云南哀牢山带两类硅质岩特征

对云南衰牢山带蛇绿岩底部及顶部放射虫硅质的地质学,微体古生物学,同位素及稀土元素地球化学研究表明：蛇绿岩底部为浊积岩建造,其放射虫种属相当于晚泥盆世;硅质岩δ＾３０Ｓｉ为－０．４‰－０．５‰,δＣｅ为０．７７－０．９７（平均０．８５）,。ＬａＮ／ＹｂＮ为０．７７－１．０６（平均０．９６）,均指示其形成于深海环境;蛇绿岩顶部的放射虫硅质岩与蛇绿岩套中玄武岩呈整合接触,属于衰牢山带蛇绿岩套组成单元,该     

常温交联型高硅含量硅丙乳液的合成

利用含有碳碳双键的有机硅氧烷与其他有机硅单体聚合,制得聚硅氧烷乳液;再通过聚硅氧烷与丙烯酸酯类单体发生微乳液聚合,合成出了高硅含量硅丙乳液.并且讨论了各种工艺参数对乳液聚合的影响,最后通过正交设计试验确定了最佳的工艺条件.     

金刚石和氮化碳涂层刀具加工高硅铝合金

为提高硬质合金刀具加工高硅铝合金的生产率及使用寿命,文章采用金刚石薄膜刀具和氮化碳涂层刀具来对比硬质合金刀具加工高硅铝合金的加工性能;试验结果表明,金刚石薄膜刀具干切削加工的表面粗糙度值较小,氮化碳涂层刀具干切削高硅铝合金与金刚石薄膜刀具相比,积屑瘤较小,是适合加工高硅铝合金的刀具材料。     

硅粉混凝土的抗压强度的试验研究

依据100mm×100mm×100mm的立方体试块、150mm×150mm×150mm标准试块和直径100mm、高200mm圆柱体试块硅粉混凝土抗压强度的试验试验,分析了硅粉掺量对各种标准试验抗压强度的的影响,提出了不同硅粉掺量条件下抗压强度比的关系。     

具有荧光特性的硅量子点合成及在铁离子检测中应用

设计了 一种新型的高荧光硅量子点(Silicon quantum dots,Si QDs)的合成方法,并尝试探索其制备机理以及在三价铁离子(Fe3+)检测中的应用.与传统的还原法制备硅量子点相比,3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)在硫酸的作用下能够得到具有高荧光、低尺寸特性的硅量子点.结果表明该硅量子点的最佳激发波长...     

用热分解方法在多孔硅中形成纳米银粒子

通过简单的溶液浸泡－热分解方法成功地在氧化多孔硅的孔中沉积了纳米银粒子,形成了银/氧化多孔硅/硅的复合结构.用X射线衍射光谱(XRD)和扫描电子显微镜（SEM）表征了多孔硅上纳米银粒子的存在.     

激光收发器件硅基平台封装设计与工艺实现

分析了光电子器件对V型槽刻蚀工艺精度的要求,计算了激光二级管(LD)与光纤直接耦合时所容许的对准容差,给出了无源对准封装工艺对设备和工艺控制精度的要求,并采用贴片精度达±1μm的自动贴片倒装焊工艺和硅V型槽定位技术开发了一种激光收发器件模块.初步的封装试验和测试证明了硅基平台无源对准封装工艺的可行性和可靠性.     

硅基微电感的研究

阐述了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法,提出了在硅杯背面用激光器打孔以减薄衬底厚度,从而使电感的Q值得到提高的一种方案,并应用目前普遍采用的电感模型,利用Ansys有限元软件中的电磁分析模块模拟了电感几何参数与磁感应强度、电感值的关系。结果表明,该方法具有制造工艺简单、与IC工艺相兼容的优点,有广泛的应用领域。     

强磁场对Al-12.6%Si合金变质效果影响

研究了强磁场对共晶铝硅合金变质效果的影响．对共晶Al—12．6％Si合金进行Na盐变质处理,发现施加强磁场的条件下,在变质剂反应温度下保温20min,共晶硅细化,并呈现一定程度的粒状化,其变质效果明显优于不施加强磁场．760℃下延长保温时间至40min,未施加强磁场条件下的试样出现严重的变质衰退现象,施加强磁场的试样变质衰退现象相对教轻．在施加强磁场条件下,即使保温40min,其变质效果也优于不施加强磁场时保温20min时的,即强磁场具有一定的延长变质有效时间的作用．分析认为强磁场抑制对流是其中的原因之一．     

光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作

该文描述了碲化镉（CdTe）探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器（SiS）的设计与制作方法这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150 ℃的温度下完成我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝（Al2O3）薄膜工艺,大小为(10×10×1) mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流 电压（I V）,电容 电压（C V）、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符