多晶硅连杆和平台系统的微加工

本文介绍了四连杆系统、三自由度平台等微机械组件的设计和研制，叙述了微加工工艺过程，提出了工艺难点和解决方法，据实际实验尺寸分别对四连杆和平台的运动特性作了数据值模拟，该平台占地约０．２ｍｍ＾２，最大工作区域为０．０２ｍｍ＾２，研制成的四连杆，平台及其它几种尺寸的单连杆均可在外力拨动下灵活地旋转或迁移。     

不同背板晶硅光伏组件在湿热环境下的性能研究

选取CPE、KPE、TPT、AAA四种不同背板制备的多晶硅光伏组件,将其直接固定电阻负载投试到海南琼海湿热气候环境试验场,研究四种不同背板晶硅组件在真实环境应用的性能变化规律。利用热电偶对组件表面工作的温度进行实时监测以及利用实验室I-V测试仪对试验组件的I-V特性参数进行周期性测试,记录这些参数随组件试验时间的变化情况。结果表明:试验组件的温度越高,其最大功率、填充因子衰减越大.CPE、KPE、TPT和AAA四种不同背板的组件,整体温度最高和最大功率(Pm)、填充因子(FF)的衰减最大,串联电阻的增加最多均为CPE背板组件,其次是KPE背板组件,TPT背板组件次之,最小为AAA背板组件。     

利用高斯分布模型研究多晶硅晶硅界电学特性

研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制，建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型.将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布，利用这个模型，给出了改善的电流-电压特性方程，并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性.数值计算表明，多硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加.另外，电阻率ρ随掺杂浓度的增加而减小，当掺杂剂浓度约为1×1019cm-3，ρ和ρgb下降最快.且在晶粒尺寸为102nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大2～3个数量级.分析结果表明，晶界是高电阻区，晶界的这种精细分布描述，有助于进一步理解多晶硅的晶界特性，从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率.     

向太阳能电池“上游”进军

太阳能电池产业链上最重要的一环 在太阳能电池产业链中,分布着硅材料制造(将石英通过提纯和精炼加工成晶体硅)和生产线设备制造、硅片制造(将晶体硅熔铸锭再切成片)、电池制造(将硅片通过半导体加工工艺变成电池),组件制造(将电池连接并封装形成组件)几个环节.     

多晶硅薄膜ELC制备方法中控制纵向热流的探索

准分子激光晶化（ELC）制备多晶硅薄膜是当前制造低温多晶硅TFT的主流技术。本文在非晶氮化硅栅绝缘层中特定区域引入气泡区或者微孔区,大幅度减小该区域的热导率,从而在后面的准分子激光退火过程中建立起适合于晶粒超级横向生长的温度梯度,并初步分析了该方案的可行性。     

多晶硅凝固界面形态演化过程的相场法模拟分析

采用有限差分法求解小平面晶生长Wheeler相场模型,对多晶硅凝固界面形态演化过程进行相场模拟,详细分析了初始晶核条件、扰动强度和时间步长对界面形态演化的影响。结果表明:在多晶硅凝固过程中,九个晶核初始条件下,固液界面比较平坦,晶核生长空间差异小,易于形成垂直于生长界面的棱角胞晶组织。随着扰动强度的增加,棱角胞晶出现侧向分支,根部缩颈严重甚至出现熔断现象。选择强度为0.01的界面扰动,能够真实再现多晶硅凝固界面形态演化过程。在保证计算结果稳定性条件下,增加时间步长能够提高相场模拟计算效率。     

多晶硅发射极超高速ECL移位寄存器的设计

报道了６００门和８００门两种ＥＣＬ超高速移位寄存器；介绍了多晶硅发射极双极晶体管的结构和有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发射极、钴硅化物接触和浅结薄基区等；使用这种多晶硅发射极晶体管，３μｍ特征尺寸设计的１９级环形振荡器的平均门延迟小于５０ｐｓ。给出了６００门移位寄存器的电路设计和版图设计，讨论了互连线和双层金属布线对６００门和８００门移位寄存器的最高工作频率的影响。     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在ＬＰＣＶＤ理论模型基础上，通过引进“电子温度”，对ＰＥＣＶＤ多晶硅膜进行了计算机模拟分析。结果表明，频功率和反应室气压是影响ＰＥＣＶＤ淀积速率分布的两个因素，且两者受ｐ＝ｋＷ线性关系的制约，即对于一定的射频功率，总可选择一何适的反应室气压，使淀积速率分布最佳，实验结果与理论分析相吻合。     

双层多晶硅FlotoxEEPROM单元的优化设计

建立了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘＥＥＰＲＯＭ存储管的阈值电压模型。利用该模型研究了擦／写阈值与擦／写时间、编程电压、隧道孔面积、隧道氧化层厚度的关系。模拟结果和实验结果基本一致。该阈值电压模型为ＥＥＰＲＯＭ单元的优化设计提供了一种快速、简便、实用的准则。