脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究

铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10~(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。     

嵌埋于极化BaTiO3薄膜内的Ag纳米微粒对基体中二次谐波产生的增强作用

近年来,铁电薄膜的光学性质引起了许多研究者的注意.除较为常用的电光效应外,人们还发现了极化后的BaTiO_3薄膜在激光辐射下产生很强的二次谐波,表明这类材料在非线性光学领域有很好的应用前景.最近,我们利用sol-gel过程制备具有嵌埋结构的铁电薄膜——金属纳米微粒体系,发现这类新型材料具有很特殊的光吸收性质.本文对这类材料的二次非线性光学性质进行了研究,发现金属纳米微粒对铁电薄膜中二次谐波的产生有明显的增强作用.实验所用的样品为淀积在石英玻璃基片上的、嵌埋Ag纳米微粒的BaTiO_3薄膜,用sol-gel法制备,具体过程见文献[2].石英基片的厚度为lmm,面积约为1.5cm~2,利用局部腐蚀法和台阶测厚仪测得薄膜厚度在1.6～2.0μm之间.样品的极化过程在两块极     

亚甲蓝光动力学法测定铁

探讨了亚甲篮在紫外光照射下的吸光性质；选择了测定微量铁的适宜条件；试验了干扰情况，并通过实际样品考察了方法的精密度和准确度．     

粗制硫酸铝采用辛酸萃取除铁的研究

用辛酸从硫酸铝溶液中萃取除铁，并用邻菲罗啉分光光度法测定铁的含量。得出了萃取率与振荡时间，萃取温度，ｐＨ值，相比的关系，以及提高萃取率的途径和条件，并应用稀土尾矿的分选产品－高岭土精矿生产工业硫酸铝的试验中。     

多孔催化剂非线性扩散—反应边值问题的近似解

基于大参数的假设提出了求解多孔催化剂内部非线性扩散—反应边值问题近似解的方法。在近似解的基础上，得到了计算有效因子的数学表达式。针对幂函数型动力学方程和Langmuir－Hinshelwood型动力学方程，计算了三种不同形状催化剂颗粒的有效因子。计算结果表明有效因子近似解与用数值方法求得的数位解在较宽多数范围内很吻合。本文提出的有效因子计算方法使用方便，计算快速。     

痕量铁的在线监测研究

根据在邻菲罗啉的活化下Ｆｅ３＋对ＫＩＯ４氧化罗丹明Ｂ褪色的催化作用，利用流动注射技术，建立了一个痕量铁的在线监测的新方法．该方法Ｆｅ３＋的浓度在０～８×１０－５ｇ／Ｌ和８×１０－５～２．８×１０－４ｇ／Ｌ范围内分段与褪色效应呈良好线性相关，检出限为：１×１０－７ｇ／ＬＦｅ３＋（３δ）；ＲＳＤ≤１．６％（ｃ＝５×１０－５ｇ／Ｌ，ｎ＝１１）．利用该方法对水样中铁进行在线监测，效果满意     

流动注射光度法测铁

用自行组装的ＦＩＡ装置，对Ｆｅ（Ⅲ）、ＳＸＯ，Ｆｅ（Ⅲ）－５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ－ＥｔＯＨ，Ｆｅ（Ⅲ）－ＣＡＳ－ＨＤＭＡＡ－Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ－１００ ３种显色体系分别进行了系统的研究，考察了各种因素的影响，优化了工作条件，建立了３种测铁的新方法。     

含二茂铁基及苯并三唑类的酰腙化合物的合成

以１Ｈ－苯并三唑１－１乙酰肼与甲酰基二茂铁，乙酰基二茂铁，１，１＇－双乙酰基二茂铁缩合得到了３个二茂铁亚甲基－１Ｈ－苯并三唑乙酰腙，并通过元素分析，ＩＲ，＾１ＨＮＭＲ，＾１３ＣＮＭＲ等进行了表征。     

多孔硅湿敏特性研究

应用阳极氧化技术在单晶硅片上生长一层多孔硅（ＰＳ）薄膜，用真空镀膜方法分别在其上下两面蒸发一层适当厚度的金属铝作为电极，设计了两种电极图形，制成二端结构的敏感元件．在不同湿度环境下，测出其电容值，得到了多孔硅ＲＨ－Ｃ湿敏特性曲线．通过不同材料、不同工艺条件的试验研究发现：多孔硅湿敏元件的湿敏特性、响应时间与其孔隙率、膜厚等参数有关．从而，确定了适合于敏感应用的材料导电类型、电导率、工艺条件和元件结构     

人发中铜铁锌钙的原子吸收光谱测定

研究在同一发样中同时测定含量相差很大的铜、铁、锌、钙的火焰原子吸收光谱测定方法 .方法简便、快速 ,精密度和准确度高 ,已分析了大量实际样品 ,具有广泛的应用价值