载作用下,花岗岩滞回曲线接近于线性,上限应力较高且不可逆变形小;而绿砂岩和大理岩的上限应力低于花岗岩且变形较大.相同温度热冲击下滞回环宽度大小顺序为绿砂岩>大理岩>花岗岩.随循环次数的增加,三类高温遇水冷却岩样的塑性变形减小,弹性模量增大,试件强度较单轴压缩均有提高;随温度升高,破坏面裂纹更为发育,破裂岩屑更为细碎.      

低水胶比对复合胶凝体系水化特性和动力学影响研究

低水胶比复合胶凝体系的水化机理和水化行为较普通水胶比胶凝体系存在一定差异,该条件下传统的水化结论往往不再适用.以不同低水胶比水泥-粉煤灰-矿渣复合胶凝体系为研究对象,通过测试净浆试件7d水化热,结合水化动力学模型探明了低水胶比、矿物掺合料掺量对其水化行为和水化机理的影响,并通过透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)分析了低水胶比复合胶凝体系的水化产物差异.研究结果表明：水胶比为0.2、粉煤灰-矿渣复掺量小于50%时,复合胶凝体系早期和后期的放热速率无明显差异,此时复掺粉煤灰-矿渣对水泥水化存在一定促进作用,当水胶比增至0.25和0.3时,复掺粉煤灰-矿渣在10～17h抑制了水泥水化;当水胶比由0.3降低至0.2时,胶凝体系最大放热速率呈增大趋势,且水化过程由NG-I-D改变为NG-D,不再经历相边界反应;水化至28d时,水化硅酸钙(C-S-H)的形貌随着水胶比的降低,由纤维状向球状转变.     

梯度羰基铁/碳纤维增强复合超材料的多尺度结构及超宽频电磁波吸收性能

先进电磁波吸收材料对薄厚度、轻重量、宽频带、强吸收等综合性能提出了更高要求。在此,我们提出了一种具有梯度电磁特性的新型层状台阶吸波超材料。通过在环氧树脂中分散不同含量的羰基铁和碳纤维来获得不同复介电常数和复磁导率的材料。通过对各层材料的电磁参数和几何尺寸实现宽频吸波性能的优化。在相同厚度和相同各层材料电磁参数条件下,平板层状结构在2.0–40 GHz范围内只能实现小于?6 dB的反射损耗,而本文设计的层状台阶超材料实现了小于?10 dB的电磁波吸收。此外,层状台阶超材料在11.2–21.4 GHz和28.5–40 GHz的频率范围反射损耗小于?15 dB。根据实验和仿真结果,本文讨论了多尺度结构协同效应所引起的多种电磁波吸收机制。因此,将多层结构和周期性台阶结构结结合获得新型的梯度吸收超材料,可为宽频电磁吸波材料的设计和研制提供新的思路。     

快原子轰击质谱电离机理研究

本文通过研究盐类、极性、非极性等三类化合物的快原子轰击质谱行为,进一步地讨论了预电离机理,对非极性化合物的电离机理做了深入的探讨并提出非极性化合物正十六烷的电离机理。     

鸡冠花红色素的提取及稳定性研究

介绍了以鸡冠花为原料,提取其红色素的方法及工艺流程。通过光谱分析的手段,研究了酸度、温度、光、时间、金属离子等因素对色素稳定性的影响。     

加热速度对煤的气化反应性的影响

实验室条件下考察了五种不同类型的煤经不同加热速度处理后,煤中碳对ＣＯ２化学反应性及单位质量碳的气化反应速度常数－－特殊反应速度常数的变化规律。研究结果表明：适于直接还原回转窑窑头喷煤用的高挥发分煤,经不同加热速度处理后煤中碳对ＣＯ２化学反应性和特殊反应速度常数发生明显变化,随加热速度增大而明显增大,这一研究结果为直接还原回转窑窑头喷煤强化还原的机理研究提供了依据。     

变截面粘弹性波导吸振器阻尼耗能机理的研究

以粘弹性材料的分型本构关系为基础,建立了一种截面呈指数规律变化的梁类粘弹性波导吸振器动力学模型,通过对其进行力学分析,导出了粘弹性波导吸振器能量耗散量与波的频率,材料参数,结构参数等之间的关系方程,仿真结果表明,粘弹性波导吸振器有良好的减振效果,特别是对于中频和高频,效果非常理想,而且对波导吸振器的长度要求很低。     

无导电衬底单轴吸波材料的反射和透射特性

导出了无导电衬底单轴各向异性吸波材料对斜入射电磁波的反射系数和透射系数公式,分析了极化方式、入射角及材料电磁参数等对反射系数和透射系数的影响;得到关于无导电衬底单轴各向异性吸波材料对斜入射电磁波的反射和透射特性的一些重要结论。     

ze^z＋λ的动力系统

研究整函数族ｆλ（ｚ）＝ｚｅ＾ｚ＋λ（λ∈Ｃ）的动力系统。方法用Ｂａｋｅｒ研究ｅ＾λｚ所采用的方法。结果与结论设Ｄｐ＝｛λ∈｜ ｆλ（ｚ）有一个ｐ阶的吸性周期点｝,Ｄｐ表示Ｄｐ的一个连通分支。     

微波对半导体器件破坏机理：一维器件模型及稳态处理

本文在半导体器件理论的基础上,建立了微波对半导体件破坏机理研究的一维器件模型,讨论了有关计算机数值模拟的处理技巧,并给出了差分方程组。