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51.
袁克文 《上海理工大学学报》2013,34(3):117-121
针对国内多晶硅生产副产物四氯化硅的消化处理,通过对多晶硅生产尾气冷凝液主要成分三氯氢硅和四氯化硅等组分和杂质的含量分析,提出了利用多晶硅生产副产物四氯化硅合成高纯石英玻璃的方法及其工艺条件.通过分析四氯化硅合成高纯石英玻璃的影响因素,针对性地提出了生产控制方法.对高纯石英玻璃材料的理化性能及应用进行了探讨,为多晶硅行业资源综合利用及增效减排,提供了切实可行的途径. 相似文献
52.
详细讨论了双岛结构多晶硅压力传感器制作过程中的一种微机械加工技术,传感器采用的材料是双面抛学的(100)晶面硅片,制作中还利用了半导体集成电路平面工艺。研制这种传感器遇到的主要问题是硅各向异性腐蚀的凸角削角问题,为削角补偿设计了两种特殊形状的掩膜结构,在实验中获得了满意的效果,并且制出了性能优良的双岛结构多晶硅压力传感器。 相似文献
53.
多晶硅太阳电池的吸杂实验研究 总被引:7,自引:0,他引:7
文章简述了采用浓磷扩散吸杂,铝吸杂以及磷-铝共同吸杂等方法,对多晶硅进行了大量的实验研究结果表明,上述方法对我们实验所用的多晶硅材料做太阳电池,其电学特性没有显著的改善。 相似文献
54.
SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从简化步骤、降低成本的角度出发,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在低纯颗粒带硅(SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池.测试结果表明,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了3.57%的转换效率.并在此基础上提出采用氢钝化、减反射、快速生长和隔离技术,期待电池效率能有进一步的提高. 相似文献
55.
从简化步骤,降低成本的角度出发,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在低纯颗粒带硅(SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池,测试结果表明,实验室制备的无钝化,无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了3.57%的转换效率,并在此基础上提出采用氢钝化,减反射,快速生长和隔离技术,期待电池效率能有进一步的提高。 相似文献
56.
多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积(RTCVD)的最传教条件,同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题,得到了转换效率为14.08%的太阳电池,其填充因子为0.808。 相似文献
57.
多晶硅薄膜晶体管特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高级二维器件模拟程序MEDICI分析了多晶硅薄膜晶体管有源区的长度、体内陷阱、界面陷阱、栅氧化层厚度等几何参数及物理参数,并研究了这些参数对薄膜晶体管特性的影响 相似文献
58.
文中介绍了基于RFID的智能控制柜系统的工作原理及软硬件实现方法,该系统采用RFID自动识别技术,配合电子锁,使用人员必须有身份认证才能够取药,取药后自动盘点药品的数量,与服务器连接实时进行数据通信,记录取药日志,实现了药品使用的安全性、可控性、可追溯性,药品管理更加规范,提高了工作效率,系统性能稳定可靠,在实际使用中取得了良好效果。 相似文献
59.
朱臻 《山西大学学报(自然科学版)》2014,(1)
研究了弱反型时多晶硅薄膜晶体管表面势的分布。考虑到弱反型时,沟道势对表面势的影响可忽略,利用一维泊松方程,得到相应沿沟道方向任一点的表面势模型。通过将基于此模型的表面势二维分布与二维器件仿真结果进行比较,发现弱反型时,其可逼近二维器件中的表面势分布;并发现分别在相异栅电压,相异漏端电压和相异沟道长度时,弱反型时的表面势与其在沟道中所处的相对位置几乎无关。 相似文献
60.