SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究

从简化步骤,降低成本的角度出发,采用快速热化学气相沉积（RTCVD）法在低纯颗粒带硅（SSP）衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池,测试结果表明,实验室制备的无钝化,无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了3．57％的转换效率,并在此基础上提出采用氢钝化,减反射,快速生长和隔离技术,期待电池效率能有进一步的提高。     

多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究

研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积（RTCVD）的最传教条件,同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题,得到了转换效率为14．08％的太阳电池,其填充因子为0．808。     

多晶硅薄膜晶体管特性的研究

利用高级二维器件模拟程序MEDICI分析了多晶硅薄膜晶体管有源区的长度、体内陷阱、界面陷阱、栅氧化层厚度等几何参数及物理参数,并研究了这些参数对薄膜晶体管特性的影响     

Poly-Si TFT弱反型区表面势分布研究

研究了弱反型时多晶硅薄膜晶体管表面势的分布。考虑到弱反型时,沟道势对表面势的影响可忽略,利用一维泊松方程,得到相应沿沟道方向任一点的表面势模型。通过将基于此模型的表面势二维分布与二维器件仿真结果进行比较,发现弱反型时,其可逼近二维器件中的表面势分布;并发现分别在相异栅电压,相异漏端电压和相异沟道长度时,弱反型时的表面势与其在沟道中所处的相对位置几乎无关。     

风风雨雨“太阳能”

倒退几年,"光伏产业"一词对许多人来说可能还有些陌生,大家对它的逐渐了解是与中国近两年来的对外贸易摩擦联系在一起的。实事求是地讲,本是代表未来发展趋势的中国光伏产业的发展一路坎坷,风风雨雨,内忧外患。国内方面,由于各种资本蜂拥而入,各地多晶硅、光伏电池等生产线快速上马,光伏产品产量激增,市场竞争激烈导致企业利润迅速减少。     

自然光照条件下硅光电池组件伏安特性

本文给出了利用DS—125型光电池(阵)户外特性测试仪测得的自然光照条件下硅光电池组件的伏安特性。对同类产品在自然光照下和人工模拟光照下测得的电性能进行了比较。同时也对单晶硅和多晶硅两类不同晶体硅组件在两种不同测试条件下获得的结果进行了比较。 作者认为,由于模拟光下测得的光电池组件输出比自然光照下的输出值为大,因此,若以模拟光照条件下的峰瓦值来确定光电系统的容量时,应考虑1.10—1.20的修正系数。     

冶金法高纯度多晶硅生产工艺技术经济分析

<正>一、市场背景作为一种清洁、可再生能源,太阳能备受世界各国的重视,光伏发电是太阳能利用的主要形式之一。太阳能光伏发电具有不消耗燃料、不受地域限制、规模灵活、无污染、安全可靠、维护简单、寿命较长等无可比拟的优点,所以自从实用性硅太阳能电池问世以来,世界上很快就开始了太阳能光伏发电的应用。近些年来,世界各国纷纷出台相关政策,加大对光伏产业的支持力