汽车防盗系统读写器的设计

读写器是RFID系统中重要的组成部分,是读取或写入电子标签信息的设备,具有读取、显示和数据处理等功能。读写器可以单独存在,也可以部件的形式嵌入到其他系统中。读写器与计算机网络一起,完成对电子标签的操作。本文提出了基于U2270B射频芯片与MCU控制模块组成的读写器,可以以非接触,无视觉,高可靠的方式传递特定的识别信息,有效试用于汽车防盗装置。     

大功率设备软启动的方式及优缺点比较

本文简要介绍了大功率设备软启动的几种常见方式,固态软启动、液态软启动、采用液力耦合器的软启动技术及其优缺点比较。着重介绍了三相晶闸管电子软启动技术的工作原理,结构特点,并通过应用实例说明了软启动的可行性和必要性。     

大功率永磁同步电动机研究

介绍一种由嵌入式带磁阻支持的径向高性能磁钢结构LPMR大功率永磁同步电动机,采用相复励分流励磁原理,配以THYR IPAR T励磁系统,具备良好的冷却效果,过载能力高、转动惯量低,起动性能好,可满足大的起动转矩、最大转矩倍数和低速直接驱动的需求,并能在较大的负载变动范围内始终保持高效运行,使电机具有很高的动态性能。电机防护等级为IP54,可满足用户在各种环境下的使用要求。研究结果为降低系统能量损失,保护用电设备,合理设计参数提供了可靠的依据。     

大功率暖白光LED用Dy:BGSO单晶的生长及其发光性能

采用坩埚下降法成功生长出共掺Dy~(3+)和Ge~(4+)的硅酸铋(BSO)单晶,其中Dy~(3+)和Ge~(4+)的摩尔分数分别为1%和3%,其直径为2.54 cm(1 in),长度达8 cm,外观无色透明,无包裹物和裂纹等缺陷,表明共掺入Dy~(3+)和Ge~(4+)能够有效改善BSO晶体的偏析现象;双摇摆曲线半峰全宽为24″表明晶体具有较高的结晶质量.Dy:BGSO晶体的荧光光谱包含Bi~(3+)和Dy~(3+)的特征峰,Bi~(3+)吸收的能量能够传递给Dy~(3+).色坐标和色谱计算结果表明,其在多种波长的紫外光激发下均可以发射暖白光.该晶体在365 nm紫外光灯辐照下的实际发光效果说明,其能够高效率、360°全方位立体发射肉眼可见的明亮暖白光.故Dy:BGSO单晶是一种可用于大功率LED器件的候选荧光单晶材料.     

RFID技术与物联网

近年来,沸沸扬扬的物联网概念开始进入人们的视野。本文从物联网的基本技术RFID着手,详细介绍了RFID系统的基本组成,工作原理,典型应用,物联网的概念和结构以及在从传统的RFID系统过渡到物联网的过程中,引入新的概念：EPC编码,UID编码和中间件。     

基于ZigBee技术的射频识别读写器网络的构建

采用ZigBee技术的树型网络拓扑用构建一个基于ZigBee技术的射频识别（RFID）读写器网络。该网络将RFID读写器以AdHoc的方式连接起来,构建RFID读写器网络,使得读写器能更加高效、快速、准确地获得标签上的信息,有效地提高系统的性能。     

808nm大功率半导体激光器的低频电噪声

对８０８ｎｍ大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试,给出哭喊件电噪声与频率、注入电流之间关系,讨论噪声与电、光导数之间的关系。结果表明,８０８ｎｍ大功率半导体激光器的电器材怕在低频段主要１／ｆ噪工在阈值附近有最大值。     

斯特林型脉管制冷机中的回热器温度不均匀性研究

回热器是脉管制冷机和热声热机中的最关键部件之一. 当回热器由中小功率放大到大功率时, 其内垂直于声传播方向的热力和水力联系变弱. 在这种情况下, 任何的非对称因素都可能在制冷机或发动机的回热器内引发严重的不稳定性问题, 从而降低制冷机或发动机的性能. 对一台大功率二级热耦合U型斯特林脉管制冷机进行了实验研究, 通过对中间换热器和回热器周向温度分布进行测量, 发现了一种由级间预冷不对称性引起的回热器温度不均匀性. 观察发现, 回热器周向的温度不均匀性源于第二级回热器的中间换热器, 之后, 这个温度不均匀性在回热器中以内部直流的形式自行放大, 最大径向温差可达30~40 K. 在对第一级冷头外加热负荷并逐步增大热负荷直至把第一级的预冷效应转变为加热效应的过程中, 回热器内的温度不均性逐渐变弱, 最后其方向发生逆转. 本研究证明了在大功率回热式热机中保持换热器加热或冷却作用周向均一的重要性.     

大功率半导体激光器恒温系统

采用半导体制冷和风冷混合制冷的方式对大功率半导体激光器进行恒温工作控制.通过实验研究半导体激光器的工作温度保持在45℃以内,控温精度在±0.1℃的状态下稳定工作,半导体激光器输出功率达到15.28W.     

纳米银膏增强大功率LED器件散热性能研究

为了解决大功率发光二极管(LED)散热效率低、可靠性差等问题,提出将无压烧结纳米银膏作为芯片固晶材料,应用于大功率发光二极管封装．对纳米银膏的热学行为及烧结后的晶体结构进行了表征,分析了烧结温度对电阻率和孔隙率的影响．利用纳米银膏封装大功率发光二极管,分析了不同固晶温度下发光二极管器件热阻及其结温变化,并与传统锡膏材料进行了对比．结果表明：随着固晶温度升高,纳米银膏的导电性和导热性逐渐提高．纳米银膏在200℃烧结后的电阻率为6.49μΩ·cm,界面孔隙率为11.5%,封装后的大功率发光二极管样品固晶层热阻为7.45 K/W,比采用SAC305和Sn₄₂Bi₅₈焊膏封装的发光二极管样品固晶层热阻分别降低15.4%和28.9%,芯片结温则分别降低2.9%和21.2%．此外,实验还测试了三种发光二极管封装样品的出光功率和工作温度,结果表明纳米银膏作为芯片固晶材料可为大功率发光二极管提供良好的散热通道,降低芯片结温并提高器件可靠性．