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随着数字技术的飞速发展,数据采集、数据处理在很多领域得到广泛应用,对大容量的数据存贮提出了更高的要求.该文完成了基于DSP2812数据采集系统的大容量存储单元的设计,利用DSP2812的A/D功能完成数据采集,设计DSP2812与CF卡接口电路,对CF卡进行基本的扇区读写,完成采样数据的大容量存储. 相似文献
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相变随机存储器存储单元结构设计 总被引:1,自引:1,他引:0
为改善写信息脉冲电流过高而制约相变随机存储器实用化的状况,根据自下而上、边缘接触式存储单元结构的特点,建立了存储单元脉冲电流写信息的二维仿真模型,用有限无法解电、热传导微分方程模拟了存储单元的温度分布.结果证实,边缘接触式结构具有更低的写信息脉冲电流,是降低相变随机存储器写信息脉冲电流幅值的一种有效存储单元结构. 相似文献
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现实世界中的任何数据,包括数值型数据、非数值型数据,在计算机内存中的存储与处理都是以二进制形式进行的。弄清楚各种类型数据在计算机内的存储与处理形式,对计算机专业学生了解计算机系统底层的工作原理和数据处理机制具有重要的意义。本文设计了几个实验对数值型数据,(包括正、负整数,浮点型与双精度型实数,非数值型数据)的编码以及存储方式进行了详细研究,并通过C语言进行了验证。 相似文献
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提出一款可以工作在极低电源电压条件下,功耗极低的亚阈值SRAM存储单元.为使本设计在极低电源电压(200 mV)条件下依然能够保持足够的鲁棒性,采用差分读出方式和可配置的操作模式.为极大限度地降低电路功耗,采用自适应泄漏电流切断机制,该机制在不提高动态功耗与不增加性能损失的前提下,可同时降低动态操作(读/写操作)和静态操作时的泄漏电流.基于IBM 130 nm工艺,实现了一款256×32 bit大小的存储阵列.测试结果表明,该存储阵列可以在200 mV电源电压条件下正常工作,功耗(包括动态功耗和静态功耗)仅0.13μW,为常规六管存储单元功耗的1.16%. 相似文献
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介绍了利用可编程逻辑器件实现高速8位ALU的算术运算单元的设计方法,并且给出了算术运算单元的项层原理图和用VHDL语言编写其子模块的程序. 相似文献
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甲乙类电流记忆单元中电荷注入误差的消除 总被引:1,自引:0,他引:1
针对电流存储单元电路中存在的电荷注入误差,提出一种新的注入误差消除方法,该方法能够消除由电荷注入效应引起的输入信号相关误差及直流偏置.设计了一种具有极低电荷注入误差的甲乙类开关电流存储单元电路.采用上华半导体有限公司(CSMC)的5 V,0.6 μm双层多晶双层金属互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺对存储单元进行设计.模拟结果表明:改进后的存储单元可工作在2.5~5 V电压条件下;在输入频率为500 kHz,幅度为50 Μa正弦电流,采样信号频率10 MHz条件下,输出电流的误差仅为未采用补偿方案的单元电路误差电流的0.212 %,同常用的伪MOS开关补偿方法相比,误差电流减小了85.5 %. 相似文献
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<正>一、引言RSA公钥密码体制是由麻省理工学院的Ron Divest,Adi Shamir和Leonard lAdleman于1976年提出,1978年正式发表的一种可将加密密钥公开的密码体制。RSA密码体制从提出到现在经受住了多年深入的密码分析的考验,已逐步走向成熟,被越来越多的人所接 相似文献
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