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91.
以分子结构有无条件形成氢键作为分类标准,将基准外加剂分成两类:一类能形成氢键;一类不能形成氢键,提出复合外加剂是由能形成氢键的基准外加剂和不能形成氢键的基准外加剂两部分组成的新观点,以此观点为基础,作者用数学模式表述复合外加剂和它的复合,将复合外加剂的“组成-结构-功能-名称”有机地联系起来。 相似文献
92.
加工误差对气体静压径向轴承的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
建立了一种考虑影响气膜厚度误差、圆度和圆柱度误差的气膜厚度分布综合表达式,考虑加工误差对气体静压径向轴承的影响,进行了气体润滑有限元分析.分析表明:圆度和圆柱度误差对轴承的承载能力影响不大;气膜厚度误差为平均气膜厚度的5%时,承载能力变化约为10%. 相似文献
93.
设置扇形边界死区的电压型PWM整流器直接功率控制 总被引:9,自引:2,他引:9
利用电压型PWM整流器的数学模型分析了PWM整流器直接功率控制(DPC)的原理,讨论了功率滞环比较器环宽对PWM整流器的影响.为了降低开关频率和减少开关损失,增加功率滞环比较器环宽则引起瞬时有功功率和直流电压波动现象;提出了设置扇形边界死区的控制策略,减少扇形边界误选开关量现象,使瞬时有功功率和直流电压波形趋于平稳.通过Simulink环境下仿真模型的仿真,证明了该策略的可行性. 相似文献
94.
浸泡法制备吸附制冷用复合吸附剂 总被引:2,自引:0,他引:2
以分子筛为基材通过浸泡CaCl2和SrCl2溶液的方法制备复合吸附剂.在模拟制冷条件下,对以不同浓度溶液制备的复合吸附剂的吸附、解吸性能进行了测定,并将吸附解吸性能最好的复合吸附剂在自制的模拟制冷装置上进行了制冷实验.结果表明,复合吸附剂具有良好的吸附、解吸性能,最大吸附量达51.6%,解吸率可达69.3%,在模拟制冷装置上系统的制冷系数达0.25,单位吸附剂的制冷功率为0.072 W/g,符合太阳能吸附制冷的要求. 相似文献
95.
为了分析光致聚合材料记录的谱面全息图在再现过程中发生"擦除"现象,将谱面全息图看作由不同角谱的物光与参考光在光致聚合材料内形成的不同倾斜角度的光栅总和.使用二波耦合理论分析全息图像再现时,由于光致聚合材料发生形体收缩,不同倾斜程度的光栅发生不同程度的变形,产生不同程度的布拉格失配带来的衍射效率变化.理论分析表明,材料收缩越严重,全息图再现质量越差.实验证明了理论分析的正确性,并表明使用无收缩光致聚合材料可以消除这种"擦除"现象. 相似文献
96.
针对日益严重的I/O瓶颈问题,基于多通道I/O和并行访问的思想,提出构造高性能磁盘矩阵式海量存储器RAID-M的方法.理论分析表明,不同级别RAID-M在性能、空间利用率和可靠性方面各有优点,可以满足各种应用目标,AID-M样机的顺序读数据性能和顺序写数据性能均突破了PCI总线瓶颈的限制。 相似文献
97.
对计算机“软”故障进行了分析,认为计算机系统的“软”故障主要由CMOS信息更改、硬盘分区表破坏、Windows注册表破坏及病毒感染所引起,并提出了计算机系统维护和“软”故障的预防和处理意见。 相似文献
98.
99.
当今微处理器的设计中,为了加快虚拟地址向物理地址转换的速度,通常使用地址转换后备缓冲器TLB(translation lookaside buffer)来加快地址转化的速度.本论基于逆向设计,提出了一种可行的TLB结构,可完成地址转换的功能,并从硬件上支持了不同大小的页表格式.此外,通过引入DVS技术将TLB存储单元中的漏电功耗减少90%以上. 相似文献
100.
生物浸出中容易产生铁矾而影响目的矿物的浸出速度。文中就这一问题,围绕与Fe^3 有关的各种因素进行了详细分析,旨在充分发挥Fe^3 离子的氧化作用,又尽量减少其产生的负面影响。分析表明,在驯化适应低酸条件下浸矿细菌的基础上,合理调配酸性介质pH值、铁浓度、细菌氧化活性、氧化还原电位Ek值之间的关系,能使铁产生的沉淀降到最小化。 相似文献