平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管

首次提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管，该器件垂直于沟道方向的电场Ez为一非均匀场。理论计算，TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明，通过改变该器件其中任何一个栅极偏置电压，能够得到可以调节的输出特性（增益系数）及转移特性曲线，可以很方便地调节器件的阈值电压及亚阈值摆幅，并具备低功耗特点。这为电路的设计及器件制作提供了更多的灵活性，既可以简化电路的设计，又可以降低MOS集成电路制造工艺的复杂程度。平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺与目前常规的CMOS工艺完全兼容。     

光折变晶体KNbO3温度效应研究

以光折变效应的带输运模型为基础，研究了高阱密度下温度为光折变晶体折射率主稳态体相位栅效率之间的关系；分析铌酸钾（ＫＮｂＯ３）晶体的温度特性，给出了相应的     

论保尔和密列西耶夫英雄形象的魅力

保尔和密列西耶夫是前苏联小说<钢铁是怎样炼成的>和<真正的人>的主人公,他们的形象充满了英雄主义和理想主义色彩.他们崇高的英雄形象和伟大的人格魅力,至今依然绽放着光彩.     

InP反欧泊结构三维光子晶体的制备及研究

MOCVD法实验制备了InP反欧泊密堆积结构三维光子晶体,平面波法计算分析发现对于2003年Yethiraj和Van B laaderen提出的非密堆积结构,利用此方法制备的InP非密堆积结构反欧泊三维光子晶体,只要填充率达到44%以上即可出现完全光子带隙.     

广义动量算符与广义功能算符的构造

本文给出构造广义动量算符和广义动能算符的另一种方法,简单易懂,便于引入教学。其所得结果具有与文献[2]完全一致的普适形式。最后,对普适对应规则问题略陈管见。     

重复过流冲击下IGBT的性能退化研究

实际应用中,功率变流器经常会发生过流,重复的过流冲击会造成其功率器件绝缘栅型双极性晶体管(IGBT)的性能退化,并形成累积损伤,最终导致失效,而突然的失效会带来经济损失和安全问题,故需对重复过流冲击下IGBT的性能退化进行研究,建立相应的在线监测方法.针对目前对IGBT在重复过流下性能退化的研究较欠缺,搭建了过流冲击的实验平台来实现IGBT的重复过流冲击实验;采集重复过流冲击过程中IGBT外部端子的电气量,并提出相应的新的性能退化指标——导通电阻.结果表明:重复过流冲击会造成IGBT的性能退化,影响其外部电气特性;提出的退化指标——导通电阻明显地表征了IGBT内部累积损伤的程度.     

湿式共振栅阻力特性的实验研究

为研究湿式共振栅阻力特性,根据桩柱群绕流理论,建立了不同规格尺寸的共振栅的平均阻力系数的计算模型.在自制实验平台上对共振栅的阻力特性进行了实验.通过理论与实验相结合的方法,获得了用于分析不同类型共振栅阻力系数的计算模型.结果表明:随着风速的增加,有、无喷雾时共振栅的阻力系数的理论与实验数值均下降.当速度为4～7 m/s时,下降趋势不明显,基本趋于稳定;当速度大于7 m/s时,理论值高于实验值20％.该研究验证了计算模型的有效性.     

束晕-混沌同步控制及若干加密方法研究进展

构造了具有小世界(WS)和无标度(BA)特性的束流输运网络,提出多种束晕-混沌的同步控制方法和3种保密通信的电路设计方案,并进行了仿真试验。在混沌复杂性研究的基础上,探索了一种混沌密码新算法,并成功地研制了链路混沌密码样机。同时研制了一种基于混沌加密算法和传统加密算法相结合的混沌加密系统,采用FPGA技术进行了硬件开发,已在互联网上实现了文件加密和解密的通信实验。在信息隐藏技术研究方面,实现了将加密信息隐藏到JPEG格式图片之中,实验和工程应用信息隐藏效果良好。     

取代芳烃与3种生物急性毒性的定量构效关系

根据成键原子的结构特征定义其生物活性点价 (δAi ) ,并建构新的连接性指数 ( 1XA=∑(δAi .δAj) .用 1XA分别与 2 1种苯酚类化合物对日本长腿蛙蝌蚪的急性毒性 ( 2 4h-LC50 ) ,1 8种苯酚、苯胺类化合物对斜生栅列藻的急性毒性 ( -lg EC50 ) ,1 6种含氯的苯酚、苯胺类化合物对绿藻的急性毒性 ( -lg EC50 )相关联 ,其相关系数分别为 0 .963 5,0 .944 0 ,0 .91 84,均优于相应的文献研究结果 .对所建模型予以稳健性检验 .     

密立根油滴仪性能检验

详细地讨论了分析测试数据的统计规律及ｔ分布、ｔ检验。介绍了如何采用ｔ检验对密立根油滴仪性能进行检验。