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81.
用扩展的Solomon方程描述1H受到射频 (RF)场照射时13 C的自旋晶格弛豫过程 .理论分析表明 ,在1H受到射频场照射时 ,13 C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程 ,但在特定实验条件下可以变为单指数过程 .数值模拟可显示出满足TC1TH1条件的13 C自旋晶格弛豫过程的明显差别以及不同射频场强度对13 C自旋晶格弛豫的影响 .通过实验观察固体L 缬氨酸的甲基13 C自旋晶格弛豫过程 ,测定相应的弛豫时间 .所得结果与理论分析和数值模拟完全吻合 . 相似文献
82.
孙玲 《南通工学院学报(自然科学版)》2002,1(3):31-34
功率放大器广泛用于通信系统和各种电子设备中,设计功率放大器时减小其非线性失真是一个必须考虑的问题。章对射频功率放大器的主要几种线性化技术进行了比较,着重分析了带有失真反馈的前馈技术和预失真技术,并浅析了今后射频系统线性化技术的发展趋势。 相似文献
83.
单片射频器件大大方便了一定范围内无线通信领域的应用,采用合适的微控制器和天线并结合此收发器件即可构成完整的无线通信链路。它们可以集成在一块很小的电路板上,应用于无线数字音频、数字视频数据传输系统,无线遥控和遥测系统,无线数据采集系统,无线网络以及无线安全防范系统等众多领域。 相似文献
84.
85.
射频仿真中的双近场效应 总被引:17,自引:4,他引:13
简要阐明了射频仿真中的两种近场:“单元近场”与“三元组近场”的区别,以及单元近场对目标仿真精度和逼真度的不良影响。文中,对认为“近场误差都是可修正的”两种值得商榷的观点进行了讨论。最后,得出了几点基本结论。 相似文献
86.
TiO2薄膜的光电催化性能及电化学阻抗谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用直流磁控溅射法在钛网上制备了TiO2薄膜催化剂,采用电化学阻抗谱(EIS)对其阻抗谱特征进行了表征.同时以偶氮酸性红溶液为模型污染物,验证了此工作电极在不同条件下的光电催化活性与阻抗谱之间的关系.研究表明:光电催化实验中TiO2薄膜在同时有紫外光和外加阳极偏压的情况下,有效实现电子-空穴分离,具有最好的催化活性;最佳的外加阳极偏压值为0.3V;其EIS Nyquist图上阻抗环半径也在此时最小,最容易发生反应,与光电催化实验结果一致. 相似文献
87.
当前射频识别研究需要一种兼容多种超高频射频识别标准的试验平台.该文对超高频射频识别系统的反射调制机制进行了研究,并提出了一种基于反射调制技术识别系统的可以对调制、编码和防碰撞机制进行编程修改的通用性试验平台方案,并分别对标签端的供电、信号检波、反射负载、处理部分的进行了设计和阻抗匹配计算, 相似文献
88.
利用中频磁控溅射法,溅射氧化锌钇(ZYO)陶瓷靶材,在玻璃基底上制备ZYO透明导电薄膜。研究了氧化钇掺杂量和基底温度对薄膜的结构、电学性能和光学性能的影响。结果表明,ZYO薄膜为钎锌矿型结构,呈c轴择优取向,平均可见光透过率(400~800nm)达到80%以上。制备的ZYO薄膜具有的最低电阻率为1.18×10-3Ωcm。 相似文献
89.
功率较大、频谱较宽的射频电源是DBD放电的关键设备,射频电源的功率和频谱宽度成为了研究DBD放电的瓶颈。本文利用手边的先进的射频电源,利用反向设计的思路,谈讨射频电源的设计要求。用谐振法测量平板放电设备谐振频率和射频电源的等效电感。 相似文献
90.
射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜, 用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征, 分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响. 结果表明, 溅射功率100 W, 衬底温度300 ~ 400℃时, 适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长. 在样品的室温光致发光谱中观察到了380 nm的紫外激子峰和峰位在430 nm附近的蓝光带, 并对蓝光带的起源进行了初步探讨. 相似文献