非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜及生长机制探讨

利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150 nm×150nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式.     

MgB2基超导材料研究进展

2001年1月发现MgB2基超导体具有39K的临界转变温度。是迄今为止转变温度最高的非铜氧化物超导体。国内外对MgB2基超导材料进行了广泛而又深入的研究，本简述了近期对MgB2基超导材料的研究进展，介绍了近期主要有关MgB2基超导材料电子结构研究和应用开发的工作。着重叙述了关于基超导机制的研究。     

多孔氧化铝薄膜的紫外光致发光

采用电化学阳极氧化技术在草酸和硫酸的混合溶液中制备了多孔氧化铝薄膜. 对其光致发光性能研究发现, 该薄膜具有一个位于350 nm的紫外波段的发光峰. 分析表明, 该发光现象起源于氧化铝薄膜中与草酸根离子相关的发光中心.     

优系青蒿法呢基焦磷酸合酶基因的克隆和酶学分析

从青蒿(Artemisia annua L)高产株系025的cDNA文库中克隆到了一个编码青蒿法呢基焦磷酸合酶(AaFPS1)的cDNA(af1). 序列分析表明, 这一cDNA编码一个含343个氨基酸残基的蛋白质, 分子量为39 kD. 推导出的氨基酸序列与来自其他植物、哺乳动物及酵母的FPS相似, 也包含异戊烯基转移酶和聚异戊烯基合酶所共有的5个保守域. 此cDNA在大肠杆菌中的表达产物表现出明显的FPS酶学活性. 通过离子交换层析纯化后, 进一步测定了其酶学动力学. 上述结果将进一步推动青蒿素生物合成分子调控的研究.     

用沉积法制备泡沫镍的工艺及应用

在实验研究工作的基础上,评述了具有较大孔径和高孔隙率的新型多孔泡沫镍的结构、物理和机械性能特点、应用前景及其发展趋势。采用化学沉积法和电化学沉积法制备出了泡沫镍。并对泡沫镍的显微结构、机械性能、化学成分进行了测量分析。结果表明:泡沫镍是一种设计适应性广、性能优良的电池电极基板材料,各项性能均已达到引进国外同类产品的水平。实验中发现胶体钯活化液的稳定性主要取决于Pd2+和Sn2+的浓度。用NaCl取代部分HC1能增强活化液的稳定性且可保持其催化活性。同时指出了生产中可能出现的一些问题及产生的原因。     

强夯处理软基的工后沉降

是否可有效减小软基工后沉降是衡量软基处理方法有效性的重要指标．从工后沉降的角度分析了强夯动力固结法处理深厚软基的有效性．实测结果表明：强夯可在淤泥层中产生较大的孔压增量，且影响深度较大．但强夯所致的孔压增量在瞬间产生，也在很短时间内消散．强夯前后软基的沉降速率相同，强夯对软基的固结沉降基本没有影响，处理后软基的工后沉降仍达360-800mm．在本文所述的工况条件下，强夯动力固结处理淤泥软土是无效的．     

在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究

提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜，能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体，光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散，在Wagner理论基础上，用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。     

多孔硅中组装SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的发光现象

用溶胶-凝胶法制备符合SrAl2O4：Eu^2 ，Dy^3 化学组成的溶胶，通过水热反应组装后还原的多孔硅主客体材料的荧光光谱发生显蓝移，并出现一个新的400～450nm的余辉发射峰，分析其原因主要是发光材料进入了多孔硅的纳米孔洞，二价铕离子周围的环境变化和发光材料受到了量子尺寸效应产生的。     

非铁基材料化学镀镍基合金

采用化学镀的方法在钨振子、PVC表面沉积镍基合金。为获得钨振子与镀层同较强的结合力，通过采用不同预处理、热处理方法来完成。实验表明，用以双氧水为主的混合液预处理，Ni-P合金镀层结合力最佳；在保护性气氛中热处理，可大大增强镀层与基体结合力。PVC表面用氯化钯活化可得到导电性良好的镍基合金镀层。     

一类钴基化合物的分子场理论分析

根据两格点分子场理论，在考虑重稀土与钴的磁矩偏离反平行倾角的基础上，分析了钴基化合物RCo5(R=Y，Pr，Nd，Gd，Tb，Dy)的磁化与温度的关系，采用数值拟合的方法得到了描述3种磁作用的分子场系数n(CoCo)，n(RCo)和n(RR)，计算出了Tc，结果表明，RCo5中的磁作用主要由钴3d电子问的交换所决定。