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系统研究了溅射工艺对非晶磁性薄膜的影响,发现在不同的氩气压下,薄膜的磁学性质随负偏压有不同的变化关系。采用电子探针、扫描电子显微镜等测试手段,发现在不同的溅射条件下,非晶膜的微观结构不同。在较高氩气压下,膜中会出现许多圆柱形结构,从而引起膜的软磁性能下降。分析了造成这种结构差别的原因。采用最佳溅射条件,制出了性能优良的非晶态软磁薄膜。 相似文献
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本文报导了一个极其简便的高温超导薄膜溅射靶的制作方法。并制得可控制名义组分的Bi-Sr-Ca-Cu-O的超导薄膜,其T_(CM)温度为84K,零电阻温度为60.3K。 相似文献
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本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜(a-Ge∶H 和μc-Ge∶H).研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响.结果表明:衬底温度 T_(?)<290℃,沉积出a-Ge∶H 膜;Y_(?)≥290℃沉积出μc-Ge∶H 膜.其结构、光电性能均当 T_(?)≥290℃时有明显的变化. 相似文献
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利用磁控射频反应溅射方法制备了 ZrO2薄膜。分析了工艺对薄膜结构的影响,结构与摩擦学特征的关系。研究表明,氧分压和基片温度是影响薄膜结构,从而影响其摩擦学特性的关键因素。 相似文献
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用磁控射频溅射法制备了NiFe/Cu/Co多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Cu厚度的关系.在适当的Cu层厚度下 (大约为2 nm),制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜.研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中. 相似文献
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研究了强磁场对射频溅射沉积Fe-Si-O薄膜的微结构和磁性能的影响. 在O2流量比小于1.0%、外加磁场低于1.0 T的溅射条件下, 得到了中孔型、相分离型和混合型3种典型的样品宏观形貌, 表明强磁场不但影响等离子体的分布而且影响溅射原子的角分布. 在O2流量比大于2.0%,外加磁场高于2.0 T的条件下制备的Fe-Si-O薄膜中, 经X射线衍射分析发现了强(110)取向的Fe3O4相;磁性测量发现垂直膜面方向上的剩磁和矫顽力大于平行膜面情况. 这些结果表明在薄膜沉积过程中, 强磁场不但使磁性薄膜取向, 而且在膜中诱导出了显著的垂直磁各向异性. 相似文献
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唐伟忠 《北京科技大学学报》1997,19(1):95-99
应用射频溅射技术制备了面心立方结构的Fe1-xNix/Cu(x=0.26-0.54)金属超晶格,MgO单晶衬底的采用以及在面心立方结构的Cu上实施外延等措施保证了在Ni质量分数低至0.26时Fe-Ni合金层仍保持了良好的面心立方的晶体结构,而且直到液氦温区这种面心立方结构仍是稳定的,磁性测量表明,当Fe-Ni合金层的Ni质量分数低至接近因瓦合金成分(x=0.35)时,其合磁矩呈下降趋势,即表现出偏 相似文献
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本文采用射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_7高T_c超导薄膜,研究了溅射电压、气流、气压、基片及热处理工艺对超导膜成分、相结构及超导性能的影响,所得到的超导薄膜T_c(R=0)=89K,临界电流密度10~4~10~5A·cm~(-2). 相似文献
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射频溅射法制备Pb1—xCoxSe薄膜及物性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体Pb1-xCoxSe薄膜研究了薄膜的成分结构以及电阻率-温度特性和磁化率温度特性间的关系,结果表明,由于Co离子介入,Pb1-xCoxSe发生了由金属特性的向半导体特性的转变,在充分低的温度下,并伴有磁相转变,磁相转变温度与磁性离子浓度相关,磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关。 相似文献