轧制对3003铝箔中第二相粒子影响的研究

铸轧3003阴极电子铝箔具有生产成本低,腐蚀后强度高、容量较高、氯离子含量较低等优点,被广泛应用于铝电解电容器的阴极箔,市场前景十分广阔。3003阴极电子铝箔中第二相粒子对铝箔腐蚀后的比电容产生很大的影响,因此有必要对3003阴极电子铝箔轧制过程中第二相粒子单位面积数量及其尺寸、形状等进行研究。     

带有双仓的烟草物料贮存柜的改造

分析了烟草物料原贮柜存在的缺陷,指出通过对原设备实施结构改造,解决了该设备对烟草物料造成破碎、内部机械力过大以及流量不稳定等问题,有效地提高了该设备的工作可靠性,降低了生产成本。     

BX特性MLCC电容器的决定因素和设计方法

<正>BX特性电容器是《有可靠性指标的无包封多层片式瓷介电容器总规范》(GJB192A-98)中规定的唯一的军用二类电容器,该类电容器不仅要满足TC特性要求,还必须满足TVC特性要     

高压全膜电力电容器用新浸渍剂苄基甲苯的研究

进行了由氯化苄与甲苯合成苄基甲苯的工艺研究,筛选了精制方法.合成和精制后的油品,检测了理化电性能,作成模型电容器进行各种试验,表明该绝缘油具有优异的性能.     

低压电容铝箔国产化的研制(英文)

本文利用金相、X光和电子显微镜等技术,对国产和进口低压电容器用铝箔的成分和组织结构等进行了对比分析。通过对铝箔直流腐蚀形貌的观察,研究了提高铝箔比电容的机理。成功地开发了一种新型国产电容铝箔,经工厂实际生产应用证明,各种技术指标均达到进口电容铝箔的水平,能取代进口箔,具有巨大的社会效益和经济效益。     

半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计

半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO_3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电容器的物理性能及其极限作定量分析、对边界层电容器的性能作出设计并对提高性能的方法进行探讨.     

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。     

封闭式基金转为开放式基金的探讨

就基金的“封转开”问题展开探讨,提出要正确看待封闭式基金在特定的市场条件下自身的缺点和优点,肯定它存在的市场价值.它不应该被开放式基金所取代,而应该继续保持自己的独立性,与开放式基金一起在证券市场上发挥作用.     

由碳还原KMnO4制备氧化锰/碳超级电容材料

以碳粉为还原剂，在酸性条件下与KMnO₄反应制备了粉末状氧化锰/碳复合材料，研究了碳还原剂种类（活性炭、石墨化中间相碳微球和膨胀石墨）以及镍、钴、铒离子对制备的氧化锰/碳粉末结构及电化学性能的影响。采用X-衍射技术和扫描电子显微镜（SEM）分析了氧化锰/碳的结晶结构及表面形态。结果表明，活性炭具有较强的还原能力，氧化锰/碳材料具有良好的电化学电容行为，其中以活性炭为还原剂制备的氧化锰/碳具有较高的电容量，质量比容量达117F/g，掺杂镍、钴后质量比容量达到185F/g。     

低压无功补偿方式的探讨

分析了无功补偿的意义,阐述了无功补偿的原理,介绍了并联电容器进行无功补偿的方法、适用范围及接线方式。