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111.
多晶硅压力传感器温度自补偿性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了多晶硅压力传感器的温度特性。重点研究了LPCVD.Poly-Si膜的掺杂浓度对传感器温度特性的影响。通过理论分析和实验研究,找到了实现传感器温度自补偿的最佳掺杂浓度值。获得了工作温度高,温度特性好的压力传感器,实验结果与理论分析相符。 相似文献
112.
郭大民 《现代科技译丛(哈尔滨)》1996,(3):60-66
介绍了一种用于计算高掺杂我晶硅薄膜的纵向、横向和剪切应变系数的简单的理论模型。这些应变系数的计算是依据单晶硅的弹性电阻系数和刚度系数进行的。以解析形式给出(100)、(11)、和(111)薄膜的纵向和横向应变系数在-190℃至+300℃温度范围内以及7×10^19至×10^20cm^-3浓度范围对硼掺杂多晶硅薄膜进行了研究,新提出的理论可供多晶硅传感器的设计者参考。 相似文献
113.
研究了n型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度N≥2.9×1019 cm-3的情况下为欧姆接触:在掺杂浓度N≤2.9×1018cm-3的情况下为整流接触; 用TLM方法测出了N=2.9×1019cm-3时的接触电阻率ρc=5.54×10-3Ω.cm2; 从理论上定量地分析了掺杂浓度(1.4×1017~2.9×1019)cm-3的U-I特性曲线.理 论计算结果和实验数据符合较好.讨论了肖特基势垒高度φb和晶粒间界势垒高度φg 随掺杂浓度变化的规律,φb不随N变化,保持为常数;而φg却有极值。在实验 方面.探讨了用Ti代替A1实现低阻浅结欧姆接触的可能性。在掺杂浓度较低的情 况下,给出了制备欧姆接触的方法。 相似文献
114.
115.
多晶硅太阳能电池的领导者 总被引:2,自引:0,他引:2
高效太阳能电池 一个由德拉瓦大学(University Of Delaware)管理的协会,通过对多晶硅太阳能电池进行一系列改造,打破了在陆地标准条件下太阳能电池光电转换效率的纪录,达到了42.8%. 相似文献
116.
通过仿真与实验设计出了一种高性能的双层多晶硅自对准PNP晶体管工艺流程,分析了关键工艺技术,器件性能达到fT=8.5 GHz,β=60,BVCEO=8 V。该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容,可用于制造高性能的互补双极电路。 相似文献
117.
提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器. 相似文献
118.
光伏产业面临多晶硅瓶颈及对策 总被引:17,自引:1,他引:16
梁骏吾 《科技导报(北京)》2006,24(6):5-7
叙述了世界以及中国光伏电池材料发展的形势。目前,世界光伏电池产业仍然以硅光电池为主,然而,自2004年以来,全球出现多晶硅短缺,中国的多晶硅也严重不足。这已成为光伏电池发展的瓶颈。因此,必须尽快完成下列紧迫任务:①国内已在建的多晶硅厂应早日建成、投产;②应改进多晶硅生产技术,降低硅生产的能耗、冶金硅消耗、氢耗和氯耗,每kg硅生产成本和环保指标都应该处于世界先进水平。从长远来看,流床技术将被一些工厂用来生产太阳能级多晶硅。薄膜太阳能电池(含非晶硅、微晶硅基及各种化合物半导体薄膜)具有相当大的潜力,但其产品性能还须改进,应努力使之形成规模生产。 相似文献
119.
浅析多晶硅生产工艺火灾危险性及防火安全措施 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对多晶硅生产工艺火灾危险性的分析,提出合理的防火安全措施,从源头上防范火灾事故的发生,确保场所的安全。 相似文献
120.
采用真空定向凝固技术,在不同真空定向凝固条件下,对拉制锑掺杂的单晶后的埚底料进行提纯并得到铸锭.对不同生长条件下铸锭的生长形貌进行分析.同时,通过ICP-AES测定了铸锭纵向的杂质元素的分布.结果表明,杂质Sb从底端到中上端由于定向凝固的作用呈现浓度升高,从中上端到顶端由于真空蒸馏的作用呈现浓度降低. 相似文献