ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

电火花加工机理与误差分析

电火花加工工艺虽已得到广泛采用,但对其微观放电过程的认识至今仍众说不一 作者通过分析和对比,认为将材料腐蚀的空间特性与脉冲放电的时间特性统一起来的分析方法,更能充分解释电火花加工过程中出现的各种现象和放电通道的形态及性质,也便于分析放电加工过程中出现的误差,以提高电火花加工精度     

导电聚苯胺的制备与应用研究

用电解合成方法制备聚苯胺．研究了聚苯胺的变色性能，电压从－0．6V变到1．2V，聚合在电极上的聚苯胺膜依次变成黄色、绿色、蓝色、黑色．利用聚苯胺研制抗静电织物，其织物的表面电阻降到105～106Ω·cm．     

汞对小麦幼苗损伤机制研究

本文研究汞对小麦种子萌发过程中幼苗膜脂过氧化水平，细胞膜透性，保护酶（ＣＡＴ、ＳＯＤ）、ＰＯＤ）活性，可溶性糖和可溶性蛋白质含量的影响。结果表明，随着汞浓度的升高，细胞膜脂质的氧化水平升高，细胞膜透性增大，ＣＡＴ活性降低、ＰＯＤ、ＳＯＤ活性 升高，组织可溶性糖和可溶性蛋白质含量升高。     

贵金属/陶瓷催化膜制备:溶胶粒子表面修饰技术

80年代初,非对称中孔γ-Al_2O_3陶瓷膜成功地商用.由于无机膜具有高温热稳定性和表面可修饰性,从而引起了人们对无机膜反应器的广泛兴趣与重视.近年来无机膜反应器的研究工作主要集中在脱氢反应、加氢反应和选择氧化等催化反应上.无机膜在膜反应器中可以起分离作用,除去反应区的产物之一,从而提高反应的转化率;也可以用来调控反应区中反应物之一的加入计量和反应物的接触,改善反应的选择性.     

脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究

铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10~(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。     

嵌埋于极化BaTiO3薄膜内的Ag纳米微粒对基体中二次谐波产生的增强作用

近年来,铁电薄膜的光学性质引起了许多研究者的注意.除较为常用的电光效应外,人们还发现了极化后的BaTiO_3薄膜在激光辐射下产生很强的二次谐波,表明这类材料在非线性光学领域有很好的应用前景.最近,我们利用sol-gel过程制备具有嵌埋结构的铁电薄膜——金属纳米微粒体系,发现这类新型材料具有很特殊的光吸收性质.本文对这类材料的二次非线性光学性质进行了研究,发现金属纳米微粒对铁电薄膜中二次谐波的产生有明显的增强作用.实验所用的样品为淀积在石英玻璃基片上的、嵌埋Ag纳米微粒的BaTiO_3薄膜,用sol-gel法制备,具体过程见文献[2].石英基片的厚度为lmm,面积约为1.5cm~2,利用局部腐蚀法和台阶测厚仪测得薄膜厚度在1.6～2.0μm之间.样品的极化过程在两块极     

熔盐Cr-Ti碳化物复合层涂覆技术

对表面镀铬、渗铬的钢件进行硼砂熔盐浸渍渗钛处理，可形成多元碳化物复合层。其抗冲击疲劳及抗介质腐蚀性能均明显优于单一渗钛层。应用Ｘ－ｒａｙ衍射及电子探针技术，确定了复合层的结构。     

新型乙醇气敏半导体材料CdFe_2O_4

采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相ＣｄＦｅ２Ｏ４，实验表明，ＣｄＦｅ２Ｏ４作为一种尖晶石型结构的复合氧化物，是电子导电型半导体，具有良好的酒敏性能．且有较好的化学稳定性和气敏稳定性     

一个提高R-L-C电压分布实验准确性的可行方法——镇流器损耗的等效电阻法

在Ｒ Ｌ Ｃ电压分布实验中，以镇流器作为电感元件是一个很方便的办法。但这种做法的缺点是准确度很差。对此，本文提出一个改进的可行方法。即将镇流器的功率损耗看成一个电阻的损耗