Cu层厚度对NiFe／Cu／Co的巨磁电阻效应影响

用磁控射频溅射法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ２多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Ｃｕ厚度的关系,在适当的Ｃｕ厚度下,制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜。研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中。     

10，6μmGe－Ag－Ni空心波导射频溅射镀膜的一种新方法

该文提出一种射频溅射镀膜的新方法，讨论了该方法对小孔径１０．６μｍＧｅ－Ａｇ－Ｎｉ空心波导制作的意义，利用该方法已制成样品，同时给出并比较了几个不同孔径样品的光透射率．     

射频溅射a—Si：F,H中载流子的低温传导

在300－77K温区内对射频溅射制备的a-Si:F,H薄膜样品作了直流电导测量，结果表明，当T＞200K时载流子的传导是以最近邻跳迁传导为主，而在77K＜T＜140K温区变程跳跃传导点了主要地位，费米能级附近的隙态密度约为10^20cm^-3eV^-1。     

R.F.溅射Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜及其光学特性研究

用R．F．磁控溅射法在石英衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为及其表面形貌．在550℃衬底温度下沉积的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀．应用双光束分光光度计,在200～900nm的波长范围测量了薄膜的透射光谱,并根据“包络法”理论计算薄膜的折射指数．结果表明,随着辐射波长从650nm减小到480nm,薄膜的折射率从2．04增加到2．15;随着波长进一步降低,折射率急速上升,到420nm时,折射率升至2．40,显示出典型的电子带间跃迁的色散曲线．由“包络法”和Tauc关系确定BST薄膜的光学能隙约为3．66eV．     

稀土硅化物的制备及红外吸收光谱

报导了由射频溅射制备稀土硅化物薄膜，样品的红外吸收光谱中，在８６５ｃｍ＾－１有一个强吸收峰，而在４６２ｃｍ＾－１有一个弱吸收峰。样品进行了高温退火后，强吸收峰基本没有变化，而弱吸收峰随退火温度的升高而增强，我们认为强吸收峰是ＹＳｉ２的键振动吸收，而弱峰是ＹＳｉ的键振吸收。     

微型齿轮,涡轮等微型机械零件的研制

论述了对微型齿轮，微型涡轮和微型悬臂梁等微型机械零件的研制，介绍了通过计算机辅助设计，利用ＩＣ的微细加工技术，采用射频溅射和光刻技术制造微型机械零件的方法。     

Si光阳极保护层——CN薄膜

采用射频-等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以沉积时间和沉积温度为变量在n-Si(100)衬底上沉积CN薄膜.XRD与傅里叶转换红外光谱测试表明,沉积物为CN,其中主要含有Si—C键、C—N键、■键和■键.紫外测试表明,CN薄膜带隙值约为3 eV,光致发光测试也表明其具有良好的适合的带隙.从CN薄膜对Si光阳极光解水的保护性能综合来看,其中沉积时间为60 min、沉积温度为400℃所得到的CN薄膜的保护性能最好,其光电流密度达到51.5 mA/cm~2,腐蚀电流为2.19μA,光解水性能稳定.     

高择优取向(100)PZT铁电薄膜的磁控溅射生长

以射频（RF）磁控溅射法分别在Si（111）和Pt（111）／Ti／SiO2／Si基底上溅射沉积LaNiO3（LNO）薄膜电极,沉积过程中基底温度为370℃,然后对沉积的LNO薄膜样品进行快速热退火处理（500℃／10min）。X射线衍射（XRD）分析表明：Si（111）基底上LNO电极表现出高度的（100）取向,而Pt（111）／Ti／SiO2／Si基底上LNO电极则表现较强的（111）择优取向。然后在（100）LNO薄膜电极上生长PZT铁电薄膜,通过合适溅射工艺参数的选择,成功地制备了高度（100）取向的PZT铁电薄膜。     

Influence of O2/Ar ratio on the properties of transparent conductive niobium-doped ZnO films

Niobium-doped ZnO transparent conductive films are deposited on glass substrates by radio frequency sputtering at 300℃. The influence of O2/Ar ratio on the structural, electrical and optical properties of the as-deposited films is investigated by X-ray diffraction, Hall measurement and optical transmission spectroscopy. The lowest resistivity of 4.0×10^-4Ω· cm is obtained from the film deposited at the O2/Ar ratio of 1/12. The average optical transmittance of the films is over 90%.     

强磁场中射频溅射沉积Fe-Si-O薄膜的结构及磁性

研究了强磁场对射频溅射沉积Ｆｅ－Ｓｉ－Ｏ薄膜的微结构和磁性能的影响,在Ｏ２流量比小于１．０％,外加磁场低于１．０Ｔ的溅射条件下,得到了中孔型,相分离型和混合型３种典型的样品宏观形貌,表明强磁场不但影响等离子体的分布而且影响溅射原子的角分布,在Ｏ２流量比大于２．０％,外加磁场高于２．０Ｔ的条件下制备的Ｆｅ－Ｓｉ－Ｏ薄膜中,经Ｘ射线衍射分析发现了强（１１０）取向的Ｆｅ３Ｏ４相;磁性测量发现垂直膜面方向