开关磁阻电机角度位置控制参数优化研究

角度位置控制是开关磁阻电机最基本的控制方式,对开关磁阻电机的开通角与关断角这两个参数及其运行特性进行了分析,并以8/6结构的SRD为例,通过理论分析及仿真研究对其进行优化设计,结果表明：好的开关角配置可以使电机的性能达到最优,提高系统的整体性能.     

无变压器双有源桥DC-DC变换器的研究

电子设备的终端电源一般工作在硬开关状态,且体积较大,变换器难以实现高效率、高功率密度工作状态.本文在传统的双有源桥变换器的基础上提出一种新型无变压器双有源桥（DAB）DC-DC变换器拓扑,以隔直电容替代变压器,并引入多相交错并联技术以减小电流脉动,使变换器工作在软开关状态下,可有效降低开关损耗.通过研制实验样机,验证了上述改进方案的可行性,有利于减小电源的体积与重量,并降低成本和提高其功率密度.     

对配电变压器开关保护的探讨

本文从三个方面论述10kV配电变压器的保护,并进行分析比较。     

SGA911型压力煮浆桶的微观控制系统

介绍以MCS－8748单片机为核心,控制压力煮浆桶,按生产工艺操作程序制浆的微机控制系统,采用通用的74LS系列TTL集成电路,实现了复杂的制浆工艺中的40个开关量、两路A／D转换、数字显示、计量和报警等功能。     

抑制同步开关噪声的新颖电磁带隙结构

为了抑制印刷电路板的同步开关噪声(SSN),提出了一种新型二维电磁带隙结构.基于金属折线增强相邻单位晶格间的电感,采用折线与含有缝隙的正方形金属贴片桥接构建单位晶格,实现新型电磁带隙结构设计.应用HFSS软件仿真分析电磁带隙结构,结果表明:与相同参数的L形桥接电磁带隙结构比较,抑制深度为-30 dB时,阻带带宽为0.45～5.3 GHz,相对带宽提高了约15％,阻带下限截止频率下降了150 MHz.测量结果与仿真结果吻合,能够全向抑制电源平面上的SSN,同时采用差分线对传输信号时,对信号完整性造成的影响较小.     

基于新颖磁链观测的三电平PWM整流器的直接功率控制策略研究

三电平PWM整流器在高压大功率场合有着广泛的应用,但是由于三电平PWM整流器自身开关器件的非线性和对电路参数的依赖性,使得传统的电压电流双闭环控制无法更好的提高其动态性能,因此限制了其在更宽负载范围内的运用。本文在建立二极管钳位式PWM整流器数学模型的基础上,在传统的直接功率控制和电压定向控制的基础上,提出了一种新型简化虚拟磁链定向的固定开关频率的三电平PWM整流器直接功率控制方法。仿真实验表明：该控制方法能够保证中点电位平衡,网侧电流谐波小,具有良好的动静态性能,实现了单位功率因数运行。     

提高直流系统馈线支路供电可靠性

直流电源作为继电保护、测控、通讯自动化、事故照明、断路器、隔离开关操作机构等设备的工作电源,其供电的可靠性直接关系到变电站的安全稳定运行,因此防止直流系统各馈线支路供电故障就是我们迫切需要解决的问题,对宜昌供电公司220kV变电站直流系统供电方式的现状进行了详细的调查,找出了影响馈线支路供电可靠性的共性问题并提出了最佳的改进方案,使完善后的直流系统简洁清晰,满足直流系统供电的安全、稳定性。     

应用于WSN的0.5 V 4.8 GHz CMOS LC VCO设计

为设计一个可应用于无线传感网的0.5 V 4.8 GHz CMOS LC压控振荡器,采用传统差分负阻结构的电感电容VCO核心电路,添加开关电容阵列增大VCO的调谐范围,利用升压电路和反相器的组合提高控制信号产生电路的性能,通过调节负阻管的宽长比等方法来优化VCO的相位噪声性能,保证VCO能在0.5 V的低供电电压下稳定工作,相位噪声达到-119.3 dBc/Hz@1 MHz,VCO的频率调谐范围为4.3~5.3 GHz,相位噪声小于-115 dBc/Hz@1 MHz,最低可达-121.2 dBc/Hz@1 MHz,核心电路电流约为2.6 mA,满足无线传感网的应用要求。     

大功率暖白光LED用Dy:BGSO单晶的生长及其发光性能

采用坩埚下降法成功生长出共掺Dy~(3+)和Ge~(4+)的硅酸铋(BSO)单晶,其中Dy~(3+)和Ge~(4+)的摩尔分数分别为1%和3%,其直径为2.54 cm(1 in),长度达8 cm,外观无色透明,无包裹物和裂纹等缺陷,表明共掺入Dy~(3+)和Ge~(4+)能够有效改善BSO晶体的偏析现象;双摇摆曲线半峰全宽为24″表明晶体具有较高的结晶质量.Dy:BGSO晶体的荧光光谱包含Bi~(3+)和Dy~(3+)的特征峰,Bi~(3+)吸收的能量能够传递给Dy~(3+).色坐标和色谱计算结果表明,其在多种波长的紫外光激发下均可以发射暖白光.该晶体在365 nm紫外光灯辐照下的实际发光效果说明,其能够高效率、360°全方位立体发射肉眼可见的明亮暖白光.故Dy:BGSO单晶是一种可用于大功率LED器件的候选荧光单晶材料.