爆炸波在饱和土中与障碍物相互作用的解析法

对爆炸波作用下饱和水土介质中的状态方程进行了适当的简化，解析得到了突如衰减三角形冲击荷载作用下，爆炸波遇刚性障碍的反射系数及障碍物的运动规律。     

多通道散斑多重全息图

利用散斑对傅里叶频谱的调制作用，给出多通道的多重全息图及具体实验方法；讨论了记录和再现过程的原理，并进行了实验验证．结果表明，本方法操作简单，像质较好     

用8098单片机HSI,HSO组成数字触发器

介绍采用８０９８单片机中的高速输入器ＨＳＩ和高速输出器ＨＳＯ组成晶闸管三相桥式全控整流电路的数字触发器。直接由并行口输出６个互差６０°的双窄脉冲，利用８０９８单片机内部Ａ／Ｄ直接采样移相控制信号，从而构成了一个仅有一片８０９８单片机的开环控制系统。若将数字控制器的输出作为移相控制信号，则可方便地构成仅用一片单片机的闭环数字控制系统     

应用MFT分析R_2Fe_(17-x)M_x(R=Pr,Nd;x=0.2;M=Al,Ga)合金的磁性

用两亚点阵ＭＦＴ分析了Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＭｘ合金的饱和磁化强度与温度的关系。得到了分子场系数ｎＲＲ、ｎＲＦ和ｎＦＦ，计算出了居里温度，给出了分子场ＨＲ（Ｔ）、ＨＦｅ（Ｔ）与温度的关系曲线。计算结果表明，在Ｒ２Ｆｅ１７中用Ａｌ、Ｇａ替代部分Ｆｅ离子后，分子场系数ｎＦＦ明显增大，除Ｐｒ２Ｆｅ１７的ＨＲ（Ｔ）外，分子场强度在很大温度范围内显著增加     

对称组合系统的鲁棒输出调节

研究了对称组合系统的鲁棒输出调节问题。结果表明，对称组合系统的鲁棒输出调整问题可以转化为两个修正的低阶子系统的鲁棒输出调节问题。并可通过考察两个低阶矩阵行的线性相关性得到解决。     

采用Boost的PFC电路输出电压纹波分析及输出滤波电容值的确定

本对采用Ｂｏｏｓｔ为主电路的ＰＦＣ电路进行分析，推导出输出电压纹波的数学表达式，进而找出了确定输出滤波电容的计算公式，公式对各种方式控制的Ｂｏｏｓｔ ＰＦＣ电路普通适用，计算机仿真证明结论的正确性。     

高饱和磁化强度Fe16N2单晶薄膜

尽管Fe_(16)N_2的结构早已为人们所知“‘，但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和 磁化强度（Bs一258 T严之后．制备高含量比川。的研究在块体和薄膜材料方面都很活跃l’ 4］． 然而，由于它是亚稳相，迄今只有日本Sllgita’领导的小组在半导体基片上制备出了Fe_(16)N_2单 晶薄膜，并验证了室温下其饱和磁化强度高达 29又大大超过 Slaterwaaling曲线．关于 卜；刀。是否具有如此高的饱和磁化强度值成为当个磁学理论界争论的一个热点风刁．作者曾详 细研究了溅射条件对氮化铁各相形成的影响闷，本文用溅射法制备出a‘’xe入单晶薄膜，井清 晰地观察到了沿［l叫和［110方向的电子衍射花样．磁性测量结果表明其饱和磁化强度值高 达 264～ 289 Wbha’．     

热输出曲线测量

在构件上布两片应变片构成半桥应变测量线路，构件在室温下不加载，且升降温后可自由膨胀，在此条件下测出构件在－２３℃至６６℃温度区间内的热输出曲线，为修正实测应变值提供了依据．     

稀土永磁材料RnFemMk化合物中的磁耦合作用

本文用二格点分子场理论（MFT）分析了RFe_3，R_6Fe_23，R_2Fe_14B和RFe_10V_2（R＝稀土元系）稀土永磁材料中的Fe－Fe，R－Fe和R－R相互作用。计算了各种稀土（R＝Gd，D_Y，Tb，Ho，Er．Tm）铁化合物中的Fe—Fe，R－Fe和R－R相互作用对居里温度的贡献。结果表明，对于RFe_3，R_6Fe_23和R_2Fe_14B化合物，Fe－Fe相互作用对居里温度的贡献T_FF随稀土元素的原子序数的增大而减小；对于某些化合物，R—Fe磁耦合作用和R－R磁耦合作用对居里温度的贡献（T_RF和T_RR）有相同的量级。本文的计算值T_RF，与强磁场对自由粉末样品的测量结果基本一致。     

基于生物光敏蛋白细菌视紫红质膜的光子晶体管的模型

生物光色材料细菌视紫红质（ｂＲ）分子的光循环具有两个主要光活性态－基态Ｂ（５６８ｎｍ）和最稳中间态Ｍ（４１２ｎｍ）。用它们吸收带波长的光照射ｂＲ将分别引起分子的异构（Ｂ→Ｍ）和复构（Ｍ→Ｂ）光反应。本文首先研究了化学增强ｂＲ膜的互补调制饱和吸收，即多光束照射引起Ｂ、Ｍ各态粒子数比例变化，多光束之间互补调制输出光强。研究发现，当５６８ｎｍ和４１２ｎｍ双光束同时入射长Ｍ态寿命的ｂＲ膜时，存在阈值光强Ｉ