Nd掺杂对ZnO薄膜结构及室温光致发光特性的影响

通过射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备了不同含量的Nd掺杂ZnO薄膜.XRD和AFM分析表明,Nd掺杂没有改变ZnO薄膜的结构,薄膜为纳米多晶结构,未掺杂ZnO沿c择优生长.Nd掺杂使ZnO薄膜表面粗糙,起伏较大,薄膜中随Nd掺杂量的增加颗粒减小.室温光致发光谱显示,薄膜出现了395nm的强紫光峰和495nm的弱绿光峰,同时,Nd掺杂不改变PL谱的峰位置,Nd含量对PL谱的峰强度产生了一定影响.     

基于动态时隙ALOHA的多标签识别防碰撞算法

对于RFID系统中多标签识别过程中的标签信息碰撞问题,分析了动态时隙ALOHA算法中的不足,提出了改进算法.改进算法通过优化冲突时隙数的变化,使得在每个标签识别周期内通信吞吐率最大,从而减小RF场内所有标签识别时间,并通过调整ACK确认命令的发送格式,在下一个单次识别周期中,集体确认已识别标签,这使得标签识别与确认分离,增加了无源标签吸收的能量,提高了通信的可靠性.仿真实验表明,改进算法在减少碰撞率方面具有良好的性能.     

基于最小均方误差估计的RFID室内定位算法

近年来基于射频识别（RFID）的室内定位技术得到了大量的关注及广泛的应用.由于无法利用目标标签的先验信息,现有的基于极大似然估计的室内定位算法性能存在进一步提高的可能.文中提出使用标签位置分布统计特性作为先验信息来提高定位精度,将基于到达时间（TOA）的二步加权最小二乘法从极大似然估计扩展到最小均方误差估计,并推导了基于最小均方误差估计的TOA定位方法的克拉美罗下界（CRLB）和理论方差.理论分析和仿真结果都表明该算法优于极大似然估计定位算法.     

基于RFID_GIS的烟草物联网的应用研究

从卷烟制造、流通到商业批发,再到零售,物联网可贯穿卷烟营销的全过程。本文文介绍了无线射频识别技术（RFID）、物联网、地理信息系统（GIS）及电子产品代码（EPC）系统相关技术,对基于RFID_GIS的烟草物联网的应用进行了研究。     

高速公路不停车收费系统技术应用与分析

随着我国改革开放的不断深入和经济的迅速发展,高速公路的交通流量越来越大,然而,现有各高速公路收费口因人工收费、车辆需要停车办理交费手续致使交通拥挤堵塞现象日益突出,制约和阻碍了整个地区的公路交通网络作用的发挥,成为整体经济发展的瓶颈.下面就高速公路电子不停车收费系统中射频识别技术的应用进行详细的分析.     

基于返回式二进制树形搜索的反碰撞算法

多个电子标签在识别时发生碰撞是射频识别(RFID)技术中关键的问题.解决此问题常用二进制树形搜索算法,但这种算法对N个标签识别进行一一识别时,所需的操作次数太多,效率较低.本文提出了一种新的算法,该算法是在二进制树形搜索算法的基础上进行改进.当阅读器检测不到有碰撞时,可用返回式从上一层REQUEST命令获得下一次的REQUEST命令.最后,通过比较对N个标签进行一一识别所需要总的操作次数,来进一步说明返回式二进制搜索算法的优越性.     

基于后退策略的位传输二进制搜索算法

多个电子标签在识别时发生碰撞是射频识别(RFID)技术中的关键问题,通常使用的是二进制搜索算法,在其基础上提出的位传输二进制搜索算法是二进制算法的一种变异算法。文章在位传输二进制搜索算法的基础上进行改进,提出一种新的算法,并给出了该算法的软件实现;通过分析比较证明该算法的优异性能。     

退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响

采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)等方法进行表征和分析.研究了退火的射频功率、衬底温度和退火时间对薄膜微结构和光电性能的影响.结果表明,薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素,而薄膜的结晶度是影响薄膜暗电导率的主要因素.     

利用13.56MHz射频PECVD技术高速沉积器件级质量的μc-Si:H薄膜材料

利用13．56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PEcVD)技术，高速沉积器件级质量的微晶硅(μc-Si：H)薄膜，研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率的影响，通过选择适当的沉积参数．得到了沉积速率为0．3～0．4nm／s的μc-Si：H薄膜材料．薄膜的暗电导为10^-7S／cm量级,光电导与暗电导之比近似为2个量级．电导激活能为0．52eV左右．所得的μc-Si：H薄膜材料稳定性好，达到了器件级质量。     

掺Ni的AlN薄膜稀磁半导体的制备及磁性研究

采用射频磁控溅射的方法制备掺Ni的AlN薄膜Al1-xNixN(x=0.021、0.047、0.064、0.082),薄膜样品沿AlN(100)晶向生长.利用振动样品磁强计研究其磁性能,发现样品在室温下均具有铁磁性,随Ni掺杂量的增加,饱和磁矩先减小后增大,最大矫顽力达104Oe.结合X线光电子能谱分析,推断掺杂Ni原子进入AlN晶格取代了Al的位置,样品的铁磁性可以用Ni与相邻N原子之间的p-d杂化机制来解释.