考虑薄膜效应区域的混凝土双向板承载力计算

为了合理确定混凝土双向板极限荷载和薄膜效应区域,进行了6块混凝土双向板承载力试验研究,观察试验板裂缝开展和最终破坏模式,获得了试验板荷载-位移曲线.在此基础上,基于塑性铰线理论,考虑受拉薄膜效应影响,提出新的混凝土双向板破坏模式,建立确定受拉薄膜效应区域的椭圆方程,推导板块内力平衡方程,获得各板块承载力增大系数.同时,...     

溶胶—凝胶法制备SiO_2薄膜

本研究采用ＴＥＯＳ－ＥｔＯＨ－Ｈ２Ｏ－ＨＣｌ体系原料，应用低温合成技术，成功地在玻璃基底上制备了完整透明的ＳｉＯ２薄膜。对合成材料进行了差热—失重分析，Ｘ射线衍射分析，红外透射光谱分析及理化检验。结果表明，无序ＳｉＯ４四面体网络已经形成，薄膜的固体物理状态可控制为晶态、非晶态，并赋予基底优良的理化性能。     

AZO薄膜的光学性质研究

采用直流反应磁控溅射法,用Zn(99.99%)掺Al(1.5%)靶制备出高质量的Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,用紫外可见、红外分光光度计等测试手段对沉积的薄膜进行了表征和分析,并对AZO薄膜的折射率和厚度进行了理论分析。薄膜的光谱分析结果表明:薄膜样品的可见光透射率平均值均在80%以上。AZO薄膜在紫外有很强的吸收峰,在红外区域,其反射率可达70%。通过理论计算得出了AZO薄膜样品的厚度为101 nm,与台阶仪测量的结果基本相符。     

基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究

该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明,TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下,剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明,在经过2.3×108循环次数后,以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试,TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明,金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴,将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管     

氮化碳薄膜的制备及C-N/CuInSe_2/Si异质结光伏特性

新材料氮化碳薄膜具有超强硬度和独特的物理、化学性质.近年来,引起国内、外学者的重视,1989年,Liu等从理论上预测人工合成具有β-C_3N_4结构的氮化碳材料的可能性,该材料有很大体变模量B,使其具有超强硬度等特性,极有可能在光电、磁、机械工业等领域获重要的应用,但合成工艺上一直没有取得突破,直到1993年,美国哈佛大学Niu等报道采用激光束蒸发石墨加氮离子束源工艺合成出氮化碳薄膜,该方法回避了等离子工艺过程的热动力学平衡及限制,显然只可作为人工合成预测的新材料的原理性方法而无法实用.我们从1988     

评《金属纳米结构表面等离子体共振的调控和利用》

自20世纪60年代激光出现以后,光学的发展极大地改变了人类的认识,对现代科技的发展起到了巨大的推动作用.然而随着信息技术的高度集成化和小型化,衍射极限成为传统光学难以跨越的尺度瓶颈.表面等离子体光学能够实现在纳米尺度上操纵和控制光子的产生、传播、调     

植物凝集素及其在生殖细胞表面糖复合物检测中的应用

凝集素是一类能够特异性结合糖基的蛋白质，广泛存在于多种生物体中，其中的植物凝集素更是种类繁多，并具有对多种糖基专一性识别的生物学功能．细胞表面的糖复合物是细胞间作用的有效成分，而精子与卵细胞表面也存在相应的糖蛋白物质，并在受精过程中发挥重大作用．利用植物凝集素作为分子探针，人们已经研究了多种动物及人的生殖细胞表面的糖复合物的分布和变化．     

用一维Mason模型模拟薄膜体声波谐振器研究

采用一维Mason模型,研究体声波谐振器的频率特性,探讨压电薄膜AlN和上电极膜厚对谐振频率的影响,研究谐振区域的面积和声能在衬底中的损耗对品质因数的影响.     

纳米SnO2薄膜的制备,结构和性能研究

在真空度为１３３．３μＰａ时,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积ＳｎＯ２薄膜。通过ＸＲＤ,ＳＥＭ等测试分析,研究了杂质掺杂及热处理前后的ＳｎＯ２薄膜的结构,晶粒尺寸,电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明,掺Ｂｉ有效地抑制了晶粒生长,提高了薄膜的稳定性。掺Ｂｉ后,薄膜的电学特性增强,而掺Ｉｎ,Ｃｄ则影响不大。     

真空蒸发制备（Cd,Zn）S薄膜及性能研究

用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了透明的（Ｃｄ,Ｚｎ）Ｓ薄膜,薄膜为纤锌矿结构,具有沿〔００２〕晶向的择优生长取向．薄膜的性能随Ａ值（Ａ＝ＺｎＳＺｎＳ＋ＣｄＳ）和蒸发条件而变化,薄膜为ｎ型材料,呈高阻状态,在可见光范围内有良好的透过率