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本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测定.该方法在研究Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3、ZnO及BaTiO_3半导体瓷应用中得到有意义的结果. 相似文献
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<正>玻璃掺杂半导体量子点材料表现出明显的量子限域作用和三阶非线性光学效应,它在制造全光学集成元件的应用前景越来越受到人们的重视。在这类材料的研究中一个很重要的问题就是:材料在具有大的非线性效应的同时还应具有合适的线性和非线性吸收。因为材料的非线性优值不但与非线性系数(χ3或n2)成正比,而且与吸收系数成反比。但目前非线性系数比较大的一类直接能隙半导体具有确定的吸收边,例如CdS和ZnS的吸收边分别为2.42和3.8 eV,这就决定了它们的吸收特性的可调性很小。尽管可以通过量子尺寸效应改变其吸收边,但这种改变也是很有限的。从应用的角度来看,希望材料的吸收边能够根据需要而调整。 相似文献
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缩合型硅橡胶与金属的粘接研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在以南大α系列硅烷偶联剂为基础的交联增粘体系中,引入某些γ系列硅烷偶联剂及增粘助剂,制成单组分室温硫化型粘合剂,并测定了其与铝、铜及不锈钢的粘接性能关系.研究表明:在既定的体系中加入KH-550、KH-792、WD-30以及KH-550与KH570的反应物可有效提高粘合剂对铝合金、黄铜及不锈钢的内聚破坏率,而且KH-550、KH-792还有助于改善粘合剂的贮存稳定性. 相似文献
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量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极激光光源,其工作原理与通常的半导体激光器截然不同,它利用垂直于纳米级厚度的半导体异质结薄层内由量子限制效应引起的分离电子态,在这些激发态之间产生粒子数反转。该激光器有源区是由耦合量子阱多级串接组成(通 相似文献
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多势垒结构中的共振能量和量子能级的差异分析 总被引:2,自引:2,他引:0
利用Chebyshev多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱(MQW)系统的束缚电子级公式,并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应MQW系统量子能级的差异。 相似文献