掺铝P型单晶硅尾料真空冶炼提纯研究

利用真空蒸发和定向凝固技术去除掺铝P型单晶硅尾料中铝杂质的方法,通过晶相仪、EBSD和ICP-AES检测,被证实是非常有效的.铝含量检测结果表明:提纯后的铝含量沿多晶硅铸锭纵向由下到上逐渐增高,且总量较提纯前有较大幅度的降低.     

Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作

利用低压化学气相淀积法(LPCVD)在表面有热氧化二氧化硅的(100)硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜,并对其界面进行表征.制作出单层Al金属的欧姆接触样品,在不同退火温度条件下对样片的电阻进行测量.结果表明,退火使欧姆接触的电阻率降低,接触电阻率可达到2.41×10-3Ω.cm2.     

刘汉元:新能源是带动经济走出危机最大动力

<正>2009年4月末,在成都的通威集团总部,通威集团董事局主席刘汉元称,在致力发展农业的同时,通威集团还将投入60亿元用于加快正在筹建中的多晶硅二、三期生产基地的建设。刘汉元直言,"其实,比起汶川地震,金融危机对我们的影响更     

熔盐电解精炼制备太阳能级多晶硅

采用熔盐电解精炼技术在物质的量比为1∶1的NaF-KF混合共晶熔盐中对冶金硅进行精炼提纯制备太阳能级多晶硅.采用SEM和ICP-MS对熔盐电解精炼后产物硅进行表征.考察了熔盐电解精炼过程中电压、温度、时间对冶金硅中主要杂质去除率的影响.在2.0 V,1 073 K条件下,冶金硅阳极经电解精炼400min后,精炼产物形貌为线状,直径主要分布在50~150nm之间,长度达到几十微米.冶金硅中主要金属杂质的去除率在92%以上,B,P杂质的去除率分别为92.1%和97.6%,产物硅的纯度达到99.999%.     

太阳能产业的“三国杀”

正德国企业在美国对中国"使坏"中国对太阳能上游产业的"双反",与其说是对美国的回应,不如说是对欧盟的敲打今年上半年在德国竞标时,德国太阳能巨头SolarWorld以0.59欧元/瓦DDU(即未完税交货)的低价打败了三家来自中国的企业。"0.59 DDU?我可以说脏话么?"一位业内人士在获知此消息时说。他认为,真正的德国制造不可能这么便宜,"SolarWorld的诚信有问韪。"去年,正是SolarWorld成功导演了美国对华光伏业的"双反制裁";之后,它又联合欧洲的同行要求欧盟效法美国。欧盟占了中国光伏出口市场的2/3,一旦欧盟也实施"双反",已经产能过剩的中国企业们将饮下一大坛苦酒。驱逐中国企业太阳能被誉为最清洁、可靠的能源,是世界能源产业的未来。目前,利用太阳能的最佳方式是利用光伏效应,使太阳光射到硅材料上直接产生电流发电。     

基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.     

太阳能电池用低掺杂率多晶硅薄膜的制备

通过铝诱导晶化非晶硅(Aluminum-Induced Crystallization, AIC)制备的多晶硅薄膜具有较高的铝掺杂浓度(2×10¹⁸ cm^-3), 不适宜作为薄膜太阳能电池的吸收层. 我们提出了QCGE AIC法, 即: 硅原子的快速扩散; 冷却成核; 晶粒的慢速生长; 铝原子的向外扩散.通过精确控制AIC过程中退火温度及模式制备了掺杂率为2×10¹⁶ cm^-3的高品质多晶硅薄膜. 二次离子质谱(Secondary-Ion-mass Spectroscopy, SIMS)结果表明: 制备多晶硅薄膜中铝残留浓度依赖于退火的温度模式; 霍尔效应测试结果表明: 制备多晶硅薄膜的掺杂率依赖于退火的温度和退火模式; 拉曼光谱表明: 通过QCGE AIC 制备的多晶硅薄膜中包含有少量由小颗粒硅组成的区域.     

多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型

为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适用于1×106～5×108V/m电场范围的泄漏电流模型.同时,建立了中低电场区的激活能模型和泄漏区低频噪声紧凑模型.将模型仿真结果与实验数据进行了比较,证明了所建立模型的有效性,且模型适用于电路仿真器.     

太阳能电池用多晶硅材料国产化的几点思考

以太阳能电池产品链的发展为切入点,阐述了国内光伏产业发展的现状,并提出了国内太阳电池用多晶硅材料国产化的设想与思考。     

改良西门子法生产多晶硅污染物排放调查

通过调查企业改良西门子法生产多晶硅所使用的原料、生产工艺、各污染物产生环节、污染物处置措施、处置设施及各种污染物的有组织排放浓度和厂界无组织排放浓度进行监测,对改良西门子法生产多晶硅排放的污染物进行了全面的调查.阐述了改良西门子法生产多晶硅排放的污染物种类及各种污染物达标排放情况.