T型介观空腔结构电子输运性质的研究

利用格林函数方法计算了T型介观空腔结构的电子传输特性,分别运用递归格林函数和全格子格林函数技术给出体系的总格林函数,导出T型介现空腔结构的电导方程．计算结果表明：格林函数方法可以非常方便地应用到介观空腔结构电子传输性质的研究中．由于空腔的存在,使原来平台结构的传输系数出现了复杂的传输谱结构．     

浅谈圆形封闭煤场网架施工技术

随着火力发电厂锅炉机组和规模容量向高参数、大容量发展,要求电厂储煤量也越来越大,如何提高场地的利用率,缩小占地面积,降低土石方量,并提高煤场作业自动化水平,安全水平及环保水平是国内现代化火力发电厂储煤场发展需解决的焦点问题。     

大尺寸三维激光测量系统标定方法

研究了一种基于平面几何射影变换原理的三维激光测量系统标定方法. 根据测量系统中激光扫描平面的旋转特点,基于平面射影变换中直线不变的映射关系建立了标定对象表面被测点在不同参考系之间变换的约束关系,并采用封闭运动链思想定义系统参考系空间刚体变换关系,将系统标定问题转化为世界坐标系下系统内参数矩阵和外参数矩阵的求解. 通过空间变换关系得到上述2个矩阵的解,实现系统的标定. 该方法标定装置简单、速度快、稳定性好,能够满足实际工程应用中的需求.     

双孔复合封闭储层中井底压力的Laplace空间解

针对双孔复合封闭储层模型 ,研究了两种内边界条件下的变流率问题的无因次井底压力的Laplace空间解 ,在深入剖析解的结构的基础上 ,找出了它与常见的复合、双孔、均质储层井底压力之间的关系 .该研究是对试井分析理论的一种完善 ,对油藏数值模拟方法也具有指导意义     

穴番(A,E)对甲烷及其卤代衍生物的分子识别研究

穴番系列化合物是由两个碗形或浅碟形cycloveratrylene(CTV)结构单元位于上、下端,再通过三条酯链-(CH2)n-(n=2～8)连接而成的笼状化合物,如图1所示.它具有空腔可调节、构象易变化、易化学修饰等特点,可通过对客体形成包封来识别客体分子,是一类新型的超分子主体化合物.     

Dynamic Portfolio Choice under Uncertainty about Asset Return Model

The effect of uncertainty about stochastic diffusion model on dynamic portfolio choice of an investor who maximizes utility of terminal portfolio wealth was studied.It applied stochastic control method to obtain the closed-form solution of optimal dynamic portfolio,and used the Bayesian rule to estimate the model parameters to do an empirical study on two different samples of Shanghai Exchange Composite Index.Results show,model uncertainty results in positive or negative hedging demand of portfolio,which de...     

相对无挠模

讨论了相对于忠实平衡双模ω的相对无挠模的一些性质,给出了一个左或右Noether环是QF-环的一些等价条件, 并证明了当ω为广义倾斜双模时,ω-无挠模与 ω-1-合冲模以及ω-1-挠自由模均是等价的。研究了相对无挠模类的扩张封闭性。部分结果推广了关于经典的无挠模的结论。     

忻州窑矿综采一队转载机全自动封闭装置的研制与应用

本文通过对同煤集团忻州窑矿综采一队转载机全封闭装置的设计过程进行分析,在为不断加强转载机全封闭管理中提出了新颖的设计思路。设计的转载机全封闭装置结构合理简单且巧妙,操作方便,适合综采工作面地质结构复杂、采煤工艺繁琐及设备配套灵活等特点,有效地起到了保护人员误入到转载机溜槽内的目的。     

物性参数对封闭腔体自然对流数值模拟的影响

采用两种不同的物性参数处理方法对不同温差下的封闭方腔内自然对流进行数值计算,研究瑞利数Ra从103～106之间时,封闭方腔内空气的流动换热规律,将所得到的数值模拟结果与研究文献做了对比分析,验证了其方法的准确性,同时对比分析了利用多项式考虑气体物性参数随温度变化情况下的数值模拟结果.计算结果表明,在所计算的问题中,小温差下把热物性参数设置为常数可以一定程度上减小计算量,加快计算收敛速度,但在大温差下,物性参数设置为常数计算将造成计算结果相对误差较大.     

掺AS硅单晶片外延技术

本文论述的N/N EPI ,是在重掺AS衬底单晶片上生长一层N型EPI层。因重掺AS硅单晶片在EPI生长过程中自掺杂严重 ,如何控制好EPI层的掺杂浓度一致性 ,便成为N/N 外延的技术难题