新型氮支套索冠醚的合成及络合阳离子的电导特征

以苯氧乙醇为起始剂合成了两种新型氮支套索冠醚：N-苯氧乙基单氮杂-18-冠-6（18CE）与N-苯氧乙基单氮杂-15-冠-5（15CE），通过红外光谱、核磁共振氢谱、紫外光谱和元素分析表征了新冠醚及其中间体的结构，测试了18CE与15CE络合阳离子对溶液电导率的影响。     

高性能烧结NdFeB磁体的制备技术

采用鳞片铸锭、氢爆加气流磨制粉、脉冲场振动取向加橡皮模等静压成型等改进的技术在工业生产线上成功制造了N52高性能烧结NdFeB磁体. 用X射线衍射仪、光学金相显微镜、透射电镜和扫描电镜研究了磁体的结构;用磁强自动记录仪测量了磁体的退磁曲线. 实验结果表明,Nd29.0Pr0.5Ga0.2Fe69.1Nb0.2B1.0磁体室温磁性能达到Br=1.457 T, Hci=1 097 kA·m-1, (BH)max=409 kJ·m-3,且磁体的均匀性和一致性较好.     

3-丙烯酰氧甲基-和3-[2-甲氧基(三乙氧基)]甲基-3′-甲基氧杂环丁烷共聚物的合成及导电性能

通过阳离子开环聚合制备了一系列不同比例的3-丙烯酰氧甲基-3'-甲基氧杂环丁烷(AMO)和3-[2-甲氧基(三乙氧基)]甲基-3'-甲基氧杂环丁烷(MEMO)的共聚物PAM. 通过1H-NMR谱图计算发现:AMO结构单元在共聚物中所占的比例均低于根据投料比计算的理论值. 把这些共聚物和LiTFSI复配后通过BPO引发自由基聚合可交联成膜,利用交流阻抗法测试了其离子电导率,其中MEMO含量最高的PAM33电导率最高,30℃时达1.44×10-5S/cm ,80℃时达1.25×10-4S/cm. DSC测试结果显示,共聚物中MEMO的结构单元含量越多,其Tg越低,越有利于导电.     

电子封装用高体积分数SiCp/Al复合材料的制备

采用粉末注射成形制备SiC预成形坯和Al合金无压熔渗相结合的工艺,用单一粒度的粉末成功地制备出了致密度为98.7%的60%SiCp/Al高体积分数复合材料. SEM分析表明,所制备的复合材料增强体和基体分布均匀,组织致密,热膨胀系数在100℃到400℃范围内介于(7.10～7.75)×10-6K-1之间,室温热导率为170W·m-1·K-1,能够完全满足电子封装的技术要求.     

超声波技术在牛乳成分检测中的应用

在综合分析当前牛乳成分检测方法的基础上，提出一种应用超声波声速、衰减系数和电导率相结合，检测牛乳主要成分浓度的方法，详细阐述了基于该方法的仪器构成。经在实验室和工业现场使用表明，该仪器具有检测精度高（脂肪、蛋白质、乳糖检测精度均优于0．1％）、稳定性好（重复性变异系数小于0．02）、速度快（80个样／小时）、成本低、操作简单等特点，它适合在实验室、乳品加工业、乳品收购站等场合使用。     

CTAB/正丁醇/环己烷/水微乳体系相行为的研究

测定了CTAB/正丁醇/环已烷/水三相微乳液体系的“鱼状”相图和单相微乳液体系拟三元相图。从“鱼状”相图的位置考察了CTAB形成单相微乳液的效能。用电导法确定了单相微乳液体系的结构（W/O、B.C.、和O/W）。考察了微乳液结构和温度对微乳液电导率的影响。     

外源多胺对香蕉叶片的低温效应模拟实验

在人工气候箱中模拟寒潮对香蕉幼苗造成的冷害 ,研究外源多胺 (精胺、亚精胺、腐胺 )对低温期间香蕉叶片过氧化物酶和相对电导率的影响 .试验表明 ,叶面喷施 0 .6mmol·L-1精胺 ,0 .8mmol·L-1的亚精胺可明显提高过氧化物酶活性 ,而相对电导率则下降 ;但不同浓度的外源腐胺对两者影响不明显 .     

掺纳米Al2O3的纳米8YSZ相变及电导率

掺8mol%Y2O3的纳米ZrO2粉体中加入0－5wt%纳米Al2O3，在1100℃、1200℃、1300℃不同温度下烧结2h，烧结样品在烧结温度达1200℃以上，掺1wt%以上的纳米Al2O3的四方相完全转变为立方相。初步探讨掺纳米Al2O3的8YSZ陶瓷烧结体相变机理及纳米Al2O3对8YSZ烧结体的晶参数和电导率影响。     

低频线圈激励电磁成像的正问题计算

由于低频电流成像具有低生物危害性和低廉的硬件系统等诸多优点而受到广泛重视 .这种方法的原理是通过重构物体内部介质电特性的分布来实现成像目的 .由于物质的电特性是依赖于物质成分的 ,因此这种技术可以应用于医疗诊断之中 .目前已被广泛研究的主要有ＡＣ ＥＩＴ[1,2 ] 和ＩＣ ＥＩＴ[3～ 5] 两种成像方法 .这两种方法的区别在于激励方式不同 ,ＡＣ ＥＩＴ利用电极注入电流作为激励 ,ＩＣ ＥＩＴ利用电流线圈作为激励 ,都采用测量物体表面的电势作为反演信息 ,接触测量给实际应用带来很多不便 .而利用通以低频电流的线圈作为激励 ,采用…     

锡薄膜的非金属导电特性

采用真空蒸发技术制备锡薄膜。随着薄膜生长速率的降低,锡膜由金属转变为半导体,呈现出非金属导电特性。