改进的强隐式格式及其在三维Euler与N-S方程中的应用

将 Ｓｔｏｎｅ强隐式格式由单个方程推广到方程组，并用于三维高速可压缩流的 Ｅｕｌｅｒ和Ｎａｖｉｅｒ－Ｓｔｏｋｅｓ方程组的数值计算。为较好地捕捉激波、提高激波的分辨率，对离散后方程右端项的数值通量进行了改进，采用了ＮＮＤ格式的数值通量。典型三维算例表明，本格式具有高效率、高分辨率的特点，流场与实验数据较接近。     

非齐次热传导方程的隐式差分方法（I）

本文针对非齐次热传导方程提出了一种数值求解的两层三点隐式差分方法，所得格式精度分别达到Ｏ（Ｋ＋ｈ２）、Ｏ（Ｋ２＋ｋｈ２＋ｈ２）和Ｏ（Ｋ２＋ｋｈ２＋ｈ４），并通过数值算例进行了检验。     

基于模糊Petri网络的分布式知识表示方法

从模糊产生式系统出发，引入模糊Ｐｅｔｒｉ络（ＦＰＮ）的定义，进而给出了模糊产生式规则的各类型的ＦＰＮ表示模型，在此基础上提出了一种基于ＦＰＮ的交互式推理方法。该方法为模糊知识的表示提供了一种有效方法。     

高储能密度电容器复合介质材料的研究

对高储能密度电容器复合介质材料作了研究。采用介电陶瓷／有机聚合物作复合介质材料的实验中，研究了复合材料的介电系数与组成成分的关系，研究发现，ε随陶瓷成分的增加而增大，并且存在一个临界组。     

广义Huxlty方程的显式孤波解

本文在幂变换下给出了一个新的假设，得到了广义Ｈｕｘｌｔｙ方程的二族显式孤波解。     

早期金属巴基球结构推断

通过计算推断六十年代中期，美国田纳西州树林国家实验室在同位素分离过程中形成的亮黑色物质可能京是迄今发现的最早的一种填隙式金属巴基球。     

Schrdinger型方程的半显式格式

本文给出了两个解ＳｃｈｒＯ¨ｄｉｎｇｅｒ型方程的半显式格式，两格式均能显式计算，且绝对稳定，截断误差为Ｏ（τｈ＋τ＋ｈ２）．     

多孔硅湿敏特性研究

应用阳极氧化技术在单晶硅片上生长一层多孔硅（ＰＳ）薄膜，用真空镀膜方法分别在其上下两面蒸发一层适当厚度的金属铝作为电极，设计了两种电极图形，制成二端结构的敏感元件．在不同湿度环境下，测出其电容值，得到了多孔硅ＲＨ－Ｃ湿敏特性曲线．通过不同材料、不同工艺条件的试验研究发现：多孔硅湿敏元件的湿敏特性、响应时间与其孔隙率、膜厚等参数有关．从而，确定了适合于敏感应用的材料导电类型、电导率、工艺条件和元件结构     

厚膜压力传感器的研究

用厚膜工艺制造压力传感器．研究了厚膜电阻浆料的电阻率与压阻系数的关系．承压基片选用ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３３ｍｏｌ％增韧Ａｌ２Ｏ３陶瓷，大大地提高了压力传感器的性能．对承压片的应力分布进行了分析，介绍了压力传感器的结构设计方法     

横流式冷却塔Merkel方程组的分析解

通过对饱和空气焓作线性回归，救是了横流式冷却塔Ｍｅｒｋｅｌ方程组的分析解，并在较广的设计工况内（大气压力ｐｂ＝８０～１０１ｋＰａ，进品空气湿球温度τ＝１０～２７℃，进塔水温ｔ１＝３０～５０℃，水气比ＷＧＲ＝０．５～２．５，冷却数ＮＴＵ＝０．４～２．０）与有限差分解进行了比较，结果表明，该解可以满足工程设计需要。