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221.
高浓度甲醛废气的生物法处理实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以轻质陶块为填料,探讨了生物膜填料塔净化处理高浓度甲醛的生物降解性能及操作条件改变对净化效果的影响.实验结果表明:废气中甲醛质量浓度在50~220 mg/m3范围时,生物膜填料塔对甲醛具有较强的降解能力,净化效率均在93%以上;当甲醛进口质量浓度为200 mg/m3左右时达到塔内生物膜中微生物群体对甲醛废气的最大生化降解能力.操作条件的改变对甲醛废气的净化效果有一定影响,实验生物膜填料塔在气体流量200 L/h,循环液流量20 L/h时有最佳净化性能. 相似文献
222.
结合某高层综合住宅楼工程实例,介绍了钢丝网架水泥岩棉夹芯墙板的性能、特点、构造及施工工艺,对施工要点、注意事项及质量要求进行了详细说明。实践证明,钢丝网架水泥岩棉夹芯墙板具有质量轻、隔音、隔热、保温、防火、无辐射等性能,使用安全环保,施工方便,能增大使用空间,降低综合成本,抗震性能好。 相似文献
223.
本文利用示踪法对高T[O]条件下钢中夹杂物的来源及特点进行研究.结果表明:正常浇注条件下,钢水一次脱氧不彻底,钢中T[O]高,造成钢中氧化物夹杂含量高,铸坯内大型非金属夹杂物主要来源于脱氧产物.吨钢钢液面积大对钢质量不利,宜减小吨钢的钢液面积.显微夹杂总体积率为0.15%,各类夹杂占显微夹杂总量的比例为:硅钙酸盐夹杂55.4%,硅铝酸盐夹杂34.4%,硫化物夹杂10.2%. 相似文献
224.
厌氧氨氧化滤池中pH值与基质去除的相关性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以生物滤池为反应器,考察了厌氧氨氧化滤池的pH值与基质去除的变化规律.试验结果表明,pH值随滤层的加深而变化,在pH=7.58时,变化趋势较缓慢;pH>7.58时,pH值变化幅度较大,氨氮和亚硝酸盐氮的平均去除负荷较高,分别为0.97 kg/(m3·d)、1.06 kg/(m3·d);而pH<7.58时,pH值是先下降后上升,氨氮和亚硝酸盐氮的平均去除负荷较低,分别为0.56 kg/(m3·d)、0.73 kg/(m3·d).在pH=7.98时去除负荷达到最大,去除负荷分别为1.42 kg/(m3·d)、1.84 kg/(m3·d). 相似文献
225.
铝盐和铁盐在长江水源浊度去除中的混凝效果比较 总被引:5,自引:0,他引:5
艾德亥姆 《河海大学学报(自然科学版)》2001,29(2):114-118
以长江下游水为源水,通过一系列烧杯搅拌试验,研究聚合助凝剂对混凝效果的影响及其相对于金属盐混凝剂的投加时间,以期取得具有最大浊度去除率和最水残留铝离子浓度的最佳混凝剂投加量。 相似文献
226.
非接触化学机械抛光的材料去除模型 总被引:2,自引:0,他引:2
探讨了化学机械抛光中抛光垫和晶片处于非接触状态下的材料去除机理, 认为磨粒对材料的去除贡献主要是通过犁削作用而实现的. 并在此基础上发展了一个用来预测抛光垫和晶片处于非接触状态下材料去除率(MRR)的新模型. 通过与实验数据的比较, 该模型对非接触状态下MRR的变化有较好的预测效果. 模型的数值模拟表明: 晶片的相对速度u与流体黏度h是影响非接触状态下MRR的最主要的两个因素; 晶片所受载荷wz的变化对MRR也有影响, 但影响的效果和相对速度与流体黏度相比不明显; 当磨粒半径r≤50 nm时, 可以忽略磨粒尺寸的变化对MRR的影响. 相似文献
227.
四氧化三铁吸附包埋固定辣根过氧化物酶及其应用 总被引:7,自引:0,他引:7
建立了Fe3O4吸附包埋固定辣根过氧化物酶,并与明胶、开孔明胶、海藻酸钠3种不同的固定化方法载体进行了比较,发现该固定化方法具有较高的固定效率。对固定化酶与自由酶的稳定性进行了比较,发现Fe3O4吸附包埋固定化HRP的稳定性高于其他固定化HRP和自由酶。此外,测定了不同戊二醛浓度、交联时间、给酶量、Fe3O4使用量及明胶浓度对
辣根过氧化物酶固定效果的影响。结果表明,固定化反应的最佳条件如下:最佳给酶量与Fe3O4用量比例约为95u HRP/g Fe3O4,最佳Fe3O4用量与凝胶比例为1.0g
Fe3O4/10mL 10%~20%,最适戊二醛浓度和交联时间分别为0.5%和30min。在此条件下制备的辣根过氧化物酶
活性约为1.1u/g,酶活固定率约为15%。该固定化酶重复应用于PCP催化去除反应,可获得稳定的PCP去除率。 相似文献
228.
棉纤维长度测试钩夹取样法研究 总被引:5,自引:1,他引:4
在微量点取样的研究基础上,进一步探讨了取样器从“均匀分布散纤维”中取样时其夹持宽度及取样角度对纤维照影机曲线的影响,分析了取样影响因素,根据研究结果得到了理想试样的取样要求,据此提出一种钩夹取样方法并通过实验说明这种方法具有可行性。 相似文献
229.
超精密表面抛光材料去除机理研究进展 总被引:15,自引:2,他引:15
化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing, 简称 CMP)是目前提供全局平面化最理想的技术, 在超精密表面加工领域得到了大量研究和应用. 概述了超大规模集成电路(Ultra-large Scale Integration, 简称ULSI)多层布线中硅片、介电层和金属材料以及磁头/硬盘片化学机械抛光材料去除机理的研究现状和发展趋势, 重点评述了化学机械抛光过程中抛光液研磨颗粒与抛光片表面间相互作用机制, 并提出了材料去除机理的研究方法. 相似文献
230.
电子射线电子洗涤工艺研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
为了满足发达的工业对能源的需求,电站不断增多.电站在生产电能的同时,排放出大且含SO_2、NO_x的有害气体.为了减少电站排放的气体对大气的污染,需对SO_2、NO_x进行处理.目前较先进的电子射线气体洗涤方法.可在燃烧后的烟道气体中同时去除 SO_2和NO_x. 相似文献