定向凝固固液界面温度场的探讨

针对定向疑固固液界面温度场方程T＝B1e^B2x B3r B4在运用过程中出现的初值问题，在深入探讨了参数Bi(i＝1，2，3，4)的物理意义后，引入控制条件，并采用先进的无约束最优化方法，解决了该问题．同时利用MATLAB强大的数值计算功能和可视化功能结合以上的讨论进行编程，有效地处理了实验结果，并得到了疑固参数Tc、V、G、R值．     

T(X)-Subpramart 和适应序列的a.s.收敛

引青设(口,.甄P)是一概率空间,(.乡几)。》:是少的上升子。一代数列,(.乡几)。》;的简单停时和有限停时全体。X~(叭,忆气)。):表示适应序列。T.和T分别表示 为叙述简洁常省去“。>1,,记号而把(乡气)。)1,(二。)。》,,(二,,.少几)。,;记成C气),(。,)和(二。尸乡二)。记 T(了)~{云〔T:E二,存在}定义适应序列X称为T(了卜subpramar七,若T(X)是定向集,且hm,uP_P(二,一刀(‘。!式)>8)一o,才〔T(万)t‘.e少,(尤〕VS)O;若X与一X~(一气,乡吸)均是T(x)一犯饰ramar七,则称X是T(了)一p1’amar七。若存在t0任T,V云。《,〔T,有:任T(X),则T(J卜…     

离子射程标度关系在多元素靶上的推广研究

作者首先将基于离子输运双群模型中,对轻离子在单元素靶上得到的离子Ｂｏｌｔｚｍａｎ方程与标度输运截面这个单一参量之间的关系,推广到重离子以及多元素靶的情形,再应用射程参数的标度关系对Ｂｉ和Ａｕ垂直入射的ＳｉＯ２靶上的情况,计算了相应的射程以及射程歧离,并与有关的实验数据进行了比较,以进一步检验这个标度关系。     

某型导弹导引头定向扫描技术

针对某型导弹导引头瞬时视场角较小的缺点,提出了定向扫描技术.对S形、Z形和分行螺旋式3种扫描图形进行了对比研究,在综合分析扫描周期和发现概率的基础上,选取了分行螺旋式扫描作为导引头的定向扫描方式;建立了角度预定回路的数学模型,并设计了模糊PID双模控制器;对角度预定回路的控制方法进行了仿真分析,并建立了导引头模糊PID双模控制的数学模型.模型仿真结果表明:模糊PID双模控制器具有超调量小、稳态精度高、响应时间短的优点,满足了系统要求,实现了导引头的定向扫描控制.     

Nd2-xCexCuO4-δ晶体的生长及性质

为了从电子型超导体的角度探求高温超导体的机理,采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了高质量的Nd2-xCexCuO4-δ单晶,并由X射线衍射和扫描电镜证明了晶体是高质量的单晶.用物性测量仪在0～9 T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线.结果显示,样品零场下零电阻转变温度约为21 K,在80～150 K范围,电阻随温度的变化关系可以用幂指数关系R(T)～T2来描述,但是在低温区表现出N型反常行为.在起始转变温度以下有一个很大的电阻突起峰,且受到磁场的抑制.晶体表现为类重费米子系统性质.样品特征温度为23.1 K.     

广东省高校定向越野运动开展状况的调查与分析

本文以广东省所属的47所高校为研究对象,对各高校定向越野运动的课程设置、教学内容、组织形式、师资结构、场地设施等方面进行全面的概括和总结,分析其存在的优势和急需解决的问题,以期为今后广东省高校定向越野运动的发展提供有益的参考。     

过冷熔体的定向凝固

提出了过冷单相合金的定向凝固问题,与常规定向凝固不同,这种定向凝固是在界面前负的温度梯度之下进行的,其进行的必要条件是热扩散作用在枝晶生长过程中处于主导地位,以Ｃｕ－３０％Ｎｉ的合金进行实验,在１０５～１５５Ｋ的过冷度范围内获得了定向凝固组织,实验结果同时表明,该定向凝固的最终组织为单晶体。     

Critical Pulling Velocity and Its Effect Factors during Continuous Unidirectional Solidification

通过对连续定向凝固过程的传热理论分析,建立了临界牵引速度与其相关因素之间的关系式。当喷水位置到固液界面距离Ｌ≤１０ｍｍ时,纯Ａｌ和Ａｌ－１％Ｃｕ合金计算结果与实验数据基本吻合。由此而确定的各种参数之间能够达到很好的相互匹配,可确保连续定向凝固的稳定进行。还通过分析各种因素对临界牵引速度的影响,提出了提高临界牵引速度的途径。     

电容近炸引信目标定向探测技术研究

为电容引信实现定向起爆控制提供理论技术基础。方法 利用３个等方位分布的电极阵列探测器获取目标方位信息,依据它对铸铁板的目标特性建立目标方位信号识别准则,信号处理采用ＤＳＰ技术。     

LaAlO_3/GaAs异质结界面的空穴导电行为分析

采用脉冲激光沉积方法在GaAs(001)单晶基片上生长LaAlO_3薄膜构成LaAlO_3/GaAs异质结,利用原子力显微镜和XRD对LaAlO_3/GaAs异质结进行表征,并通过PPMS对LaAlO_3/GaAs异质结进行面内电阻和霍尔电阻测试,研究其界面电输运性能。结果表明,LaAlO_3在GaAs表面生长均匀,LaAlO_3/GaAs异质结界面处存在空穴型的导电行为,且该空穴来源于界面处的悬空键效应。