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51.
为提高7A05铝合金热轧板材的综合力学性能并减少各向异性,对7A05铝合金固溶、预时效、时效和形变处理等工艺对性能的影响进行了系统的研究. 比较了供货态、形变态、回归(RRA)态和采用预时效形变热处理的优化态热处理工艺对综合力学性能的影响. 结果表明:固溶的最佳温度为480 ℃,单级时效最佳工艺为120 ℃,24 h,双级时效中第一级时效最佳工艺为90 ℃,8 h,最佳形变为25%. 通过金相组织和力学性能测试结果表明:由于预时效析出促进形变热处理时亚晶等轴化,优化态强度高,进一步改善了合金性能,减少了轧制板材纵横向力学性能各向异性倾向.  相似文献   
52.
应用区域分解法(DDM)结合有限元(FEM)和边界积分法(BIM)分析了填充多层各向异性介质二维开口腔体TM波散射特性.对腔体外区域采用边界积分法进行分析,将腔体内的每层介质作为一个子域用有限元法分析,各子域间通过传输条件进行耦合.作为算例,分别计算了腔体中填充各向同性和各向异性介质时的散射截面,数值结果表明了该方法的有效性.采用这种技术,大大地减少了对计算机内存的需求.  相似文献   
53.
基于单离子模型,通过对Nd3+磁晶各向异性哈密顿数值的求解,研究了温度趋于0 K时,Nd3+离子稳定能与晶场参数及磁交换作用的关系.结果表明,对于强磁物质(如NdCo5,Nd2Co17,Nd2Fe14B等),Nd3+贡献的稳定能与晶场参数B20近似成正比,而对磁交换作用的变化不敏感.  相似文献   
54.
依据Jahn-Teller效应理论与量子理论,利用群论和对称性分析的方法探讨了C24+分子的Eg(⊙)b1g系统的Jahn-Teller效应及其各向异性现象,构建了Eg(⊙)b1g系统的电声耦合哈密顿量,借助幺正平移变换计算出了系统的电子基态与激发态及其能量.结果表明,由于电声耦合作用的缘故,系统发生了Jahn-Teller畸变,畸变使得系统在其势能面上形成了两个具有D2h对称性势阱.无论系统处在哪一个势阱中,系统的二重简并的电子基态能级都将发生分裂,因此畸变导致系统电子基态的简并性完全被消除.经过Jahn-Teller畸变,C24+分子就会从D4h对称性降低到D2h对称性,同时C24+分子的振动频率发生分解,频率的分解就意味着C24+分子的各向同性遭到破坏而呈现出各向异性.  相似文献   
55.
讨论了在半离散格式下的各向异性双线性元对Schr(o)dinger方程的逼近.首先利用该单元的特殊性质,在没有利用对网格正则性和拟一致假设的条件下得到了与传统方法相同的超逼近性质,然后基于插值后处理的技巧,构造出合适的插值算子,得到了整体超收敛的结果.  相似文献   
56.
分析了均匀磁场作用下2量子比特各向异性海森伯XXZ模型的热纠缠态,讨论了外加均匀磁场对XXZ模型的2种特殊情况即各向同性海森伯XY模型和各向同性海森伯XXZ模型的纠缠度的影响.对于一定的温度,耦合常数绝对值的增加能够增加纠缠度,但是纠缠度却随着温度的增加而减小,直到临界温度时纠缠度为0.当外加磁场强度大于一定值时,随着磁场强度的增加,纠缠度和临界温度相应增大.  相似文献   
57.
通过计算离散能束在传播过程中散射的能量在空间方向上的分布份额,用基于蒙特卡洛法的DRESOR法在平行平板系统内对相函数分别为一阶前向、一阶后向的各向异性散射介质中的辐射传递方程进行了求解,分别给出了各向异性散射条件下系统边界的具有较高方向分辨率的辐射强度分布以及系统内的热流、热源和入射辐射分布,并对各向异性散射对结果的影响进行了分析.将计算辐射强度结果代入辐射传递方程进行验证计算,验证结果的比较证明了DRESOR法求解辐射传递方程的有效性和正确性,并且计算结果达到了很高的精度.  相似文献   
58.
各向异性岩体破坏过程声发射测量及其定位实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
应用改进后的声发射设备,实验测量了花岗岩试样在单轴压缩加载条件下变形破坏过程中声发射现象;讨论分析了该试样损伤破坏过程中的诱发微裂纹相互作用、积累等.同时采用对速度结构依赖较少的相对定位方法,对非均质岩石试验中的声发射事件进行了定位研究.结果表明,相对定位方法可用于复杂试样和工程岩体的声发射事件定位,其可靠性及精度比以往有所提高,能够初步定量分析岩石在外载荷作用下的破坏过程的定位问题,对于工程岩体破坏问题分析具有很好的借鉴意义.  相似文献   
59.
基于大型有限元著名软件ABAQUS,对复合材料梁有限元分析进行了研究.以承受均布荷载的悬臂梁作为实例进行分析,根据Lekhniskii的各向异性弹性理论应力解答,推导得出梁弯曲轴线的方程,然后把有限元数值计算结果与各向异性弹性理论解答对比分析,验证ABAQUS对复合材料梁建模分析的正确性,并讨论材料各向异性、材料弹性主轴方向以及高跨比对结果的影响.  相似文献   
60.
UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300 μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260 μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.  相似文献   
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