浅谈36对棒多晶硅还原炉电源系统及常见故障分析

多晶硅还原炉电源系统是多晶硅生产环节中及其重要的的电气设备,对于保证生产的顺利和产品的工艺要求,起到了至关重要的作用,本文结合我公司的实际情况,重点介绍一下还原炉的电源设备情况和常见的故障分析。     

流化床法制备太阳能级多晶硅冷态研究

分别采用管径为φ20 mm与φ40 mm的流化床反应器,以工业硅为物料,进行了太阳能级多晶硅制备冷态模拟试验研究。结果表明:在管径φ40 mm的流化床反应器中,硅粒粒径D50在80~109μm之间,硅料加入量126.1 g,流化速度为0.26~0.28 m/s时,流化状态最佳;在管径φ20 mm的流化床反应器中,硅粒粒径D50在80~109μm之间,硅料加入量78.1 g,流化速度为0.42~0.44 m/s时,流化状态最佳。     

低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型

对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型,并采用数值仿真方法对模型进行了验证.结果表明:新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合.     

多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型

提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性和栅致迁移率降低效应,适应于从小晶粒到大晶粒线性区的多晶硅薄膜晶体管.研究表明:当晶粒尺寸Lg0.4μm时,其有效迁移率主要由晶粒间界控制;降低晶粒间界陷阱态密度可提高有效迁移率;减小栅氧化层厚度可增强栅压对有效迁移率的控制作用;高栅压时出现明显的有效迁移率退化效应.     

低掺杂多晶硅TFT阈值电压的确定和提取

通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管表面势的分析, 建立基于物理过程的阈值电压模型。当其表面势偏离亚阈值区时沟道电流将迅速增加,将此时所对应的栅压定义为阈值电压。基于多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对表面势进行化简与求解,建立了解析的阈值电压模型。器件数值仿真结果表明,采用二次导数法所提取的阈值电压值与本文所提出的阈值电压模型较好的匹配。     

光伏专业太阳电池多晶硅绒面创新实验设计

基于太阳电池多晶硅绒面创新实验设计,阐述了多晶硅绒面形成原理,重点说明了所设计实验的目的和内容。实践证明该实验能够提供学生直接接触光伏领域中主流技术的机会,增强学生对太阳电池制绒工艺环节的感性认识,提高学生的实际动手能力、创新设计能力和新技术的应用能力。     

柴达木盆地千万千瓦级光伏发电基地面临的挑战和措施

本文主要通过青海省两年来GW级光伏发电基地建设和运营管理的实践,总结分析和探讨青海省GW级光伏发电基地对电网稳定运营的影响。通过GW级光伏发电基地接入电网稳定经济运营的技术方案的比较,从实践中总结形成了一套技术方案和管理模式,为电网的稳定运营安全供电和节能减排起到重要作用。     

光伏产业 拥硅为王

光伏产业是中国新兴的热门高科技产业"其未来发展前途不可限量"然而如果说光伏产业的重要原料多晶硅"不能实现国产化的话"光伏产业未来的辉煌"可是痴人说梦$前不久"记者来到河南洛阳中硅高科公司"欣喜地发现多晶硅生产技术已在中国生根发芽"并在迅速成为参天大树$