基于多β晶体管的高速逻辑门

1 多β晶体管与线性与或门在开发高速硅集成电路的努力中,人们把注意力放在双极型集成电路上.双极型晶体管不仅由于其结电容较小而适合于高速工作,而且pn结的单向导通特性赋予它的发射结具有很强的逻辑功能.例如,TTL电路中的多射极输入管可方便地用于输入信号之相“与”,而ECL电路中的射极输出则可简单地用线接方式实现多个输出信号的相“或”.属于ECL电路变型的EFL电路则是充分利用发射极逻辑功能的典型,它的结构如图1(a)所示.图中输入管T_i的     

晶体管H参数等效电路与混合π等效电路

本文用晶体管低频H参数的模式,采用电路理论中的密勒定理对高频等效电路进行简化,从而获得较简单的混合π参数等效电路,使高频电子线路中的计算简便化.     

科技短讯

计算机虚拟技术治疗 精神分裂症 澳大利亚昆士兰大学的科学家研制成一套虚拟治疗设备,它能用来治疗精神分裂症患者。在确定患者的幻觉特点和内容之后,医生会模拟出一种患者熟悉的现实环境。在建立环境的视觉和声音背景时,它们能使患者感觉到处在一定的环境中。这项研究计划负责人指出,这套设备能帮助医生和患者亲属更好地了解患有这种心理疾病的人身上     

有机场效应晶体管研究和应用进展

近两年来，以有机聚合物和小分子为半导体材料的有机场效应晶体管取得了突破性的进展，其性能已能与无定形硅器件相媲美。概述了作为有机场效应晶体管的有机半导体材料研究状况，以及几种目前最有发展潜力的有机场效应管制备技术，并扼要介绍了有机场效应晶体管在各个领域中的最新应用。     

短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型

本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.     

逆变晶体管电源的自诊断功能

本文针对晶体管逆变弧焊电源的微机系统论述了其硬件的自检功能实现方法及软件设计，并给出了硬件自检程序流程图。同时，对系统软件故障检测及恢复做了初步讨论。     

改进型大功率晶体管自保护驱动器

本文在分析大功率晶体管过电流保护技术的基础上,提出一种新型大功率晶体管自保护驱动器。它在功率晶体管直通和输出短路情况下,自行关断晶体管,没有保护死区,实现了可靠的过流快速保护     

贝尔实验室探秘

贝尔实验室建立70多年来, 几乎一直是美国首屈一指的企业研发机构,它曾经研制出晶体管、激光器、太阳能电池和第一颗通讯卫星,发明了有声电影,创立了射电天文学并为“大爆炸”宇宙创生学说提供了重要依据。原先有人担心贝尔实验室在失去其母公司(美国电话电报公司)提供的巨大财源后,可能会沦落为一个默默无闻的工业研究与发展机构。然而,在今天新泽西州北部贝尔实验室的总部生机盎然的景象,打消了人们这种疑虑。     

新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

研制了一种新模式的半导体场效应晶体第－－垂直沟道的偶载场效应晶体管（VDCFET），这种结构可以避免现有光刻技术的制约，使用常规的半导体双极晶体管工艺，既可把有效沟道长度减短，大大提高器件的速度，又可将电源电压降低到小于1V，大幅度降低功耗，改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想，并给出了器件特性的测量结果。     

新型大功率氧化物导电陶瓷

介绍一种新型大功率氧化物导电陶瓷．该陶瓷是以六角密堆（ＨＣＰ）结构的ＺｎＯ为主要原料，添加少量杂质，采用电子陶瓷工艺研制而成．研究了陶瓷材料的差热分析（ＤＴＡ）及扫描电子显微结构．测量了瓷体的电阻率．