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71.
在分析钻头轴承系统工件条件的基础上,提出了钻头轴承材料应其备的基本性能。通过对国产新型耐磨材料的物理机械性能的分析,模拟钻井工况的材料磨损对比试验的研究,以及与新材料相适应的轴承结构的设计分析,本文得出:与现有金属轴承相比,各种超硬材料的轴承均能更好地适应钻头的工况,其中尤以人造聚晶金刚石耐磨型最好,结构合理、加工性好,能充分发挥新材料性能优势的材料复合型轴承将会成为未来钻头轴承的最佳竞争者。  相似文献   
72.
麻花钻钻孔痕迹检验是工痕检验研究中的重点课题,本文根据麻花钻钻孔的基础原理和理化现象,对多方面客观因素引起钻孔痕迹的变异进行了探讨。  相似文献   
73.
本文利用人工神经网络(ANN)的非线形识别及预测功能,对黑龙江省洪水灾害的主要孕灾因子的组合效应进行定量分析。  相似文献   
74.
高岩 《科技资讯》2013,(25):117-118
利用专门设计的井底增压器以及双流道PDC钻头,以实现井底增压喷射钻井的目的.试验表明:研制的井底增压器结构简单、原 理可行、工作可靠,输出压力可达60 MPa以上,且其性能参数可调;机械钻速提高124%,为进一步优化与完善井底增压器与双流道PDC钻头取得了宝贵的第一手资料.  相似文献   
75.
为解决引射式反循环钻头在裂隙地层反循环不足问题,基于人造龙卷风的诱发机理,设计旋风式反循环钻头。应用计算流体动力学方法(CFD)对旋风钻头孔底气固流场进行数值模拟,并进一步对比引射钻头与旋风钻头的反循环能力。研究结果表明:旋风钻头钻进过程中,中心通道内的上升旋流对孔底气相流体产生抽吸作用,同时孔底岩屑随气流由钻孔底面上升进入中心通道,形成反循环。与引射钻头相比,旋风钻头在裂隙地层的反循环能力更强,其中心通道内气相流体的最低压力小于-8 kPa、最大流速超过100 m/s,整体携岩效率高于95%,该型钻头可以解决裂隙地层反循环不足问题。  相似文献   
76.
激光诱发巴基管向金刚石的相转变   总被引:1,自引:0,他引:1  
金刚石由于其超高的硬度,已逐渐成为切削、抗磨等方面的首选材料.C_(60)发现后,已有利用冲击法将其转变成金刚石的报道,巴基管与C_(60)结构上类似,但它相对于C_(60)来讲,成本低、容易大量生产,因此更有可能进入工程应用.目前,利用巴基管作为衬底,通过化学气相沉积的方法已生长出良好的金刚石薄膜,并使金刚石的成核和生长速率大为提高.同时,巴基管在高温高压下合成金刚石的研究工作也取得了可喜的进展 本文以球墨铸铁为基体,以巴基管为涂层,通过激光熔凝和后续热处理的方法,在铁-碳合金体系中获得了微米尺寸的金刚石晶粒.  相似文献   
77.
金刚石中流体包裹体的研究   总被引:21,自引:1,他引:21  
郑建平 《科学通报》1994,39(3):253-253
金刚石中包裹体的研究涉及金刚石成因和地幔岩石圈性质及演化等重大问题.前人把在金刚石中找到的矿物包裹体分为橄榄岩型(P型)和榴辉岩型(E型),近年来在金刚石中又相继发现MARID、巨晶组、复杂岩石包裹体组合、石盐和高钾高氯包裹体.Navon等和Martin在博茨瓦纳和扎伊尔的立方体金刚石中及包壳金刚石的包壳中发现了显微流体包裹体,并分析了其流体组分,该流体代表了这种金刚石生长环境中的流体介质性质.流体包裹体的发现,更把金刚石包裹体和地幔流体相物质研究联系起来,引起广大国内外学者的关  相似文献   
78.
金刚石中的分子氢   总被引:18,自引:2,他引:18  
陈丰 《科学通报》1994,39(15):1403-1403
高压下分子氢的相变是80年代高压物理和高压化学的热门课题.但是,地球深部是否存在分子氢仍是巨大的悬案.对此,本文将提供最近的研究成果.继发现含钾、钠和铜等氯化物金刚石包体之后,作者在辽宁金刚石中发现了分子氢的拉曼谱峰.该金刚石无色、菱形十二面体.吸收光谱测定吸收限为300nm,属Ia型金刚石.  相似文献   
79.
外墙饰面砖在建筑工程中,不仅可以美化外观易于清洁、而且可保护主体结构防止在室外各种环境因素作用下对耐久性、防止侵蚀、弥补和改善结构在功能上的不足。但是由于各种原因,在使用中后会出现脱落的现象,如何提高饰面砖的镶贴质量,防止饰面砖脱落。应从以下几个方面入手,可能会收到较好的效果。  相似文献   
80.
Si和Mo基片上气相生长金刚石薄膜的界面状态研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
毛友德 《科学通报》1993,38(11):986-986
在低压气相生长金刚石薄膜中,金刚石薄膜与基片间的界面状态是一个十分重要的问题,它不仅与金刚石在异质基片上的成核、生长机理有密切关系,而且在很大程度上决定着金刚石薄膜与基片的粘附性能.近几年来,人们首先较多地研究了单晶Si基片生长金刚石薄膜中的界面状态,认为在金刚石薄膜与Si基片之间存在着一个界面层或过渡层,其主要成分是β-SiC.但也有人认为不存在界面层,金刚石是在Si表面直接生长的.其它基片上生长金刚石薄膜的界面状态也曾见报道.  相似文献   
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