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近年来在绝缘衬底上激光再结晶的多晶硅膜内制作SOI器件受到广泛重视.人们对SOI结构的制备及性质,尤其是对多晶硅层和绝缘衬底间的界面面性质进行了广泛的研究.作者曾提出激光功率窗口的概念,激光功率在这个窗口内,才能制出性能良好的SOI再结晶材料.降低窗口对应的功率,拓宽功率窗口是SOI材料和器件制备中的重要问题. 相似文献
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在LPCVD理论模型基础上,通过引进“电子温度”,对 PECVD多晶硅膜进行了计算机模拟分析.结果表明,射频功率和反应室气压是影响PECVD淀积速率分布的两个主要因素,且两者受p=kW线性关系的制约,即对于一定的射频功率,总可选择一合适的反应室气压,使淀积速率分布最佳.实验结果与理论分析相吻合. 相似文献
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数码相框是一种以数码照片的保存、回放和浏览为核心功能的产品,随着数码相机的发展,数码相框也出现在越来越多的家庭中。本文以Atmel公司生产的ATmega32A为控制核心,配合SD卡、外围电路和TFT液晶屏提出了一种数码相框的简易设计方案,实现了从SD卡读取bmp格式图片并在TFT液晶屏上显示的简易功能。它比普通的相框体积小、更灵活、更有动感,是现代家庭的必备装饰品。 相似文献
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用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量 总被引:1,自引:1,他引:0
以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量.借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征.结果表明:区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高. 相似文献
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作为太阳能产业发展所需的重要工业原料多晶硅,预计中国未来几年的总需求约为2万吨,其价格也一路飙升,从2002年的20美元/公斤上涨到300美元/公斤,而现货价甚至达到400美元/公斤。 相似文献
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有机薄膜电致发光显示器以其自发光、高效率、低功耗和可挠曲的特点引起了平板显示界的研发和生产的热潮,OLED产品不断增多,但要占有市场,器件本身仍要解决诸多问题。本文讨论了OLED的现状、进展以及遇到的难题。 相似文献
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