含铂准一维卤素桥接混合价络合物(HMPC’S)中的电子——晶格耦合

本文详细研究了含铂准一维卤素桥接混合价络舍物(HMPCS)中电子——晶格(e—p)耦合的对角部分和非对角部分对极化子结合能的影响,证实了在这类物质中,e—p耦合的对角部分是主要的,与实验事实符合。图2,参10。     

用原子力显微镜研究经化学腐蚀和氧退火的SrTiO3(001)基片

用原子力显微镜(AFM), 采用缓冲HF酸溶液(NH4F-buffered)腐蚀和氧气氛退火处理的SrTiO₃ (001) (STO)基片, 获得了表面具有单原胞层高度台阶和原子尺度光滑表面的STO基片. 对于优质单晶的STO基片, 其表面为TiO₂层, 对于单晶质量差和有缺陷的STO基片, 可观测到基片表面的缺陷和不均匀性.     

半导体缺陷的研究进展

第10届“半导体中扩展缺陷”国际学术会议于2004年9月12日在俄罗斯莫斯科举行，共有150多名代表参加。会议主席是著名硅晶体位错研究专家、俄罗斯科学院固体物理研究所所长V．Kvedel（克维德）教授，会议国际顾问委员会由著名半导体材料与物理专家Pizzini、Cavanili、Jones等教授组成。     

厚度对多孔PTFE/PE/PP驻极体电荷储存稳定性的影响

研究由不同厚度多孔聚四氟乙烯(PTFE)组成的多孔PTFE/聚乙烯(PE)/聚丙烯(PP)驻极体的电荷储存稳定性.通过热融法和电晕充电技术将多孔PTFE,PE,PP复合膜制备成驻极体,并采用等温表面电位衰减测量、电荷TSD和扫描电子显微镜研究多孔PTFE/PE/PP驻极体的电荷储存稳定性.结果表明:较厚的多孔PTFE组成的多孔PTFE/PE/PP驻极体在低温区呈现出较好的电荷储存能力;多孔PTFE的孔洞越多,由其组成的多孔PTFE/PE/PP驻极体在高温区的电荷储存能力越强;在高湿环境下,多孔PTFE/PE/PP驻极体比多孔PTFE驻极体显示出更好的电荷储存稳定性.     

220kV主变串联电抗器保护设计缺陷的改进方案

作为一座降压变电站 ,其变压器低压侧串联一台分裂电抗器运行的情况并不多见 .设计部门在对此特殊案例的继电保护的设计当中 ,产生了一些疏漏 .文中对这一实际工作中出现的情况 ,从继电保护的基本原理入手 ,详细分析了主变电抗器保护设计中存在的缺陷 ,提出了几种消除隐患的实施方案 ,同时对每种方案的利弊进行了研究探讨 .并根据实际情况 ,初步给出了结论 .     

注氢(111)硅片高温退火后形成的二次缺陷

硅材料与氢的相互作用是影响其结构完整性的重要方面．高分辨电子显微术被用于研究注氢硅片高温退火时形成的二次缺陷．实验发现高温退火如低温退火处理一样会导致(111)注氢硅片中出现裂纹，但不同之处在于裂纹的下部还有大量的位错发射，而且有些裂纹并未完全裂开，表现为非晶带．另外，高温退火还导致空腔的出现，空腔呈截角八面体形状，以{111}和{100}面为内表面，可以有非晶状的内壁．空腔平行于正表面成串状排布．空腔间有位错带与之相连。     

热处理缺陷的产生及其防范研究

热处理缺陷易导致产品报废或发生事故,其原因除原材料问题外,零件结构不合理、机械加工不当等也将引发热处理缺陷.避免此类缺陷的有效办法是改变零件的应力状态,减小应力集中.     

一维光子晶体本征模频率

利用传输矩阵法,严格推导出了一维光子晶体中的本征模频率方程,该本征模频率也就是缺陷模频率,它依赖于缺陷材料的光学常数、大小以及缺陷的类型;不同类型的缺陷会导致其相应的能级类型发生变化.     

顺层边坡岩体初始后屈曲性态及其缺陷敏感性

应用Koiter的初始后屈曲理论，视作用于顺层边坡岩体结构上的法向分力为初始缺陷，以探讨非完善系统的不稳定性。给出了边坡岩体分叉点附近的邻域，建立了一般情形下边坡岩体分叉点的平衡构形判据，以及后屈曲平衡路径和后屈曲平衡构形的稳点性准则。证实了结构初始缺陷对屈曲的影响与突变理论在揭示结构，临界平衡性态时的一致性。提供了一定条件下确定非完善结构位移场的一种方法。     

铁路车辆轴承滚子表面缺陷微机检测系统探讨

提出了应用误差分离理论对铁路车辆轴承滚子表面缺陷进行涡流无损检测的新方法和新技术,基于该理论建立了提取轴承滚子表面缺陷信息的数学模型,并以此为理论依据,设计了铁路车辆轴承滚子表面缺陷及形状和尺寸误差微机检测系统。从实验结果中可以看出：被测工件表面的缺陷信息被明显地提取出来,从而验证了系统的正确性。