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41.
关于图的第二特征标R2(G) 总被引:10,自引:2,他引:8
毛建树 《青海师范大学学报(自然科学版)》2004,(1):18-22
对任意图G,h(G,x)表示图G的伴随多项式,R2(G)表示图G的第二特征标,本文刻画了R2(G)=-2,-1,0,1,2的全部连通图。 相似文献
42.
电气自动化成套装置种类繁多,并广泛应用于电力系统.结合现场实际商业运行期所积累的经验,并根据市场预测以及目前工控机发展动态,提出了采用APCI5000工业控制计算机实现电气自动化成套装置设计的最佳方案. 相似文献
43.
LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
任清褒 《西安交通大学学报》2004,38(6):645-648,656
基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径. 相似文献
44.
断裂力学理论和应用对平面线弹性线裂缝问题已相当成熟,但对V型缺口(如混凝土坝坝踵)的研究还不很多.实际上当V型缺口的a=2π时(图1)即为线裂缝,因而研究V型缺口的应力和应力强度因子将更具有普遍意义.用常规有限元法虽也能求解,但要求网格分得很细,工作量很大,且不易掌握.文献[1]对此类问题曾有所研究,但没有给出应力强度因子的求法.亦有人提出用边界配置法求解,但边界条件复杂时实用性较差.本文对V型缺口应力及应力强度因子的计算做了一些探索,推导了缺口附近位移场,应变场和应力场的任意高阶级数表达式,并据此构造了能反映V型缺口应力奇异性的扇形奇异单元. 相似文献
45.
童永承 《湖北师范学院学报(自然科学版)》1992,(6)
计数器电路的分析讨论相当费时和麻烦。本文提出了一个分析此一问题的一般方法,总结且证明了同步2~N—m 进计数器定理。在此基础上构成了一系列各类计数器,使分析讨论简单明了。 相似文献
46.
47.
48.
以串联型稳压电源为例,介绍利用数/模混合电路仿真软件系统ICAP/4进行虚拟实验及故障诊断的方法,并给出仿真波形。 相似文献
49.
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法. 相似文献
50.
采用异丁醇为原料,以Ti(SO4)2/Al2O3为催化剂,合成了2,4,4-三甲基-1-戊烯。对影响反应的因素进行了讨论,用红外光谱及核磁共振光谱对结构进行了表征。标题化合物的收率为80%以上。 相似文献