基于TFT液晶无线视频图像显示技术的研究

基于C8051F340单片机对TFT液晶的控制,对无线传输的视频图像进行实时监控显示,设计了C8051F340与TFT液晶接口电路,介绍了C8051F340对TFT液晶控制器的硬件设计及接口初始化,实现了对无线传输视频图像实时的显示。     

自然光照条件下硅光电池组件伏安特性

本文给出了利用DS—125型光电池(阵)户外特性测试仪测得的自然光照条件下硅光电池组件的伏安特性。对同类产品在自然光照下和人工模拟光照下测得的电性能进行了比较。同时也对单晶硅和多晶硅两类不同晶体硅组件在两种不同测试条件下获得的结果进行了比较。 作者认为,由于模拟光下测得的光电池组件输出比自然光照下的输出值为大,因此,若以模拟光照条件下的峰瓦值来确定光电系统的容量时,应考虑1.10—1.20的修正系数。     

冶金法高纯度多晶硅生产工艺技术经济分析

<正>一、市场背景作为一种清洁、可再生能源,太阳能备受世界各国的重视,光伏发电是太阳能利用的主要形式之一。太阳能光伏发电具有不消耗燃料、不受地域限制、规模灵活、无污染、安全可靠、维护简单、寿命较长等无可比拟的优点,所以自从实用性硅太阳能电池问世以来,世界上很快就开始了太阳能光伏发电的应用。近些年来,世界各国纷纷出台相关政策,加大对光伏产业的支持力     

掺铝P型单晶硅尾料真空冶炼提纯研究

利用真空蒸发和定向凝固技术去除掺铝P型单晶硅尾料中铝杂质的方法,通过晶相仪、EBSD和ICP-AES检测,被证实是非常有效的.铝含量检测结果表明:提纯后的铝含量沿多晶硅铸锭纵向由下到上逐渐增高,且总量较提纯前有较大幅度的降低.     

Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作

利用低压化学气相淀积法(LPCVD)在表面有热氧化二氧化硅的(100)硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜,并对其界面进行表征.制作出单层Al金属的欧姆接触样品,在不同退火温度条件下对样片的电阻进行测量.结果表明,退火使欧姆接触的电阻率降低,接触电阻率可达到2.41×10-3Ω.cm2.     

刘汉元:新能源是带动经济走出危机最大动力

<正>2009年4月末,在成都的通威集团总部,通威集团董事局主席刘汉元称,在致力发展农业的同时,通威集团还将投入60亿元用于加快正在筹建中的多晶硅二、三期生产基地的建设。刘汉元直言,"其实,比起汶川地震,金融危机对我们的影响更     

熔盐电解精炼制备太阳能级多晶硅

采用熔盐电解精炼技术在物质的量比为1∶1的NaF-KF混合共晶熔盐中对冶金硅进行精炼提纯制备太阳能级多晶硅.采用SEM和ICP-MS对熔盐电解精炼后产物硅进行表征.考察了熔盐电解精炼过程中电压、温度、时间对冶金硅中主要杂质去除率的影响.在2.0 V,1 073 K条件下,冶金硅阳极经电解精炼400min后,精炼产物形貌为线状,直径主要分布在50~150nm之间,长度达到几十微米.冶金硅中主要金属杂质的去除率在92%以上,B,P杂质的去除率分别为92.1%和97.6%,产物硅的纯度达到99.999%.