以自主创新照亮民族汽车工业发展之梦——记华菱星马汽车（集团）股份有限公司董事长刘汉如

他,艰苦朴素,是一个地地道道的农家子弟;他,经历曲折,大学毕业后在马鞍山建筑材料机械厂基层艰苦工作多年;他,临危受命,带领一家濒临破产的企业凤凰涅槃,浴火重生;他,乘势而起,已带着他的汽车王国冲出中国,走向世界,创造一个又一个让世人惊叹的奇迹。他是刘汉如,华菱星马汽车（集团）股份有限公司（以下简称＂华菱星马＂）的缔造者,被业内称为华菱重卡之父。造车是他这辈子最大的梦想和责任,中国人造中国车更是他毕生的追求。     

极化电压与铁电场效应晶体管漏极电流的稳定性关系

设计了具有金属/铁电体/半导体结构的铁电场效应晶体管（FFET）,并对其特性进行了仿真.结果表明,当Vg=0时,Pr和Ps/Pr的值决定了漏极电流的大小.当Pr增加时,Id随之增大.当FFET饱和极化后,Ps/Pr值增加,Id增大.FFET可以在特定极化电压（Vp=1.5 V）极化后,实现漏极电流的稳定输出,减小了Ps/Pr变化对FFET器件性能的影响.该漏极电流稳定输出时的极化电压值受到矫顽场Ec的影响,且Vp随Ec的减小而降低.     

大功率模块高频驱动器的设计及实验分析

针对大功率模块的驱动需求,设计了一种低成本的大功率高频驱动器.基于信号调制型磁隔离调制原理,采用脉冲信号耦合和重构方法实现驱动信号的可靠隔离和双向传递;采用高隔离型DC/DC供电模块提高信号隔离效果,降低制造成本;采用欠饱和检测和盲区时间优化控制来解决功率模块短路/过流的准确检测难题;通过软关断方式实现过压保护,利用非神经超前保护机制实现快速而有效的保护;最后,利用大功率移相软开关实验平台,开展了文中设计的驱动器和国外同类先进产品的对比驱动实验.结果表明,所设计的驱动器的驱动能力强,耗能和温升更低,驱动波形好,成本低,能满足大功率模块的高频驱动需求.     

自然电场法与激电法在找矿中的应用

本文探讨了都兰县诺木洪乡金水口一带石墨矿普查激电法和自电法应用效果,为昆仑山地区同类型矿床提供借鉴。本区先后进行了自然电位扫面和大功率激电中梯扫面工作,找矿标志为电位负异常、低阻高极化特征。自电和激电异常十分明显,并且与已知石墨矿化点吻合很好,在部分覆盖区也产生了强烈的激电异常。地质测量及地表工程表明,异常对找矿起到了直接指导作用。通过两种方法的相互验证、相互补充,大致确定了矿(化)体的形态、规模、及深部延深情况,取得了良好的应用效果。     

真空栅介质场效应晶体管自热效应模型

针对纳米尺度金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)热传输尺度效应对自热效应影响加剧的问题,提出一种考虑尺度影响的真空栅介质垂直堆叠硅纳米线(SiNWs)环栅场效应晶体管(GAA FET)自热效应模型。首先,分析硅薄膜与SiNWs内声子散射自由程之间的关系,量化用于衡量声子边界散射的SiNW热导率衰减因子;然后,根据国际上现阶段关于纳米硅薄膜热导率的解析模型,推导得到考虑尺度效应影响的SiNW热导率解析模型;最后,结合纳尺度器件热传输的关键路径,建立起考虑尺度影响的GAA SiNWs FET自热效应模型。在TCAD软件中采用所提自热效应模型实现了GAA SiNWs FET自热效应的数值计算。仿真结果表明:低热导率真空栅介质、垂直堆叠多热源与热传输尺度效应将导致真空栅介质GAA SiNWs FET热生成与扩散过程更加复杂,加剧器件自热效应;通过真空栅介质间隙与环绕气体压强之间的折中设计能够最大化栅极热传输能力,达到抑制器件自热效应以改善器件性能及其可靠性的目的;与传统自热效应模型估算的热点温度值相比,所提出的自热效应模型预测的真空栅器件内热点温度提高了30%,表明该自热效应模型能够有...     

大功率白光LED倒装焊方法研究

介绍了一种大功率、高亮度LED倒装散热封装技术。采用背面出光的蓝宝石LED芯片,倒装焊接在有静电放电（LED）保护电路的硅基板上。该封装技术针对传统LED出光效率低下和散热问题做出了改进,有效提高了LED芯片的寿命,降低了制造成本。     

嵌入式的在线式数字不间断电源设计研究

虽说从现如今形式来看,我国也对DSP和UPS相关领域中进行研究,并在原有的基础上取得了一定的成绩。但这些改良方式无非是让DPS承担了大量任务,在软件上更是需要多个中断程序进行全面协调,很大程度上影响了计算机的运行速度。对此,该文结合实际情况,首先阐述了整个系统方案和相关技术指标,对硬件电路相关设计方案进行了全面介绍,并在原有的基础之上,对系统控制软件进行了相关设计,旨在对嵌入式在线式数字不间断电源设计进行了全面研究。     

聚硒吩类导电高分子的合成、性能及应用

作为聚噻吩类似物,聚硒吩类材料具有带宽低、迁移率高、氧化还原电位低等优于聚噻吩类材料的特性,在电致变色、场效应晶体管、光伏电池等多个应用领域展现出良好的应用前景,近年来又重新引起了科学家们的关注,并在部分领域实现了性能上的重大突破。本文围绕硒吩类化合物的合成、聚硒吩类材料的制备、性能及其应用等方面系统总结了聚硒吩类导电高分子近十年来的研究进展,并简要探讨了当前的研究困难及下一步的发展方向。     

三相逆变器中绝缘栅双极型晶体管模块结温仿真评估

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的工作性能和可靠性以及逆变器中IGBT模块散热系统的设计等均与其工作结温直接相关,掌握器件的结温状况对于确保其安全可靠的使用和冷却装置的合理选择具有重要意义。推导获得基于数学方法的IGBT模块损耗模型和实现热电模拟的Foster热网络模型,基于此在MATLAB/Simulink中建立了简单实用的三相逆变器中IGBT模块结温仿真评估模型,同半导体器件制造商软件计算方法相比,加入了热电耦合因素,可以更真实地模拟器件芯片结温状况,并分析了不同负载工况下IGBT模块结温的变化趋势     

具备自愈功能的计算机芯片

正编辑圈点:自愈不只是生命体的专利。继自愈塑料后,计算机芯片也加入了治愈的行列。加州理工学院的努力,使芯片具备了再生的能力,为不可损电路的出现提供了可能。到时候,风吹雨打只是挠痒痒,碰撞乃至灼烧也可不下火线了。拥有一款不怕受伤的计算机芯片,你就独自偷着乐吧。