依赖注入技术及其执行过程的形式化描述

依赖注入技术指由构件运行平台在运行期根据系统配置文件中定义的构件间的依赖关系，将被调用构件实例化，并注入到调用构件之中。本文在分析研究依赖注入技术的基础上，用完全格工具形式化地描述依赖注入的执行过程。     

简单图含有完全子图的一个充分条件

从生活中的一个问题出发,运用图论知识进行了分析,得到了结论,并且对结论进行了推广 得到了在一般情况下简单图含有完全子图的充分条件 并且,在度数要求方面,这个结果是最佳可能的     

弹性波时域仿真的两个问题

为了解决医学超声探测的动态计算机仿真问题，将计算电磁学的时域有限差分(FDTD)方法应用于弹性机械波的模拟．建立了模拟弹性波时的有限差分模型，给出了弹性媒质运动学方程的FDTD离散形式，提出了复杂媒质边界的处理方法，用完全匹配层吸收边界截断计算区域．数值实验验证了上述模型和计算方法的有效性．     

关于图的Ramsey数的几个下界

推广了3个C4对完全图的R am sey数下界以及一个经典R am sey数下界问题,得到了3个C4对完全图的R am sey数的线性下界,以及一个关于多项式的经典R am sey数下界.     

用光谱和EPR谱确定CsMgCl3:Ni2+和CsCdCl3:Ni2+的局域结构

采用半自洽场（semi-SCF）自由Ni^2＋的3d轨道波函数、点电荷-偶极子模型和Ni^2＋-6X-（X=F,Cl,Br,I）络合物的μ-κ-α模型,建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系,利用完全对角化方法,由光谱和电子顺磁共振（EPR）谱,确定了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体在77K温度时的Ni^2＋占位和局域结构参数,统一解释了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体的结构、光谱和EPR谱.此外,还讨论了高阶微扰方法、参量拟合方法等问题.所得理论结果与实验值符合得很好.     

Π-凝聚环的推广

首先给出了AF 环的概念并列举了AF 环的一些性质与特征,证明了在AF 环上,IF 环与自FP 内射环是等价的,最后讨论了AF 环在对偶理论中的重要性.特别地,证明了若环R是一个自FP 内射的右AF 环,则R是QF环当且仅当R是一个左完全环.     

关于平方补数的k次均值

研究了α(n)的k次均值的分布性质，并给出两个渐近公式。     

群为完全群的一个充要条件

一个群为完全群，而当它是另一个群的正规子群时，则必为其直因子，反之成立否，马元达（1982）对有限群的情况进行了证明，该文推广到一般群。     

矩形排列的优化算法

研究了矩形排列的问题，提出了一种矩形排列问题的新方法。并在此基础上建立了实现该方法相应的优化算法。     

完全聚焦作用与测试屏幕上亮区的形成机理

证明了与测试屏幕上B点和C点相对应的灯丝上的起亮点为完全聚焦点，指出了在仅考虑完全聚焦效应的前提下，不在焦点的灯丝上的点光源所发出的光线，经过旋转抛物面的反射，于测试屏幕上相应地形成由两条曲线所组成的桃形入射轨线。分析结果还表明，以组成桃形入射轨线的两条曲线为中心，在测试屏幕上分别形成两条距离很近的亮带。利用此结论，可以知道，随着灯丝的变长，亮带不断外推，从而在测试屏幕上形成连续的亮区，这比较清楚地解释了测试屏幕上桃形亮区的形成机理。