多晶硅太阳电池的高温水蒸汽处理

文章研究了多晶硅太阳电池的高温水蒸汽处理，对处理前后太阳电池光谱响应、开路电压、短路电流等太阳电池的特性进行了测量。处理后太阳电池的性能得到了改善，获得了较好的处理条件及处理效果。     

Ar~+激光诱导淀积多晶硅精细线条

以聚焦的A_r~+激光束诱导多晶硅膜的淀积,在可移动的反应器上实现了宽度小于激光束径的多晶硅精细线条的直接书写。这可以视为VLSI的一种新的布线工艺的雏形。     

多晶硅薄膜晶体管特性的研究

多晶硅薄膜晶体管特性的研究商陆民，汤金榜（东南大学电子工程系，南京２１００１８）（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）周然，杨辉勋（东南大学电子工程系，南京２１００１８）（胜利油田，山东省东营市２５７０６１）用于大屏幕显示的液晶的驱动方式，可以分...     

温度对多晶硅薄膜迁移率的影响

本文研究了多晶硅薄膜在－１９５℃到９６℃的环境温度下霍尔迁移率变化的规 律。在Ｓｅｔｏ提出的多晶硅薄膜导电模型的基础上，进一步从理论上分析了迁移率随 环境温度变化的规律。对非高度简并化的多晶硅薄膜样品，先是随环境温度升高而增 大，达到极值后，又随温度的继续升高而降低，并且指出达到极值的温度和晶粒边界 的势垒高度有关，理论分析和实验结果一致。对高度简并化的多晶硅薄膜样品，实验 结果表明．当测试温度上升到－１６５℃以后直到８０℃，其迁移率基本上不随温度变 化．     

电子束辐照对多晶硅太阳能电池电学性能的影响

运用电子束对多晶硅太阳能电池样品按不同剂量进行了分组辐照试验,对辐照前后的太阳能电池片样品的主要电学参数进行了测试;并根据晶体硅太阳能电池电学参数特性对测试结果做了对比分析,得出了电子束辐照后其各主要电学参数的增加或衰减程度。同时,结合多晶硅太阳能电池主要电学参数的理论分析,研究了电子束辐照对太阳能电池样品宏观电学参数的影响,揭示了电子束辐照下多晶硅太阳能电池电学性能退化的原因。     

多晶硅冷氢化过程模拟研究

随着新能源和信息工业的快速发展,多晶硅生产的重要性日益凸显,我国企业主要采用改良西门子法生产多晶硅,并将四氯化硅(SiCl4/STC)转换为三氯氢硅(SiHCl3/TCS),STC冷氢化过程是其中重要一环,但对其研究还不够,STC冷氢化在氯化亚铜催化剂作用下于400～600℃下进行,较高的反应温度需要考虑热力学平衡,因...     

多晶硅薄膜光电导特性的研究

通过进一步多晶硅薄膜光电导特性观测到多晶硅薄膜光电导光谱分布曲线在长波区存在一个低幅值的台阶；在短波区出现峰值。由光电导光谱分布曲线确定的多晶硅薄膜平均等效的禁带宽度介于单晶硅与无定型硅的禁带宽度之间，其值的大小与多晶硅晶粒大小有关。实验还观测到与势垒光生伏特效应不同的另一种光生伏特效应，可能和材料及工艺不均匀性有关。     

中国：多晶硅生产技术打破国外垄断

河南洛阳中硅高科公司300吨多晶硅项目第一炉产品近日成功出炉，这标志着国外对我国多晶硅生产技术的封锁垄断已被打破。多晶硅是电子信息产业和太阳能光伏发电行业的最重要原料，长期以来，世界多晶硅制造技术主要由美国、日本、德国的七大公司垄断，我国电子信息产业和太阳能光伏发电行业处于受制于人的困境。     

温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响

多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30~40μm,沉积速率达3~7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900~1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.     

快速光热退火法制备多晶硅机理研究

本论述研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术,先利用PECVD法设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用x射线衍射仪(XRD)测试其晶体结构;对不同退火温度下的系列样品测定了RXD谱图.研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光波的频率和光照强度是起着主导作用.