小型单相同步发电机并列条件仿真分析

小型单相同步发电机并列控制器设计时,并列参数选择需要限制合闸后冲击电流不大于一定范围。通过建立小型单相同步发电机并列系统的场路耦合时步有限元模型,并采用ANSYS的APDL语言编制的计算软件,研究了两台单相同步发电机在不同并列参数差值下并列的暂态过程,得出在3个并列参数差值单因素及多因素作用下合闸后冲击电流的大小和变化规律,为单相同步发电机并列控制器设计提供了准确的并列条件。     

PuO3分子激发态的外场效应

 采用密度泛函(DFT)方法B3LYP/Gen,在Pu为相对论有效原子实势(RECP)基组、O为6-311+G*基组水平上优化得到了分子轴方向不同电偶极场（0.005～0.005a.u）作用下,PuO3的基态电子状态为C 2v(7B-2)。在优化构型下用同样的基组采用含时密度泛函(TDDFT)方法(TD-B3LYP)研究了同样外电场条件下对PuO3的激发能和振子强度的影响。计算结果表明,激发能随电场强度增加而减小,表明在外电场作用下电子容易激发,且对电场方向的依赖呈现近似对称性,满足Grozema关系。PuO3的前5个激发态电子跃迁光谱波长为900.2～2063.3 nm,属于红外、远红外光谱,这是钚原子的奇异特征。电场对振子强度的影响仍满足跃迁选择定则。     

Cs2NaMF6:Fe3+ (M=Al,Ga)体系局域结构理论研究

构建了d5组态离子在三角晶体场中包含电子—电子间库仑相互作用、自旋—轨道耦合相互作用及配位体相互作用的完全能量矩阵,通过对角化完全能量矩阵研究了过渡金属Fe3↓离子掺杂Cs2 NaMF6(M=Al,Ga)体系的局域晶格结构.得到了Cs2 NaMF6:Fe3+(M=Al、Ga)体系中局域结构参量,对Cs2 NaAlF6:...     

章学诚的古文师承与文化场域的交往实践

章学诚在古文方面少年时即蒙庭训,后亲炙朱筠门下,奠定了古文写作上的基础。通过讨论章的师承,我们可以分析1789年之前章学诚古文世界的渊源,以及在以朱筠和周震荣为中心的两个知识社群中,章与其他学者的学术交往。在此基础上,运用场域与文化资本的概念,可进一步思考其在清代中期文化场域中的位置。     

物质场论

文章认为物质是以场的形式存在,并通过辐射时空波作用于其他物质。这种作用包括在文章中讨论的量子叠加原理和相对论中的时空相对性原理。     

地热多孔物料微波冷冻干燥过程的多物理场分析研究

以甘露醇与乳糖等为原材料,利用液氮制备冰激凌法,制备不同初始饱和度的地热多孔物料;通过多功能微波冷冻干燥装置,冷冻干燥处理制备的地热多孔物料,建立地热多孔物料干燥过程的多物理场分析模型,并设计对应的定解条件;通过COMSOL多物理场仿真软件,结合定解条件,求解多物理场分析模型,完成不同初始饱和度与不同微波功率等条件时的物理场分析,验证地热多孔物料微波冷冻干燥过程多物理场的影响。     

压电石英晶体扭转效应的ANSYS分析

在通过各向异性弹性理论和麦克斯韦理论研究Y 0°切型石英晶片的扭转效应,得出其扭转应力场和非线性极化电场分布的基础上,利用AN SY S的耦合场分析验证了压电扭转效应的存在.通过建模、划分网格、求解和后处理几个典型的步骤得到Y 0°切型石英晶片的应力值和极化电压,显示其与所加载的扭矩值成明显的线性关系.而采用分割电极的方法进行实验,其数据也证明了理论分析及有限元分析的正确性.     

教育场域视角下互联网+人工智能对学前儿童发展的影响

互联网+人工智能被应用到越来越多的领域,引发广泛关注。在教育场域中互联网+人工智能对学前儿童带来的影响不容忽视,特别是对儿童生活空间和关系空间的影响。我们应理性看待互联网+人工智能在学前儿童发展中的影响,恰当应用互联网+人工智能为幼儿提供精准支持服务,并有效促进互联网+人工智能在学前教育领域发展的再度整合,使互联网+人工智能更好的契合学前儿童发展的要求。     

超声波场影响Langmuir吸附相平衡的机理分析

从分子动力学规律出发,建立了Langmuir吸附系统在外场作用下的吸附相平衡关系式,并根据超声条件下吸附相分子的受迫振动和非吸附相分子的波动,分别讨论了吸附相分子及非吸附相分子在超声波场中获得的能量,结果表明:在超声波场中,吸附相分子比非吸附相分子获得更多的能量是Langmuir吸附平衡等温线降低的本质所在.理论结果进一步表明:当超声波频率一定时,Langmuir平衡吸附量随超声波场能流的增大而减少;当超声波能流一定时,可通过调节超声波频率达到吸附相分子的固有频率而使吸附相分子获得最大的能量,从而使Langmuir平衡吸附量最小.     

直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变

实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场均随直流偏场的增加而减小.