非晶硅薄膜的制备及晶化研究

采用磁控溅射技术首先在玻璃基片、单晶硅片上溅射非晶硅薄膜再在其表面溅射铝膜,并用快速退火炉在不同温度下进行退火。利用台阶仪、拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征。结果表明:在功率120W,气压1.5～2.5pa,时间为3.5～4.5h的条件下可制备得非晶硅薄膜,Al诱导能降低晶化温度,并在500～600℃间存在一最佳晶化温度。     

遮挡对硅太阳电池组件性能的影响研究

遮挡是造成太阳电池组件输出功率降低的原因之一,研究这一因素可以让人们正确认识遮挡造成的后果,避免不必要的损失。通过对单片电池进行不同比例的遮挡,分别测试了单晶硅、多晶硅两种太阳电池组件性能变化和对蓄电池充电的影响,并对两种太阳电池造成影响的差异进行对比。     

全球光伏产业现状

论述了全球光伏市场的现状和产能扩张计划,分析了光伏技术的现状,介绍了全球五大光伏电池和组件生产企业,重点分析了多晶硅产业现状并介绍了全球五大多晶硅生产企业。     

多晶硅与单晶硅的扩散比较

相同工艺下多晶硅和单晶硅的扩散结果区别非常明显，在扩散温度较低时，多晶硅扩散后的方块电阻大于相同条件下的扩散单晶硅；在扩散温度较高时，多晶硅扩散后的方块电阻小于单晶硅，文章从多晶硅的结构特点对此现象进行了解释。     

兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考

文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在2000年和2010年中国对多晶硅的需求分别是736t/a和1304t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到80t/a，所以在中国建设一座年产1000t电子级多晶硅的工厂是很合理的。然而由最新统计数据可知，自1997年以来，世界多晶硅生产能力连年均超过市场需求，而且在最近的将来，这一趋势将会继续。为了占领国内多晶硅市场，未来的多晶硅工厂将面临挑战，产品质量和生产成本是应当考虑的最重要指标。为了占领国内市场，在保证多晶硅产品纯度的前提下，生产成本只能略微超过20美元/kg。     

从家用太阳能光伏发电系统到上游多晶硅制造——上海电力学院太阳能研究所赵春江教授专访

将屋顶变成发电站 早在1990年,联邦德国政府在世界上率先推出"屋顶计划",至1997年已完成近万套屋顶系统,累计安装量已达33兆瓦.1999年开始实行的"十万屋顶计划"也将在明年完成.1994年,日本开始实施"朝日七年计划".1997年建立了1600个屋顶系统,政府补贴"屋顶计划"的经费高达9200万美元,至2001年已安装总量达7600兆瓦的家用太阳能电池.     

“华嘉光电”：把智慧变为财富

张宏勇，1981年获得成都电子科技大学的半导体物理及器件硕士学位，1985年留学日本，专攻薄膜晶体管和AMLCD显示技术，1989年获得了日本东京工业大学电子物理工学博士学位。之后，他以卓越的能力任职于日本半导体能源研究所，担任首席研究员、副部长，1997年起任日本富士通株式会社LCD事业部新技术部长，先后在日本、美国和中国申请的个人发明     

最新MP3产品TOP：爱国者 我为歌狂E5820

整体金属味十足。再配上银色金属条更是感觉简约时尚。操作键盘隐藏在侧面，采用2．0寸TFT液晶屏．分辨率高．底噪相当小．电池持续时间长，支持MP3、WMA等音乐格式．但支持的视频格式比较单一．所以只能转换SMV格式播放．另外利用它来看电子书或者当收音机使用也是不错的选择哦!     

锌还原法制备多晶硅过程影响硅产率的因素分析

对锌还原法过程中影响硅产率的因素进行研究.分析了当反应达到平衡,在0.1、0.3和0.6 MPa以及进料配比xZn/xSiCl4为2、4和8时,气相平衡组分分布与温度的关系.讨论了硅产率随温度、压强及xZn/xSiCl4的变化情况.结果表明,低温、一定压力和高xZn/xSiCl4对锌还原过程有利.确定了影响硅产率的主要副反应.最后得到锌还原法的最佳操作条件为温度控制在1 200 K左右、0.2 MPa及进料配比xZn/xSiCl4=4,在此条件下硅的理论产率可为90.3%.     

多晶硅片PL和电池效率的对应关系

采用光致发光(PL)测试仪测试了多晶硅片的PL图像中的各参数与其制备为电池后的转换效率的关系,并分析了电池参数和PL图像参数的相互关系.采用自主编制的一款软件,分析了PL图像的黑丝比例和归一化PL强度参数,并计算对应硅片的数值结果.PL测试完成后,依次顺序制作了太阳能电池,并测试其电池效率和开路电压(V_(oc))等.实验结果表明:V_(oc)和PL图像归一化PL强度相关性良好,但与PL图像黑丝比例相关性差;而电池转换效率与PL图像归一化强度、黑丝比例相关性均不强.其原因是PL光致发光主要测试的硅片材料性能与电池V_(oc)相关,而电池转换效率不仅受硅基材的影响,还受电池工艺的影响,比如制绒工艺、扩散工艺、镀膜工艺等.本文利用半导体相关原理推导出了电池V_(oc)和归一化PL强度的相关性表达式,从原理上证明了归一化PL强度与电池V_(oc)的相关性,表明归一化PL强度与多晶硅片质量具有更高的相关性,更具指导意义.