在大功率应用时IGBT和IGCT的选择

在不同的应用领域，由于较大的功率和较高的频率冲击，对半导体器件的要求有很多情况下是矛盾的，因而单一器件无法解决这一矛盾。尽管过去和今后的器件类型很多，但今后的开关器件在600V以上的场合应用时，无外乎两三种：IGBT,IGCT和GTO。     

Low power and high speed explicit-pulsed double-edge triggered level converting flip-flop

Variable supply voltage-clustered voltage scaling (VS-CVS) scheme can be very effective in reducing power consumption of CMOS circuits without degrading system performance. Level converting flip-flops (LCFFs) are key elements in the CVS scheme. In this paper, a new explicit-pulsed double-edge triggered level converting flip-flop (nEP-DET-LCFF) is proposed, which employs double-edge triggering technique, dynamic structure, explicit pulse generator,conditional discharge technique and proper arrangement of stacked nMOS transistors to efficiently perform latching and level converting functions simultaneously. The proposed nEP-DET-LCFF combines merits of both conventional explicit-LCFFs and implicit-LCFFs. Simulation shows the proposed nEP-DET-LCFF has improvement of 19.2%～46% in delay, and 19.4%～52.9% in power-delay product (PDP) as compared with the published LCFFs.     

动态点击

神奇"分子足球"在宇宙空间漂游近日,科学家通过美国宇航局红外线空间望远镜探测到布基球形成的固体颗粒,而布基球的来历由著名的美国建筑师理查德·巴克明斯特·富勒的名字命名。由于当时科学家发现,60个碳原子通过碳碳双键连接,形成了球状结构,这与里查德福勒提出的多面体     

科技要闻

建立检测单碱基多态性方法中国科学院长春应用化学研究所电分析化学国家重点实验室董绍俊研究员课题组利用化学法,通过血红素与石墨烯之间π-π相互作用合成了血红素功能化的石墨烯纳米杂     

大功率变频器综述

随着电力电子技术和自动控制技术的发展，大功率变频器在工业领域得到了广泛的应用，本文从主电路结构的角度出发，对大功率变频器进行分类，并对其原理以及其型应用和发展前景作了介绍。     

一种通用的BJT驱动保护电路的研究

从使用角度出发，在分析ＢＪＴ的开关过程的基础上，重点讨论ＢＪＴ的驱动保护技术，提出了一种兼有驱动、保护功能、通过性较强的设计方案，并给出部分实验结果。     

硅中杂质,缺陷对器件制作与性能的影响及控制

本文针对硅中杂质、缺陷对器件制作和性能的影响进行研究,提出控制杂质与缺陷的不良影响和提高器件的成品率和优品率的途径。     

低温双极晶体管的低温1／f噪声

对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量，结果表明：与室温相比１／ｆ噪声显著增大，根据１／ｆ噪声理论，并参照器件室温和低温下ＩＢ－ＶＢＥ曲线的不同，认为在低温下ＥＢ结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件１／ｆ噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因。     

晶体管击穿电压的数值分析

本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及ｐｎ结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。     

开关式场效应管弧焊电源的研究

本文主要介绍新型的开关式场效应管弧焊电源的工作原理,通过采用电流负反馈获得恒流外特性,并提出了一种新颖的低压引弧电路。利用所研制的开关式场效应管弧焊电源进行引弧试验和工艺试验,结果表明此电源具有良好的引弧性能和工艺性能,是一种发展前景较远大的电子弧焊电源之一。