τ-余弱补模

设τ∈R-tors.模M的子模N称为τ-余有限的,如果商模M/N是τ-有限生成模.模M称为τ-余弱补模,如果对M的每一个τ-余有限子模都有τ-稠密弱补.主要证明了:τ-余弱补模类是同态像封闭的模类,当R是τ-noether环时,τ-余弱补模的直和是τ-余弱补模.并给出τ-极大子模的概念,且利用它给出τ-余弱补模的刻划.     

相关于挠理论的π－平坦模

设Ｒ是有单位元的结合环，ＵＲ表示一个固定的平坦右Ｒ－模．文［１］中，Ｋｏｏ－Ｇｕａｎｃｈｏｏ给出了π－ｆｌａｔ平坦右Ｒ－模的另一种刻划；文［２］中又研究了ＲΩ是有限τ－平坦右Ｒ－模的环类，Ω是任意集合．本文的主要目的是给出相关于挠理论τ的π－ｆｌａｔ平坦右Ｒ－模的刻划，从而推广了［１］的定理３．１．     

关于τ_p-余本质子模

给出了τ_p—余本质子模等概念,研究了τ_p—余本质子模与自同态环的关系以及τ_p—闭子模与τ_p—补子模的关系.     

模上的L-Fuzzy子模

本文给出模M上L-Fuzzy子模的定义,得到了L-Fuzzy子模的几个充分必要条件,并初步探讨了L-Fuzzy子模的一些性质。     

相对Semicocritical模

TatswoIzawa曾给出了相对Noetherian条件、相对Artinian条件及相对co-criti-cal模的概念,研究了相对合成列,用同调代数的方法,对链条件和相对链条件进行了讨论,得到了模为相对Semicocritical模的充要条件     

Schubert—子模的诱导生成

介绍了函子Ｄ的性质，并证明了Ｄａｉ（Ｖｗ）＝Ｖｒｉｗ。     

光学支声子模对谱线热增宽的影响

本文研究发现光学支声子模对谱线热增宽有一定影响。尤其随着温度升高，光不支对热增宽贡献愈加明显。本文从理论上推导出光学支项的计算公式，然后全面考虑多学支和光学支对ＭｇＯ２：Ｃｒ＾３＋Ｒ线热增宽的贡献，并进行拟合计算，计算结果与实验结果符合很好。     

一种CESS-环的研究

该文研究了Ω =RM0S (M是左R -模 ,右S -模 ,R ,S都是有单位元的环 )是CESS -环的条件 ,证明了 :若Ω是左CESS -环 ,则R是左CESS -环。该文还证明了 :设Ω是左CESS -环 ,若Q≤RR ,SocQ≤eQ ,则对任意同态Φ :Q→M ,都有同态映射Ψ :R→M ,使得Φ =ιψ。     

Bass环与分次Bass环

引进并刻划了分次Bass环,讨论了分次环R及由它导出的非分次环R,Re,R#G之间的Bass环性质的关系,得到在有限群G－型强分次环（|G|是R的逆元,e是G的单位元）的条件下,R,Re,R#G与分次环R在Bass环性质上是一致的。     

上有限I-补模

设R是环,M是环R上的左模,I是R的理想.称M为上有限I-补模,若对于M的任意上有限子模X,存在M的子模Y,使得X+Y=M,X∩YIY且X∩Y在Y中是PSD的.该定义推广了I-补模.并给出了上有限I-补模的一些性质.