单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

带存储的系统的可靠性研究综述

系统可靠性是度量各个系统服务质量的重要指标之一,其可靠性得到越来越多的学者关注。首先总结了带存储的系统在排队系统、制造系统、生产系统、生产库存系统、能源存储系统等不同研究类型中的研究热点;然后利用Citespace软件对不同研究类型中的关键词进行分析,得出目前关键词主要的聚类单元为预防性维护、负荷波动率、任务成功概率等;最后根据目前的研究情况说明了现有研究的主要问题,并给出了研究展望。     

吉位规模DRAM的发展和挑战

本文从工艺技术,单元结构,单元阵列及电路设计方面讨论了吉位规模ＤＲＡＭ的发展和面临的挑战;并展望了嵌入式ＤＲＡＭ的发展。