富钴结壳成因探讨

富钴结壳（Cobalt-ch ferromanganese crusts）是继多金属结核、锰结核之后被人类发现的又一深海矿产资源，由于其所处深度比锰结核浅，并且战略金属钴的含量较高，因此成为当前国际的研究热点。本文主要从矿物岩石学、地球化学、同位素、生物地层学等方面对成因问题进行了分析。     

高纯部分稳定二氧化锆微粉的制备工艺

高纯Zr02微粉作为高温高强特种陶瓷和耐火材料等的重要原料，由于晶型转变所引起的体积效应而影响其耐高温性能，限制其应用范围，因此必须进行晶型稳定化处理．本文介绍了以氧化钇为稳定剂的高纯部分稳定二氧化锆微粉的制备技术及产品质量标准．     

高离化态Cu的光谱分析

利用束箔光谱技术研究HI—13串列加速器提供的能量为80MeV和110MeV的Cu束与靶室中的碳膜碰撞激发光谱的情况。     

Fe100-xCox系合金超细粉末的制备和磁性

用机械合金化方法制备了Fel00-xCox系超细粉末(x＝15，35，50)．对各样品进行了X—ray衍射谱的分析；用柯西分布公式计算了材料的晶粒尺寸，约为9-12nm；用最小二乘法计算了材料的晶格常数a；测量了不同成分样品的磁滞回线。研究发现，当x＝15，35，50时，材料均呈现了α—Fe的单相，并且样品有较低的矫顽力Hc和较高的饱和磁化强度Ms．用趋近饱和定律计算了样品的有效磁晶各向异性常数Ks和原子磁矩μ．研究表明，样品具有优良软磁村科的内禀性能．     

以氧化钙为主要原料从铌钽矿富锆尾矿中制备氧氯化锆

对铌钽矿的富锆尾矿与碱石灰在一定温度下熔融 ,经过一系列化学处理来制备ZrOCl2 ·8H2 O的方法进行了研究。结果表明 :在用氧化钙熔融法分解富锆尾矿过程中加入少量NaOH可以大大提高锆的浸出率。进而提出了用廉价的生石灰作原料 ,以少量固体氢氧化钠作为反应助剂来分解富锆尾矿 ,生产氯氧化锆的新方法。确定了相应的反应条件为 :NaOH :CaO :尾矿的质量比 =0 .2 :1 .5 :1 ;熔融温度为 1 2 5 0℃ ,时间 2h。     

气泡塔熔融结晶器中传递与晶层生长

分析了气泡塔结晶器熔融结晶过程中自熔体向晶层界面的热、质传递特征，建立了描述该过程晶层生长的稳态模型。在自熔体向晶层界面对流传热膜系数的计算中，将弹单元分为弹状气泡周围液膜区、尾迹区及液塞段3段，各段的平均对流传热膜系数不同。分别在表观气速0.04和0．08m/s下，用模型对己内酰胺晶层生长进行了计算，计算结果与实验结果基本吻合。     

Ni-Fe-P合金化学镀的工艺条件及晶化行为研究

采用硼酸为缓冲剂,柠檬酸钠为络合剂在碱性介质中化学沉积Ni Fe P合金.考察了工艺条件如pH、FeSO4·7H2O浓度和温度对沉积速度的影响.获得了沉积速度快,镀液稳定性好的工艺条件.采用差示扫描量热和X射线衍射研究了Ni Fe P合金的晶化行为.结果表明,镀层在镀态呈非晶结构,镀层在200.5℃晶化为亚稳的Ni Fe合金,310℃晶化为立方FeNi3合金,369.2℃晶化为四方的Ni3P,而491.3℃为继续生成FeNi3的吸热峰.     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。     

点群10mm十次对称二维准晶平面弹性的复变解法及孔口问题

研究了点群10mm十次对称二维准晶平面弹性问题的复变函数解法. 首先将二维准晶平面弹性问题的位移势函数F用4个解析函数表示出来, 利用解析函数的性质, 经过大量的推导, 给出了准晶声子场和相位子场的位移、应力及边界条件的复变函数表示, 从而建立了点群10mm十次对称二维准晶平面弹性问题的复变解法的理论基础. 应用这一理论, 借助于复变函数中的保角变换, 解决了椭圆孔口问题. 当椭圆的短半轴趋于零时, 可得裂纹问题的解．计算结果表明, 当声子场-相位子场耦合时, 即使受自平衡力的作用, 对椭圆孔口问题, 声子场应力仍与材料常数有关, 这一性质表现出了准晶弹性与经典弹性的又一不同. 而当声子场-相位子场解耦时, 退化为经典弹性理论．另一方面, 本文是Muskhelishvili创立的经典弹性理论的复变解法在二维准晶平面弹性问题中的推广, 像经典弹性理论一样, 只要能找到点群10mm十次对称二维准晶平面弹性区域到单位圆的保角变换, 就可解决各种孔口和裂纹问题.     

K2PtCl6/PVP体系四面体形状纳米铂的控制合成

以适量聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为保护剂, 用H₂还原K₂PtCl₆水溶液高选择性(>80%)地合成了四面体形状的纳米铂晶粒(3~8 nm). 采用透射电子显微镜(TEM)和紫外可见光谱仪(UV-Vis)研究了合成体系四面体形状纳米铂晶粒的合成过程. 合成体系纳米铂胶体吸收光谱数据表明, 纳米铂晶粒的生成经历了由快到慢的转变过程. TEM数据表明, 绝大多数四面体形状纳米铂晶粒不是在成核和快速生长阶段, 而是在小晶粒(<3 nm)的缓慢生长阶段生成. 这些结果说明纳米铂的四面体形状很可能是通过晶粒生长中的表面晶面淘汰形成的.