半导体中深能级杂质的理论(综述)

本文阐述在半导体中深能级杂质的各种模型和用类氢模型、δ函数阱理论、量子缺陷法以及LCAO-MO(原子轨道一分子轨道线性组合)法对深能级杂质电子态的处理。     

用主导极点定域设计法对二次型最优调节器讲行设计

基于主导极点定域设计法的基本原理，通过限制闭环主导极点在复平面左半面的双曲线域内，来选择二次型指标中的加权阵Q，并给出了ρ→∞时闭环系统极点与控制加权阵R选择的无关性。根据这一特点，给出了确定Riccati方程迭代法起始矩阵的方法，并以此为基础给出了二次型最优调节器的设计算法和计算机辅助设计的程序框图，为二次型最优调节器的设计提供了理论基础和算法依据。     

活性反应蒸发制备氢化非晶硅的稳态光电导和复合过程

本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中心的陷获空穴对自由电子的俘获过程所限制,掺杂改变了定域态分布的形状,因而改变了光电导与光强关系的指数ν.掺杂也改变了费米能(?)的定域态密度,轻度的磷掺杂可以使光电导增大,,当磷掺杂使费米能级与导带扩展态距离小于0.25eV 时光电导反而变小.     

迈克尔孙干涉条纹的简要数学描述

本文结合具体实验条件扼要地讨论了迈克尔孙干涉条纹的产生条件及数学描述,得到了定域和非定域干涉的各种条纹的近似方程。     

多电子波函数的空间对称化与正交键函数

提出了构成完全等价,对称,正文的多电子链函数(OBFs)的新方法,OBFs兼有价健方法与U群方法的优点,并可经一简单的U变换得到属于点群不可约表示的多电子基。     

广义非线性Schrdinger方程的Lie-Bcklund对称

本文证明,由Kundu引入的广义非线性Schrōdinger方程具有无穷多个彼此对易的Lie-Bācklund对称.此外,还建立了无穷小Lie-Bācklund 对称和定域运动常数之间的一一对应关系.     

X…Y(X=LiF,H3N,H2O; Y=HF,LiF)复合物中锂键、氢键的理论计算

在CCSD(T)/cc-pVTZ水平下，对X…Y(X=LiF,H3N,H2O; Y=HF, LiF)复合物的9个结构进行几何构型优化和红外振动频率计算. 根据定域化分子轨道、原子自然电荷、Wiberg键级的分析表明HFLiF分子中的H-F键是共价键, 而Li-F键则为离子键而非共价键. H3N…Y (Y=HF，LiF)、H2O…Y (Y=HF，LiF)中的氢键或锂键源于静电相互作用, 并非共用电子的共价键. 结合能的计算表明: 与HF相比, LiF与X (X=LiF, H2O, NH3)的结合能更高;结合能从高到低依次为 LiF > NH3 > H2O. 红外振动频率分析表明HF与NH3、H2O形成红移氢键,即 H-F键长增加, 相应的H-F伸缩振动频率降低. H3N…LiF的Li-F键键长增加同时伸缩振动频率减少. 而LiF与H2O形成锂键后，键长增加0.016 ?，而Li-F的伸缩振动频率反而增加了2 cm-1 , 即蓝移锂键.     

非正交定域分子轨道的研究(Ⅰ)─非正交定域分子轨道及其量子化学处理

本文应用投影算子方法，放弃了正变化条件的限制，成功地将ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２分子的正则分子轨道实现了最佳定域化。借助所定义的非正交定域分子轨道的伴基，对非正交定域分子轨道进行了量子化学处理，推导出具有加和特性的电子Ｆｏｃｋ能量及电荷密度分布公式．并计算了键轨道电荷，所得结果与杂化轨道理论结果一致，为在非正交定域分子轨道基集下，计算力学量算符的平均值和电荷分布，以及研究分子的化学键电子结构和分子光谱问题，提供了简易可行的方法。     

关于薄膜等厚干涉的两种描述方法

<正> 在当前的普通物理学及大学物理学教材中,对薄膜的等厚干涉描述方法有两种,第一种方法如图(1)所示。第二种方法如图(2)所示。